Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 238 S 08...12
S
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung Tvj = - 40°C...Tvj max VRRM 800 V
repetitive peak forward reverse voltage 1000 V
1200 V
Stoßspitzensperrspannung Tvj = + 25°C...Tvj max VRSM 900 V
non-repetitive peak reverse voltage 1100 V
1300 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert IFRMSM 455 A
RMS forward current
Dauergrenzstrom TC = 85°C IFAVM 238 A
mean forward current TC = 73°C 290 A
Stoßstrom-Grenzwert Tvj = 25°C, tp = 10 ms IFSM 3800 A
surge foward current Tvj = Tvj max, tp = 10 ms 3200 A
Tvj = 25°C, tp = 1 ms 7800 A
T
vj
= T
vj max
, tp = 10 ms
6600
A
Grenzlastintegral Tvj = 25°C, tp = 10ms I²t 72200 A²s
I²t-value Tvj = Tvj max, tp = 10 ms 51200 A²s
Tvj = 25°C, tp = 1ms 30420 A²s
Tvj = Tvj max, tp = 10 ms 21780 A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung Tvj = Tvj max, iF = 900 A vF
max.
2,7 V
forward voltage
Schleusenspannung V(TO) 1,45 V
threshold voltage
Ersatzwiderstand Tvj = Tvj max rT1,1
m
Ω
forward slope resistance
Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung IEC 747-2 VFRM
typ.
3,9
V
1)
typical value of forward recovery voltage Tvj = Tvj max
diF/dt=50A/µs, vR=0V
Durchlaßverzögerungszeit IEC 747-2, Methode / method II tfr
typ.
3,2
µs
1)
forward recovery time Tvj = Tvj max, iFM=diF/dt*tfr
diF/dt=50A/µs, vR=0V
Sperrstrom Tvj = 25°C, vR=VRRM iR
max.
10 mA
reverse current Tvj = Tvj max, vR = VRRM
max.
50 mA
Rückstromspitze DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max IRM 32
A
1)
peak reverse recovery current iFM =290A,-diF/dt=50A/µs
vR<=100 V, vRM=200 V
Sperrverzögerungsladung DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max Qr22
µAs
1)
recovered charge iFM =290 A,-diF/dt=50A/µs
vR<=100 V, vRM=200 V
Sperrverzögerungszeit DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max trr 1,15
µs
1)
reverse recovered time iFM =290 A,-diF/dt=50A/µs
vR<=100 V, vRM=200 V
Sanftheit Tvj = Tvj max SR µs/A
2)
Softness iFM = A,-diF/dt=500A/µs
vR<=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode D 238 S 08...12 S
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface RthJC
thermal resitance, junction to case beidseitig / two-sided,
Θ
=180°sin
max.
0,080 °C/W
beidseitig / two-sided, DC
max.
0,075 °C/W
Anode / anode,
Θ
=180°sin
max.
0,125 °C/W
Anode / anode, DC
max.
0,120 °C/W
Kathode / cathode,
Θ
=180°sin
max.
0,205 °C/W
Kathode / cathode, DC
max.
0,200 °C/W
Übergangs- Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface RthCK
thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided
max
0,015 °C/W
einseitig / single-sided
max
0,030 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur Tvj max 125 °C
max. junction temperature
Betriebstemperatur Tc op -40...+125 °C
operating temperature
Lagertemperatur Tstg -40...+150 °C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Element mit Druckkontakt 21 mm
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft F3,2...7,6 kN
clamping force
Gewicht Gtyp. 60 g
weight
Kriechstrecke 17 mm
creepage distance
Feuchteklasse DIN 40040 C
humidity classification
Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s²
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode D 238 S 08...12 S
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode D 238 S 08...12 S
Kühlung Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
cooling Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC
Pos.n 1 2 3 4 5 6 7
beidseitig Rthn [°C/W] 0,0003 0,00675 0,00585 0,0322 0,0299
two-sided
τ
n [s] 0,000067 0,00082 0,00905 0,0597 0,497
anodenseitig Rthn [°C/W] 0,00044 0,00806 0,0171 0,0295 0,0649
anode-sided
τ
n [s] 0,000082 0,00107 0,0261 0,121 3,56
kathodenseitig Rthn [°C/W] 0,0005 0,0088 0,0215 0,0312 0,138
cathode-sided
τ
n [s] 0,000086 0,00121 0,0345 0,223 3,513
n
max
Analytische Funktion / analytical function : ZthJC =
= ∑
Rthn ( 1 - EXP ( - t /
τ
n ))
n=1
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode D 238 S 08...12 S
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic i
F
=f(v
F
)
T
vj
= T
vj max
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0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1.000
1.100
1.200
0,5 11,5 22,5 33,5
vF [V]
iF [A]
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