IRL 80 A IRL 80 A feo06461 GaAs-Infrarot-Sendediode GaAs Infrared Emitter Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale GaAs-Lumineszenzdiode im Infrarotbereich Klares Miniaturkunststoffgehause, seitliche Abstrahlung Preiswertes Kunststoffgehause Lange Lebensdauer (Langzeitstabilitat) Weiter Offnungskegel ( 30) Passend zu Fototransistor LPT 80 A Features GaAs infrared emitting diode Clear plastic package with lateral emission Low cost plastic package Long term stability Wide beam ( 30) Matches phototransistor LPT 80 A Anwendungen Applications Fertigungs- und Kontrollanwendungen For a variety of manufacturing and der Industrie, die eine Unterbrechung des Lichtstrahls erfordern Lichtschranken monitoring applications which require beam interruption Light barriers Typ Type Bestellnummer Ordering Code IRL 80 A Q68000-A7851 Semiconductor Group 1 10.95 IRL 80 A Grenzwerte (TA = 25 C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg - 40 ... + 100 C Lottemperatur Lotstelle 0.15 cm vom Gehause, Lotzeit t = 5 s Sodering temperature, 0.15 mm distance from case bottom, soldering time t = 5 s TS 240 C Sperrspannung Reverse voltage VR 3 V Durchlastrom Forward current IF 60 mA Verlustleistung Power dissipation Ptot 100 mW 1.33 mW/C RthJA 750 K/W Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlange der Strahlung bei Imax Wavelength of peak emission peak 950 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax 20 nm Abstrahlwinkel Half angle 30 Grad deg. Durchlaspannung, IF = 20 mA Forward voltage VF 1.5 V Strahlstarke1), IF = 20 mA Radiant intensity Ie 0.4 mW/sr Verringerung der Verlustleistung, TA > 25 C Derate above, TA > 25 C Warmewiderstand Thermal resistance Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics 1) 1) Ein Silizium-Empfanger mit 1 cm2 strahlungsempfindlicher Flache wird nach der mechanischen Achse ausgerichtet. Es wird eine Lochblende verwendet. A 1 cm2 silicon detector is aligned with the mechanical axis. An aperture is used. Semiconductor Group 2 IRL 80 A Relative spectral emission Srel = f () Directional characteristics Irel = f () Semiconductor Group 3