Datasheet PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.2
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FF45MR12W1M1_B11
EasyDUALModulmitCoolSiC™TrenchMOSFETundPressFIT/NTC
EasyDUALmodulewithCoolSiC™TrenchMOSFETandPressFIT/NTC
VorläufigeDaten/PreliminaryData
J
VDSS = 1200V
ID nom = 25A / IDRM = 50A
PotentielleAnwendungen PotentialApplications
• •AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen HighFrequencySwitchingapplication
• •DC/DCWandler DC/DCconverter
• •Motorantriebe Motordrives
• •USV-Systeme UPSsystems
ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures
• •NiederinduktivesDesign Lowinductivedesign
• •NiedrigeSchaltverluste Lowswitchinglosses
MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures
• •IntegrierterNTCTemperaturSensor IntegratedNTCtemperaturesensor
• •PressFITVerbindungstechnik PressFITcontacttechnology
• •Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern
Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
ContentoftheCode Digit
ModuleSerialNumber 1-5
ModuleMaterialNumber 6-11
ProductionOrderNumber 12-19
Datecode(ProductionYear) 20-21
Datecode(ProductionWeek) 22-23
Datasheet 2 V2.2
2020-03-27
FF45MR12W1M1_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
MOSFET/MOSFET
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Drain-Source-Spannung
Drain-sourcevoltage VDSS 1200 VTvj = 25°C
Drain-Gleichstrom
DCdraincurrent Tvj = 175°C, VGS = 15 V ID nom 25 ATH = 75°C
GepulsterDrainstrom
Pulseddraincurrent
verifiziertdurchDesign,tplimitiertdurchTvjmax
verifiedbydesign,tplimitedbyTvjmax ID pulse 50,0 A
Gate-SourceSpannung
Gate-sourcevoltage VGSS -10 / 20 V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Einschaltwiderstand
Drain-sourceonresistance
ID = 25 A
VGS = 15 V RDS on
45,0
59,0
66,0
mΩ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
ID=10,0mA,VDS=VGS,Tvj=25°C
(testedafter1mspulseatVGS=+20V) VGS(th) 3,45 4,50 5,55 V
GesamtGateladung
Totalgatecharge VGS = -5 V / 15 V, VDS = 600 V QG0,062 µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 4,0 Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C
VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV Ciss 1,84 nF
Ausgangskapazität
Outputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C
VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV Coss 0,11 nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C
VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV Crss 0,014 nF
COSSSpeicherenergie
COSSstoredenergy
Tvj = 25°C
VDS = 800 V, VGS = -5 V / 15 V Eoss 44,0 µJ
Drain-Source-Reststrom
Zerogatevoltagedraincurrent VDS = 1200 V, VGS = -5 V IDSS 0,10 120 µATvj = 25°C
Gate-Source-Reststrom
Gate-sourceleakagecurrent
VDS = 0 V
Tvj = 25°C IGSS 400 nA
VGS = 20 V
VGS = -10 V
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turnondelaytime,inductiveload
ID = 25 A, VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
RGon = 1,00 Ωtd on
8,20
7,40
7,40
ns
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
ID = 25 A, VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
RGon = 1,00 Ωtr
6,30
6,70
6,70
ns
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turnoffdelaytime,inductiveload
ID = 25 A, VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
RGoff = 1,00 Ωtd off
35,2
38,9
38,9
ns
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
ID = 25 A, VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
RGoff = 1,00 Ωtf
16,4
16,4
16,4
ns
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
ID = 25 A, VDS = 600 V, Lσ = 30 nH
di/dt = 5,20 kA/µs (Tvj = 150°C)
VGS = -5 V / 15 V, RGon = 1,00 ΩEon
0,30
0,37
0,37
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
ID = 25 A, VDS = 600 V, Lσ = 30 nH
du/dt = 41,6 kV/µs (Tvj = 150°C)
VGS = -5 V / 15 V, RGoff = 1,00 ΩEoff
0,033
0,035
0,035
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGS = -5 V / 15 V, VDD = 800 V
VDSmax = VDSS -LsDS ·di/dt
RG = 10,0 ΩISC
210
205
A
A
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
tP ≤ 2 µs,
tP ≤ 2 µs,
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink proMOSFET/perMOSFET RthJH 1,54 K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
BodyDiode/Bodydiode
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
BodyDiode-Gleichstrom
DCbodydiodeforwardcurrent Tvj = 175°C, VGS = -5 V ISD 8ATH = 75°C
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardvoltage
ISD = 25 A, VGS = -5 V
ISD = 25 A, VGS = -5 V
ISD = 25 A, VGS = -5 V
VSD
4,60
4,35
4,30
5,65
V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Datasheet 3 V2.2
2020-03-27
FF45MR12W1M1_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Nennwiderstand
Ratedresistance TNTC = 25°C R25 5,00 kΩ
AbweichungvonR100
DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %
Verlustleistung
Powerdissipation TNTC = 25°C P25 20,0 mW
B-Wert
B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K
B-Wert
B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K
B-Wert
B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 3,0 kV
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,5
6,3 mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0
5,0 mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex CTI > 200
RelativerTemperaturindex(elektr.)
RTIElec.
Gehäuse
housing RTI 140 °C
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule LsCE 18 nH
Lagertemperatur
Storagetemperature Tstg -40 125 °C
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp F 20 - 50 N
Gewicht
Weight G 24 g
The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin.
Important note: The selection of positive and negative gate-source voltages impacts the long-term behavior of the device. The design
guidlines described in Application Note AN 2018-09 must be considered to ensure sound operation of the device over the planned lifetime.
Datasheet 4 V2.2
2020-03-27
FF45MR12W1M1_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieMOSFET(typisch)
outputcharacteristicMOSFET(typical)
ID=f(VDS)
VGS=15V
VDS [V]
ID [A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
TVj = 25 °C
TVj = 125 °C
TVj = 150 °C
ÜbertragungscharakteristikMOSFET(typisch)
transfercharacteristicMOSFET(typical)
ID=f(VGS)
VDS=20V
VGS [V]
ID [A]
3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Tvj = 25 °C
SchaltzeitenMOSFET(typisch)
switchingtimesMOSFET(typical)
tdon=f(ID),tr=f(ID),tdoff=f(ID),tf=f(ID)
VGS=-5V/15V,RGon=1Ω,RGoff=1Ω,VDS=600V,Tvj=150°C
ID [A]
t [µs]
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
0,001
0,01
0,1
1
tdon
tr
tdoff
tf
SchaltzeitenMOSFET(typisch)
switchingtimesMOSFET(typical)
tdon=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tf=f(RG)
VGS=-5V/15V,ID=25A,VDS=600V,Tvj=150°C
RG [Ohm]
t [µs]
012345678910
0,001
0,01
0,1
1
tdon
tr
tdoff
tf
Datasheet 5 V2.2
2020-03-27
FF45MR12W1M1_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteMOSFET(typisch)
switchinglossesMOSFET(typical)
Eon=f(ID),Eoff=f(ID)
VGS=-5V/15V,RGon=1Ω,RGoff=1Ω,VDS=600V
ID [A]
E [mJ]
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
0,00
0,10
0,20
0,30
0,40
0,50
0,60
0,70
Eon, Tvj = 125°C, Eon, Tvj = 150°C,
Eoff, Tvj = 125°C, Eoff, Tvj = 150°C,
SchaltverlusteMOSFET(typisch)
switchinglossesMOSFET(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGS=-5V/15V,ID=25A,VDS=600V
RG [Ω]
E [mJ]
012345678910
0,00
0,10
0,20
0,30
0,40
0,50
0,60
0,70
Eon, Tvj = 125°C, Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C, Eoff, Tvj = 150°C
SichererRückwärts-ArbeitsbereichMOSFET(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaMOSFET(RBSOA)
ID=f(VDS)
VGS=-5V/15V,Tvj=150°C,RG=1Ω
VDS [V]
ID [A]
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
ID, Modul
ID, Chip
TransienterWärmewiderstandMOSFET
transientthermalimpedanceMOSFET
ZthJH=f(t)
t [s]
ZthJH [K/W]
0,001 0,01 0,1 1 10
0,001
0,01
0,1
1
10
Zth: MOSFET
i:
ri[K/W]:
τi[s]:
1
0,076
0,000603
2
0,221
0,00674
3
0,453
0,0363
4
0,79
0,161
Datasheet 6 V2.2
2020-03-27
FF45MR12W1M1_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
TNTC [°C]
R[Ω]
0 20 40 60 80 100 120 140 160
100
1000
10000
100000
Rtyp
Datasheet 7 V2.2
2020-03-27
FF45MR12W1M1_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/Circuitdiagram
J
Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
Infineon
Trademarks
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Edition 2020-03-27
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