Semiconductor Group 1
IRL 80 A
GaAs-Infrarot-Sendediode
GaAs Infrared Emitter
Wesentliche Merkmale
●GaAs-Lumineszenzdiode im
Infrarotbereich
●Klares Miniaturkunststoffgehäuse,
seitliche Abstrahlung
●Preiswertes Kunststoffgehäuse
●Lange Lebensdauer
(Langzeitstabilität)
●Weiter Öffnungskegel (± 30°)
●Passend zu Fototransistor LPT 80 A
Anwendungen
●Fertigungs- und Kontrollanwendungen
der Industrie, die eine Unterbrechung
des Lichtstrahls erfordern
●Lichtschranken
Features
●GaAs infrared emitting diode
●Clear plastic package with lateral emission
●Low cost plastic package
●Long term stability
●Wide beam (±30°)
●Matches phototransistor LPT 80 A
Applications
●For a variety of manufacturing and
monitoring applications which require beam
interruption
●Light barriers
IRL 80 A
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code
IRL 80 A Q68000-A7851
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
feo06461
10.95
IRL 80 A
Semiconductor Group 2
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
1) Ein Silizium-Empfänger mit 1 cm2 strahlungsempfindlicher Fläche wird nach der mechanischen Achse
ausgerichtet. Es wird eine Lochblende verwendet.
1) A 1 cm2silicon detector is aligned with the mechanical axis. An aperture is used.
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 40 ... + 100 °C
Löttemperatur
Lötstelle ≥0.15 cm vom Gehäuse,
Lötzeit t = 5 s
Sodering temperature, ≥0.15 mm distance
from case bottom, soldering time t = 5 s
TS240 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR3V
Durchlaßstrom
Forward current IF60 mA
Verlustleistung
Power dissipation Ptot 100 mW
Verringerung der Verlustleistung, TA > 25 °C
Derate above, TA > 25 °C1.33 mW/°C
Wärmewiderstand
Thermal resistance RthJA 750 K/W
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung bei Imax
Wavelength of peak emission λpeak 950 nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax
Spectral bandwidth at 50 % of Imax
∆λ ± 20 nm
Abstrahlwinkel
Half angle ϕ±30 Grad
deg.
Durchlaßspannung, IF = 20 mA
Forward voltage VF≤1.5 V
Strahlstärke1),IF = 20 mA
Radiant intensity Ie≥0.4 mW/sr
Semiconductor Group 3
IRL 80 A
Relative spectral emission
Srel =f (λ)
Directional characteristics Irel =f (ϕ)