FF45MR12W1M1_B11 EasyDUALModulmitCoolSiCTMTrenchMOSFETundPressFIT/NTC EasyDUALmodulewithCoolSiCTMTrenchMOSFETandPressFIT/NTC VorlaufigeDaten/PreliminaryData J VDSS = 1200V ID nom = 25A / IDRM = 50A PotentielleAnwendungen * AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen * DC/DCWandler * Motorantriebe * USV-Systeme PotentialApplications * HighFrequencySwitchingapplication * DC/DCconverter * Motordrives * UPSsystems ElektrischeEigenschaften * NiederinduktivesDesign * NiedrigeSchaltverluste ElectricalFeatures * Lowinductivedesign * Lowswitchinglosses MechanischeEigenschaften * IntegrierterNTCTemperaturSensor * PressFITVerbindungstechnik * Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern MechanicalFeatures * IntegratedNTCtemperaturesensor * PressFITcontacttechnology * Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.2 2020-03-27 FF45MR12W1M1_B11 VorlaufigeDaten PreliminaryData MOSFET/MOSFET HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues Drain-Source-Spannung Drain-sourcevoltage Drain-Gleichstrom DCdraincurrent GepulsterDrainstrom Pulseddraincurrent Gate-SourceSpannung Gate-sourcevoltage Tvj = 175C, VGS = 15 V 1200 V ID nom 25 A ID pulse 50,0 A -10 / 20 V Tvj = 25C VDSS TH = 75C verifiziertdurchDesign,tplimitiertdurchTvjmax verifiedbydesign,tplimitedbyTvjmax VGSS CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Einschaltwiderstand Drain-sourceonresistance ID = 25 A VGS = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage GesamtGateladung Totalgatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazitat Inputcapacitance Ausgangskapazitat Outputcapacitance Ruckwirkungskapazitat Reversetransfercapacitance COSSSpeicherenergie COSSstoredenergy Drain-Source-Reststrom Zerogatevoltagedraincurrent Gate-Source-Reststrom Gate-sourceleakagecurrent Einschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turnondelaytime,inductiveload ID=10,0mA,VDS=VGS,Tvj=25C (testedafter1mspulseatVGS=+20V) Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload Abschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turnoffdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschluverhalten SCdata Warmewiderstand,ChipbisKuhlkorper Thermalresistance,junctiontoheatsink Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C RDS on VGS(th) 3,45 typ. 45,0 59,0 66,0 max. 4,50 5,55 m V VGS = -5 V / 15 V, VDS = 600 V QG 0,062 C Tvj = 25C RGint 4,0 Ciss 1,84 nF Coss 0,11 nF Crss 0,014 nF Eoss 44,0 J IDSS 0,10 f = 1 MHz, Tvj = 25C VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV f = 1 MHz, Tvj = 25C VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV f = 1 MHz, Tvj = 25C VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV Tvj = 25C VDS = 800 V, VGS = -5 V / 15 V VDS = 1200 V, VGS = -5 V Tvj = 25C VDS = 0 V Tvj = 25C ID = 25 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGon = 1,00 ID = 25 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGon = 1,00 ID = 25 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGoff = 1,00 ID = 25 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGoff = 1,00 ID = 25 A, VDS = 600 V, L = 30 nH di/dt = 5,20 kA/s (Tvj = 150C) VGS = -5 V / 15 V, RGon = 1,00 ID = 25 A, VDS = 600 V, L = 30 nH du/dt = 41,6 kV/s (Tvj = 150C) VGS = -5 V / 15 V, RGoff = 1,00 VGS = 20 V VGS = -10 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C VGS = -5 V / 15 V, VDD = 800 V VDSmax = VDSS -LsDS *di/dt RG = 10,0 tP 2 s, Tvj = 25C tP 2 s, Tvj = 150C proMOSFET/perMOSFET TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions 120 400 IGSS 8,20 7,40 7,40 6,30 6,70 6,70 35,2 38,9 38,9 16,4 16,4 16,4 0,30 0,37 0,37 0,033 0,035 0,035 td on tr td off tf Eon Eoff A nA ns ns ns ns mJ mJ ISC 210 205 A A RthJH 1,54 K/W Tvj op -40 150 C BodyDiode/Bodydiode HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues BodyDiode-Gleichstrom DCbodydiodeforwardcurrent Tvj = 175C, VGS = -5 V TH = 75C ISD CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Durchlassspannung Forwardvoltage Datasheet min. ISD = 25 A, VGS = -5 V ISD = 25 A, VGS = -5 V ISD = 25 A, VGS = -5 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 2 VSD A 8 typ. 4,60 4,35 4,30 max. 5,65 V V2.2 2020-03-27 FF45MR12W1M1_B11 VorlaufigeDaten PreliminaryData NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100C, R100 = 493 Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 5,00 R/R -5 P25 k 5 % 20,0 mW AngabengemagultigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Modul/Module Isolations-Prufspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3 Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,5 6,3 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm CTI > 200 RTI 140 VISOL VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex RelativerTemperaturindex(elektr.) RTIElec. Gehause housing kV 3,0 min. Modulstreuinduktivitat Strayinductancemodule LsCE Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 Anpresskraft fur mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 20 Gewicht Weight G typ. C max. 18 24 nH 125 C 50 N g The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin. Important note: The selection of positive and negative gate-source voltages impacts the long-term behavior of the device. The design guidlines described in Application Note AN 2018-09 must be considered to ensure sound operation of the device over the planned lifetime. Datasheet 3 V2.2 2020-03-27 FF45MR12W1M1_B11 VorlaufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieMOSFET(typisch) outputcharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VDS) VGS=15V UbertragungscharakteristikMOSFET(typisch) transfercharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VGS) VDS=20V 50 50 TVj = 25 C TVj = 125 C TVj = 150 C 45 40 40 35 35 30 30 ID [A] ID [A] 45 Tvj = 25 C 25 25 20 20 15 15 10 10 5 5 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VDS [V] 2,5 3,0 3,5 0 4,0 SchaltzeitenMOSFET(typisch) switchingtimesMOSFET(typical) tdon=f(ID),tr=f(ID),tdoff=f(ID),tf=f(ID) VGS=-5V/15V,RGon=1,RGoff=1,VDS=600V,Tvj=150C 3 4 5 6 7 8 VGS [V] 9 10 11 12 9 10 SchaltzeitenMOSFET(typisch) switchingtimesMOSFET(typical) tdon=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tf=f(RG) VGS=-5V/15V,ID=25A,VDS=600V,Tvj=150C 1 1 tdon tr tdoff tf tdon tr tdoff tf t [s] 0,1 t [s] 0,1 0,01 0,001 0,01 0 Datasheet 5 10 15 20 25 30 ID [A] 35 40 45 50 0,001 4 0 1 2 3 4 5 6 RG [Ohm] 7 8 V2.2 2020-03-27 FF45MR12W1M1_B11 VorlaufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(ID),Eoff=f(ID) VGS=-5V/15V,RGon=1,RGoff=1,VDS=600V SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGS=-5V/15V,ID=25A,VDS=600V 0,70 0,70 Eon, Tvj = 125C, Eon, Tvj = 150C, Eoff, Tvj = 125C, Eoff, Tvj = 150C, Eon, Tvj = 125C, Eon, Tvj = 150C Eoff, Tvj = 125C, Eoff, Tvj = 150C 0,50 0,50 0,40 0,40 E [mJ] 0,60 E [mJ] 0,60 0,30 0,30 0,20 0,20 0,10 0,10 0,00 0 5 10 15 20 25 30 ID [A] 35 40 45 0,00 50 SichererRuckwarts-ArbeitsbereichMOSFET(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaMOSFET(RBSOA) ID=f(VDS) VGS=-5V/15V,Tvj=150C,RG=1 0 1 2 3 4 5 6 RG [] 7 8 9 10 TransienterWarmewiderstandMOSFET transientthermalimpedanceMOSFET ZthJH=f(t) 55 10 ID, Modul ID, Chip 50 Zth: MOSFET 45 1 40 ZthJH [K/W] ID [A] 35 30 25 0,1 20 15 0,01 10 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,076 0,221 0,453 0,79 i[s]: 0,000603 0,00674 0,0363 0,161 5 0 0 Datasheet 200 400 600 800 VDS [V] 1000 1200 1400 0,001 0,001 5 0,01 0,1 t [s] 1 10 V2.2 2020-03-27 FF45MR12W1M1_B11 VorlaufigeDaten PreliminaryData NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[] 10000 1000 100 0 Datasheet 20 40 60 80 100 TNTC [C] 120 140 160 6 V2.2 2020-03-27 FF45MR12W1M1_B11 VorlaufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/Circuitdiagram J Gehauseabmessungen/Packageoutlines Infineon Datasheet 7 V2.2 2020-03-27 Trademarks All referenced product or service names and trademarks are the property of their respective owners. Edition 2020-03-27 Published by Infineon Technologies AG 81726 Munchen, Germany (c) 2020 Infineon Technologies AG. All Rights Reserved. Do you have a question about this document? Email: erratum@infineon.com WICHTIGER HINWEIS Die in diesem Dokument enthaltenen Angaben stellen keinesfalls Garantien fur die Beschaffenheit oder Eigenschaften des Produktes ("Beschaffenheitsgarantie") dar. Fur Beispiele, Hinweise oder typische Werte, die in diesem Dokument enthalten sind, und/oder Angaben, die sich auf die Anwendung des Produktes beziehen, ist jegliche Gewahrleistung und Haftung von Infineon Technologies ausgeschlossen, einschlielich, ohne hierauf beschrankt zu sein, die Gewahr dafur, dass kein geistiges Eigentum Dritter verletzt ist. Des Weiteren stehen samtliche, in diesem Dokument enthaltenen Informationen, unter dem Vorbehalt der Einhaltung der in diesem Dokument festgelegten Verpflichtungen des Kunden sowie aller im Hinblick auf das Produkt des Kunden sowie die Nutzung des Infineon Produktes in den Anwendungen des Kunden anwendbaren gesetzlichen Anforderungen, Normen und Standards durch den Kunden. Die in diesem Dokument enthaltenen Daten sind ausschlielich fur technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Eignung dieses Produktes fur die beabsichtigte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollstandigkeit der in diesem Dokument enthaltenen Produktdaten fur diese Anwendung obliegt den technischen Fachabteilungen des Kunden. Sollten Sie von uns weitere Informationen im Zusammenhang mit dem Produkt, der Technologie, Lieferbedingungen bzw. Preisen benotigen, wenden Sie sich bitte an das nachste Vertriebsburo von Infineon Technologies (www.infineon.com). WARNHINWEIS Aufgrund der technischen Anforderungen konnen Produkte gesundheitsgefahrdende Substanzen enthalten. Bei Fragen zu den in diesem Produkt enthaltenen Substanzen, setzen Sie sich bitte mit dem nachsten Vertriebsburo von Infineon Technologies in Verbindung. Sofern Infineon Technologies nicht ausdrucklich in einem schriftlichen, von vertretungsberechtigten Infineon Mitarbeitern unterzeichneten Dokument zugestimmt hat, durfen Produkte von Infineon Technologies nicht in Anwendungen eingesetzt werden, in welchen vernunftigerweise erwartet werden kann, dass ein Fehler des Produktes oder die Folgen der Nutzung des Produktes zu Personenverletzungen fuhren. IMPORTANT NOTICE The information given in this document shall in no event be regarded as a guarantee of conditions or characteristics ("Beschaffenheitsgarantie"). With respect to any examples, hints or any typical values stated herein and/or any information regarding the application of the product, Infineon Technologies hereby disclaims any and all warranties and liabilities of any kind, including without limitation warranties of non-infringement of intellectual property rights of any third party. In addition, any information given in this document is subject to customer's compliance with its obligations stated in this document and any applicable legal requirements, norms and standards concerning customer's products and any use of the product of Infineon Technologies in customer's applications. The data contained in this document is exclusively intended for technically trained staff. It is the responsibility of customer's technical departments to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product information given in this document with respect to such application. For further information on the product, technology, delivery terms and conditions and prices please contact your nearest Infineon Technologies office (www.infineon.com). WARNINGS Due to technical requirements products may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact your nearest Infineon Technologies office. Except as otherwise explicitly approved by Infineon Technologies in a written document signed by authorized representatives of Infineon Technologies, Infineon Technologies' products may not be used in any applications where a failure of the product or any consequences of the use thereof can reasonably be expected to result in personal injury.