Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 1481 N 58 ... 68 T N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hochstzulassige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage tvj = -40C ... tvj max f = 50Hz Durchlastrom-Grenzeffektivwert RMS forward current VRRM -40C... tvj max 5800 6000 6500 6800 0C ...tvj max 6000 6200 6700 7000 V V V V IFRMSM 3400 A 1600 A 2160 A Dauergrenzstrom mean forward current tC = 100C, f = 50Hz tC = 60C, f = 50Hz IFAVM Stostrom-Grenzwert surge forward current tvj = 25C, tp = 10ms tvj = tvj max, tp = 10ms IFSM Grenzlastintegral I2t-value tvj = 25C, tp = 10ms tvj = tvj max, tp = 10ms I2t Durchlaspannung forward voltage tvj = tvj max, iF = 2500A vF Schleusenspannung threshold voltage tvj = tvj max iF = 2500A V(TO) 0,88 V Ersatzwiderstand forward slope resistance tvj = tvj max rT 0,41 m Durchlarechenkennlinie On-state characteristics for calculation tvj = tvj max A B C D max. 0,664047 0,00018532 -0,0375276 0,021268 Durchlarechenkennlinie On-state characteristics for calculation tvj = tvj max A B C D typ. 0,699275 0,00016113 -0,043088 0,019719 Sperrstrom reverse current tvj = tvj max, vR = VRRM iR 50 mA Sperrverzogerungsladung recovered charge tvj = tvj max ITM = 1000A, di/dt = 10A/s Qr 11 mAs Ruckstromspitze peak reverse recovery current tvj = tvj max ITM = 1000A, di/dt = 10A/s 23 kA 20 kA 2 2,65-106 A s 2 2-106 A s Charakteristische Werte / Characteristic values VF = A + B i F + C ln(i F + 1) + D i F VF = A + B i F + C ln(i F + 1) + D i F BIP AM / 2001-02-20 Schneider/Keller max 1,9 V VR = 1000V, C = 0,5F, R = 39 IRM 300 A VR = 1000V, C = 0,5F, R = 39 Release 4 Seite/page 1 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 1481 N 58 ... 68 T N Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink RthJC beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode /cathode, DC Kuhlflache / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single sided max max max 0,014 C/W 0,026 C/W 0,03 C/W max max 0,005 C/W 0,010 C/W RthCK Hochstzulassige Sperrschichttemperatur max. junction temperature tvj max Betriebstemperatur operating temperature tc op -40...+160 C Lagertemperatur storage temperature tstg -40...+160 C 160 C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehause, siehe Anlage case, see appendix Seite 3 Si - Element mit Druckkontakt Si - pellet with pressure contact 55DN65 Anprekraft clamping force F Gewicht weight G 15...36 kN typ 600 g Kriechstrecke creepage distance 30 mm Luftstrecke air distance 20 mm Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz C 50 m/s2 Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehorigen technischen Erlauterungen. This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. BIP AM / 2001-02-20 Schneider/Keller Release 4 Seite/page 2 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 1481 N 58 ... 68 T N Mabild / Outline +0.2/-0.8 75 26+-0.5 C A 2 center holes 3.5 x 2.0 48 BIP AM / 2001-02-20 Schneider/Keller Release 4 Seite/page 3 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 1481 N 58 ... 68 T N On-State Characteristics ( v F ) typical and upper limit of scatter range t vj = 160C t vj = 25C rT @ tvj = 160C 4000 3500 3000 2500 2000 1500 1000 ty p . m ax. 500 0 0 0 ,5 1 1 ,5 2 2 ,5 3 V F [V ] BIP AM / 2001-02-20 Schneider/Keller Release 4 Seite/page 4 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 1481 N 58 ... 68 T N Transient thermal impedance Z(th) JC = f (t) 1 2 3 4 5 doppelseitige Kuhlung r [K/W] [s] 0,00234 0,68 0,00667 0,176 0,00282 0,0732 0,00149 0,011 0,00068 0,0019 0,014 - anodenseitige Kuhlung r [K/W] [s] 0,01464 6,1 0,00667 0,176 0,00282 0,0732 0,00149 0,011 0,00068 0,0019 0,0263 - kathodenseitige Kuhlung r [K/W] [s] 0,01834 4,4 0,00667 0,176 0,00282 0,0732 0,00149 0,011 0,00068 0,0019 0,03 - 0,035 n m ax Z thJC = n =1 R thn (1 - e - t / n ) k 0,03 a 0,02 d 0,015 Z (th) JC / [K/W] 0,025 0,01 0,005 0,001 0,01 0,1 1 10 0 100 t / [sec.] BIP AM / 2001-02-20 Schneider/Keller Release 4 Seite/page 5 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 1481 N 58 ... 68 T N Surge Current Characteristics I FSM = f ( tp ) It value i2 dt = f ( tp ) 1,E+05 1,E+07 1,E+04 1,E+06 1,E+03 ----- ----- Sine half-wave, t vj =160 C , v R = 0 1,E+05 0,1 1 10 100 Time / [ms] BIP AM / 2001-02-20 Schneider/Keller Release 4 Seite/page 6 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 1481 N 58 ... 68 T N Reverse recovered charge Qr = f(-di/dt) tvj = 160C, ITM = 1000A, Vr = 1000V, C = 0,5F, R = 39 14000 12000 10000 8000 6000 4000 2000 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 di/dt [A/s] BIP AM / 2001-02-20 Schneider/Keller Release 4 Seite/page 7 15 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 1481 N 58 ... 68 T N Reverse recovery current IRM = f(-di/dt) tvj = 160C, ITM = 1000A, Vr = 1000V, C = 0,5F, R = 39 400 350 300 250 200 150 100 50 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 di/dt [A/s] BIP AM / 2001-02-20 Schneider/Keller Release 4 Seite/page 8