V A C U U M S C H M E L Z E
DATENBLATT / Specification
Sach Nr.:
Item no.:
T60404-N4644-X271
K-Nr.:
K-no.:
22525
125 / 200 A - Stromsensor-Modul / Current Sensor Module
Datum:
Date:
27.02.2013
Kunde:
Customer
Kd. Sach Nr.:
Customers part no.:
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Bearb:
Le
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Schadenersatz. Alle Rechte für den Fall der Patenterteilung oder GM-Eintragung vorbehalten
Maßbild siehe Blatt 2 :
Mechanical outlines page 2
Anschlußschema
Schematic diagram
+
U
B
- U
B
i
a
i
1
+
+
-
Ra
Ca
+
M
1
3
2
Betriebsdaten/Charakteristische Daten (Richtwerte):
Operational data/characteristic data (nominal values):
Nennstrom i1Neff = 125 /200 A
Rated current
Nennausgangsstrom iaNeff = 62,5 / 100 mA
Output current
Nennübersetzungsverhältnis KN = (1) : 2000
Transformation ratio
Überstrom (Ra < 15 ) î1max = 350 A
Over current (Ra < 15 )
Versorgungsstrom im Leerlauf IBo < 18 mA
supply current
Versorgungsspannung UB = 15 V 5%
Supply voltage
Maximale Versorgungsspannung (ohne Fkt.) UBtot = 18 V
Maximum supply voltage (without function)
Innenwiderstand Ri < 61
Interal resistance
Abschlußwiderstandsbereich Ra = 10...200
Load resistance
Umgebungstemperatur TU = -40...+70 °C
Ambient temperature
für Ra 24 oder i1eff 125 A TU = -40...+85 °C
for Ra 24 or i1eff 125 A
Realisierte Luftstrecke (am Bauteil ohne Lötaugen) sclear = 8 mm
Clearance (component without solder pad)
Realisierte Kriechstrecke (am Bauteil ohne Lötaugen) screep = 8 mm
Creepage (component without solder pad)
Isolierstoffklasse 1
Insulation material group 1
Weitere Vorschriften:
Applicable documents:
UL 508 (gültig für den Aufbau)
UL 508 (construction only)
Datum
Name
Index
Änderung
27.02.13
KRe.
83
Mechanical outline: marking with UL-sign. Applicable documents changed to UL 508, Construction only. CN-621.
12.05.11
Le
82
Luft- und Kriechstrecken ergänzt. ÄA-228
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Maßbild (mm): Freimaßtoleranz DIN ISO 2768-c
Mechanical outline General tolerances
Ø0,8
DC=Date Code
F=Factory Toleranz der Stiftabstände ±0,3mm
(tolerances grid distance
40 35,56
41
15
33,4
19
0,5
10,5
19
13 +U B-U B
ia
21
27,94
12,7 12,7
4,0+0,5
0,3*
2
31
5 6
*=vorläufig
(preliminary)
27
Beschriftung
(marking)
Anschlüsse:
Connections:
Leerstifte: Nr.5 + 6
Dummy pins
UL-sign
4644X271
F DC
Beschriftung:
Marking
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Prüfung: (V:100%-Test; AQL...:DIN ISO 2859-Teil 1)
Inspection
1) (V) Ausgangsstrom (Ra = 50 ) ia (100 A) = 50 mA 0,5 %
Output current (Ra = 50 )
2) (V) Offsetstrom IO 0,05 mA
Offset current
3) (V) M3014: Up,eff = 3 kV, 1 s,
Stift 1-3 gegen Cu-Schiene im Innenloch
Pin 1-3 to Cu-bar in the center hole
Messungen nach Temperaturangleich der Prüflinge an Raumtemperatur *vorläufig/preliminary
Measurements after temperature balance of the samples at room temperature
Maximal meßbarer Strom î1 (Ra)
Maximum measurable current î1(Ra)
40,0
90,0
140,0
190,0
240,0
290,0
340,0
390,0
0,0
20,0
40,0
60,0
80,0
100,0
120,0
140,0
160,0
180,0
200,0
220,0
240,0
Ohm
R
a
î
1
A
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Charakteristische Daten (Richtwerte) des Stromsensormoduls ermittelt durch eine Typprüfung
General data ascertained by type test
Meßgenauigkeit bei Raumtemperatur Fi < 0,5 %
Measuring accuracy at room temperatur
Linearität FLi < 0,1 %
Linearity
Temperaturdrift von Fi (-40...+70°C) FTi < 0,1 %
Temperature drift of Fi (-40...+70°C)
Frequenzbereich (bei eingeschränkter Amplitude) f = DC...100** kHz
Frequency range (with limited amplitude)
Ansprechzeit < 1** s
Response time
Verzögerungszeit bei î1max bei einem Stromanstieg von di/dt = 100 A/s t (î1max, 100 A/s) < 1** s
Delay time at î1max with a current rise of di/dt = 100 A/s
Offsetstrom (beinhaltend Io, Iot, IoT) Ioges < 0,05 mA
Offset current (including Io, Iot, IoT)
Offsetstrom bei Raumtemperatur Io < 0,05 mA
Offset current at room temperature
Drift von Io Iot < 0,05 mA
Offset current drift
Temperaturdrift von Io (-40...+70°C) IoT < 0,05 mA
Offset current temperature drift (-40...+70°C)
Hysterese von Io IoH < 0,085 mA
Hysteresis of Io
Offsetripple (s.Blatt 5) ioss < 0,7 mA
Offset ripple (s. page 5)
Versorgungsspannungsdurchgriff auf Io Io/UB < 0,01 mA/V
Supply voltage rejection ratio
Maximal mögliche Koppelkapazität primär - sekundär Ck < 8 pF
(bei nichtisoliertem das Innenloch voll ausfüllendem Primärleiter)
Maxiimum possibble coupling capacitance (primary - secondary)
(with not isolated the the hole completely filling primary conductor)
Ausgangsstörgleichstrom IaSt < 0,2 mA
Interference output current
Kritischer Abstand bei einem Störimpuls aKrit < 15 cm
Critical distance with an interference pulse current
Lagertemperaturbereich TL = -40 ... +85°C
Storage temperature range
Masse m < 40 g
Masse
Stromrichtung: Ein negativer Meßstrom erscheint am Anschluß ia, wenn der Primärstrom in Pfeilrichtung fließt.
Current direction: A negativ output current appears at point ia by primary current in direction of the arrow.
** Bei seitlicher Rückführung des Primärleiters in Höhe des Innenlochs.
With return conductor along the side at the same height as the inner hole.
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Mögliche Offsettripple-Verringerung durch Tiefpaß:
Variable offset ripple reduction means of a low pass:
Der Offsettripple kann durch einen externen Tiefpaß verringert werden . Dazu muß parallel zu Ra eine Kapazität Ca geschaltet
werden. Die Abbildung zeigt den verbleibenden Wert des Offsetripples (ioss(Ra . Ca)) bezogen auf den Wert ohne externe
Kapazität (ioss). Hierbei wird allerdings die Ansprechzeit verlängert. Sie berechnet sich nach der Formel:
The offset ripple can be reduced by an external low pass. Therefore a capacitance Ca must be switched parallel to Ra. The diagram shows the
remaining value of the offset ripple (ioss(Ra . Ca)) relative to the value without external capacitance (ioss). In this case the response time is
lengthened. It is calculated from:
1
a + 2,5 . Ra . Ca bzw. fg = --------------------
2 . Ra . Ca
Beispiel: ioss (Ra . Ca)
Example: -------------------- = 25%
ioss
Ra = 47 ; Ca = 100 nF
a 21 s; fg = 34 kHz
100
10
10,1 110 100
Ra * Cas
ioss (Ra Ca)
ioss
%
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Erläuterung einiger in den Tabellen verwendeter Größen (alphabetisch)
Explanation of several of the terms used in the tablets (in alphabetical order)
aKrit: Abstand eines störstromführenden Leiters von der Gehäuseseitenflaäche, bei dem auch an ungünstiger Stelle die
zugeordnete Störgröße am Ausgang des Sensos 1% des Nennstroms nicht übersteigt. Den Angaben liegt ein sinusförmiger
Störimpuls mit einer Impulsbeite von 50 s in Höhe des Nennstroms zugrunde.
Distance of a current carring conductor from the sides of the housing, where even at the most unfavourable spot the applicable
interference at the sensor output does not exeed 1% of rated current. The data is based on a sinusoidal interference pulse current
with a pulse width of 50 s having the same magnitude as the rated current.
Fges(i1):Die Summe aller möglichen Fehler im gesamten Temperaturbereich bei der Messung eines Stroms i1:
The sum of all possible errors over the temperature range when measuring a current i1:
ia (i1)
Fges = 100 ---------------- - 1
KN . i1
Fi: In der Ausgangsprüfung zugelassener Meßfehler bei RT, definiert durch
Permissible measurement error in the final inspection at RT, defined by
Ia
Fi = 100 ----------- - 1
iaNeff
wobei Ian der offsetbereinigte Ausgangsgleichstromwert für einen Eingangsgleichstrom in Höhe des (positiven)
Nennstroms ist (d.h. Io = 0 )
where Ian is the output DC value of an input DC current of the same magnitude as the (positive) rated current (Io = 0)
I1 Ia
FLi: Linearitätsfehler definiert durch FLi = 100 --------- - ---------
Linearity fault defined by I1Neff Ian
Dabei ist I1 beliebiger Eingangsgleichstrom und Ia die zugehörige offsetbereinigte Ausgangsgröße (d.h. Io = 0). Ian
s. Erläuterung zu Fi.
Where I1 is any input DC and Ia the corresponding output term. Ian see notes of Fi (Io = 0).
FTi: Temperaturdrift der nennwertbezogene Ausgangsgrößen Ian (vgl. Erläuterung zu Fi) im spezifischen
Temperaturbereich, gegeben durch.
Temperatur drift of the rated value orientated output term. Ian (cf. Notes on Fi) in a specified temperature range, obtained by:
Ian (TU2 ) - Ian (TU1)
FTi = 100 -------------------------------------
iaNeff
IaSt: Ausgangsgleichstrom hervorgerufen durch einen Störgleichstrom in Höhe des Nennstroms in einem Leiter in 1 cm
Abstand von der Gehäuseseitenfläche (ungünstige Lage).
Output DC current caused by an interfering DC current of the same magnitude as the rated current in a conductor 1 cm away from the
sides of the housing (unfavourable position).
IoH: Nullpunktabweichung nach Übersteuerung mit Gleichstrom des 4-fachen Nennwerts. (Ra = RaN)
Zero variaton after overloading with a DC of fourfold the rated value. (Ra = RaN)
Iot: Langzeitdrift von Io nach 100 Temperaturwechseln im Bereich von -40 bis 85 °C.
Long term drift of Io after 100 temperature cycles in the range -40 to 85 °C.
: Ansprechzeit, gemessen als Verzögerungszeit bei i1 = 0,9 . î1 zwischen einem eingespeisten Rechteckstrom
und dem dazugehörigen Ausgangsstrom.
Response time, measured as delay time at i1 = 0,9 . î1 between a rectangular current i1 and the output current ia
t (î1max, 100 A/s): Verzögerungszeit zwischen î1max und dem dazugehörigen Ausgangsstrom ia bei einem Stromanstig
des Primärstroms von di1/dt = 100 A/s.
Delay time between î1max and the output current ia with a primary current rise of di1/dt = 100 A/s.
