SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 fet06092 fet06091 fet06090 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit dem Fabricated in a liquid phase epitaxy process Cathode is electrically connected to the case High reliability SFH 400: Same package as SFH 216 SFH 401: Same package as BPX 43, BPY 62 SFH 402: Same package as BPX 38, BPX 65 Gehauseboden verbunden Hohe Zuverlassigkeit SFH 400: Gehausegleich mit SFH 216 SFH 401: Gehausegleich mit BPX 43, BPY 62 SFH 402: Gehausegleich mit BPX 38, BPX 65 Applications Light-reflecting switches for steady and varying intensity IR remote control Industrial electronics For drive and control circuits Anwendungen Lichtschranken fur Gleich- und Wechsellichtbetrieb IR-Fernsteuerungen Industrieelektronik "Messen/Steuern/Regeln" Semiconductor Group 536 10.95 SFH 400, SFH 401, SFH 402 Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehause Package SFH 400 Q62702-P96 SFH 400-3 Q62702-P784 SFH 401 Q62702-P97 SFH 401-3 Q62702-P787 18 A3 DIN 41876 (TO-18), Glaslinse, hermetisch dichtes Gehause, Anschlusse im 2.54-mm-Raster (1/10'') 18 A3 DIN 41876 (TO-18) glass lens, hermetically sealed package, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10''). SFH 402 Q62702-P98 SFH 402-2 Q62702-P789 SFH 402-3 Q62702-P790 Grenzwerte (TC = 25 oC) Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg - 55 ... + 100 oC Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj 100 oC Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Durchlastrom Forward current IF 300 mA Stostrom, tp = 10 s, D = 0 Surge current IFSM 3 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 470 mW Warmewiderstand Thermal resistance RthJA RthJC 450 160 K/W K/W Wellenlange der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms peak 950 nm Semiconductor Group 537 SFH 400, SFH 401, SFH 402 Kennwerte (TA = 25 oC) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 100 m A, tp = 20 ms 55 nm 6 15 40 Grad deg. Aktive Chipflache Active chip area A 0.25 mm2 Abmessungen der aktiven Chipflache Dimension of the active chip area LxB LxW 0.5 x 0.5 mm Abstand Chipoberflache bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top SFH 400 SFH 401 SFH 402 H H H 4.0 ... 4.8 2.8 ... 3.7 2.1 ... 2.7 mm mm mm Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 tr, tf 1 s Kapazitat Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Co 40 pF VF VF 1.30 ( 1.5) 1.90 ( 2.5) V V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V IR 0.01 ( 1) A Gesamtstrahlungsflu Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms e 8 mW Temperaturkoeffizient von Ie bzw. e, IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or e, IF = 100 mA TCI - 0.55 %/K Semiconductor Group 538 Abstrahlwinkel Half angle SFH 400 SFH 401 SFH 402 Durchlaspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 s SFH 400, SFH 401, SFH 402 Kennwerte (TA = 25 oC) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TCV - 1.5 mV/K Temperaturkoeffizient von , IF = 100 mA Temperature coefficient of , IF = 100 mA TC + 0.3 nm/K Gruppierung der Strahlstarke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a steradian of = 0.01 sr Bezeichnung Description Strahlstarke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Strahlstarke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 s Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit SFH 400 SFH SFH 400-3 401 SFH 401-3 SFH 402 SFH 402-2 SFH 402-3 Ie min 20 32 16 16 2.5 2.5 4 mW/sr Ie typ. 300 320 220 190 40 30 40 mW/sr Semiconductor Group 539 SFH 400, SFH 401, SFH 402 Radiation characteristics, SFH 400 Irel = f () Radiation characteristics, SFH 401 Irel = f () Radiation characteristics, SFH 402 Irel = f () Semiconductor Group 540 SFH 400, SFH 401, SFH 402 Relative spectral emission Irel = f () Forward current IF = f (VF) Semiconductor Group I e Radiant intensity -------------------------I 100 mA e = f ( IF) Single pulse, tp = 20 s Permissible pulse handling capability IF = f (), TC = 25 oC, RthJC = 160 K/W, duty cycle D = parameter 541 Max. permissible forward current IF = f (TA)