Semiconductor Group 536
SFH 400,
SFH 401, SFH 402
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter SFH 400
SFH 401
SFH 402
Wesentliche Merkmale
●
Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
●
Kathode galvanisch mit dem
Gehäuseboden verbunden
●
Hohe Zuverlässigkeit
●
SFH 400: Gehäusegleich mit SFH 216
●
SFH 401: Gehäusegleich mit
BPX 43, BPY 62
●
SFH 402: Gehäusegleich mit BPX 38,
BPX 65
Anwendungen
●
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
●
IR-Fernsteuerungen
●
Industrieelektronik
●
“Messen/Steuern/Regeln”
Features
●
Fabricated in a liquid phase epitaxy process
●
Cathode is electrically connected to the case
●
High reliability
●
SFH 400: Same package as SFH 216
●
SFH 401: Same package as
BPX 43, BPY 62
●
SFH 402: Same package as BPX 38,
BPX 65
Applications
●
Light-reflecting switches for steady and
varying intensity
●
IR remote control
●
Industrial electronics
●
For drive and control circuits
Ma
β
e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
fet06090fet06091fet06092
10.95
SFH 400,
SFH 401, SFH 402
Semiconductor Group 537
Grenzwerte
(
T
C
= 25
o
C)
Maximum Ratings
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code Gehäuse
Package
SFH 400 Q62702-P96 18 A3 DIN 41876 (TO-18), Glaslinse, hermetisch dich-
tes Gehäuse, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’)
18 A3 DIN 41876 (TO-18) glass lens, hermetically
sealed package, solder tabs lead spacing 2.54 mm
(
1
/
10
’’).
SFH 400-3 Q62702-P784
SFH 401 Q62702-P97
SFH 401-3 Q62702-P787
SFH 402 Q62702-P98
SFH 402-2 Q62702-P789
SFH 402-3 Q62702-P790
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
– 55 ... + 100
o
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
100
o
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5V
Durchla
β
strom
Forward current
I
F
300 mA
Sto
β
strom,
t
p
= 10
µ
s,
D
= 0
Surge current
I
FSM
3A
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
470 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
R
thJC
450
160 K/W
K/W
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
λ
peak
950 nm
Semiconductor Group 538
SFH 400,
SFH 401, SFH 402
Kennwerte
(
T
A
= 25
o
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
I
F
= 100 m A,
t
p
= 20 ms
∆λ
55 nm
Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 400
SFH 401
SFH 402
ϕ
ϕ
ϕ
±
6
±
15
±
40 Grad
deg.
Aktive Chipfläche
Active chip area
A
0.25 mm
2
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
L
x
B
L
x
W
0.5 x 0.5 mm
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
SFH 400
SFH 401
SFH 402
H
H
H
4.0 ... 4.8
2.8 ... 3.7
2.1 ... 2.7
mm
mm
mm
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
t
r
,
t
f
1
µ
s
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
o
40 pF
Durchla
β
spannung
Forward voltage
I
F = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 µsVF
VF
1.30 (≤ 1.5)
1.90 (≤ 2.5)V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
IR0.01 (≤ 1)µA
Gesamtstrahlungsfluβ
Total radiant flux
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Φe8mW
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
IF = 100 mA
Temperature coefficient of Ie or Φe,
IF = 100 mA
TCI – 0.55 %/K
SFH 400,
SFH 401, SFH 402
Semiconductor Group 539
Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Grouping of radiant intensity Ie in axial direction
at a steradian of Ω = 0.01 sr
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TCV– 1.5 mV/K
Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA
Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA TCλ+ 0.3 nm/K
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH
400 SFH
400-3 SFH
401 SFH
401-3 SFH
402 SFH
402-2 SFH
402-3
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 100 mA,
tp = 20 ms Ie min 20 32 16 16 2.5 2.5 4 mW/sr
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 1 A,
tp = 100 µsIe typ. 300 320 220 190 40 30 40 mW/sr
Kennwerte (TA = 25 oC)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Semiconductor Group 540
SFH 400,
SFH 401, SFH 402
Radiation characteristics, SFH 402 Irel = f (ϕ)
Radiation characteristics, SFH 401 Irel = f (ϕ)
Radiation characteristics, SFH 400 Irel = f (ϕ)
SFH 400,
SFH 401, SFH 402
Semiconductor Group 541
Relative spectral emission
Irel = f (λ)
Forward current
IF = f (VF)
Radiant intensity
Single pulse, tp = 20 µs
Permissible pulse handling capability
IF = f (τ), TC = 25 oC,
RthJC = 160 K/W, duty cycle D = parameter
Ie
Ie100 mA
-------------------------- fI
F
()=Max. permissible forward current
IF = f (TA)
