■外観図 OUTLINE
188 （J534）
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
'PSEFUBJMTPGPVUMJOFEJNFOTJPOTSFGFSUPPVSXFCTJUFPSUIF4FNJDPOEVDUPS
4IPSU'PSN$BUBMPH"TGPSUIFNBSLJOHSFGFSUPUIFTQFDJàDBUJPOi.BSLJOH
5FSNJOBM$POOFDUJPOu
面実装デバイス 単体型
Surface Mounting Device Single Diode
Rectifier Diode
M1F□
800V 1A
•小型SMD
• 耐湿性に優れ高信頼性
•SmallSMD
•High-Reliability
Package：M1F Unit:mm
Weight:0.027g（typ.）
■定格表 RATINGS
M1F60 M1F80 単位
Unit
℃
℃
V
A
A
V
μA
℃/W
項  目
Item
記号
Symbol 条 件
Conditions
品 名
TypeNo.
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
熱抵抗
Thermal Resistance
Tstg
Tj
VRM
IO
IFSM
VF
IR
50Hz正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj = 25℃
50Hz sine wave , Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
50Hz正弦波，抵抗負荷，Ta = 25℃
50Hz sine wave,
Resistance load, Ta = 25℃
アルミナ基板実装
On alumina substrate
パルス測定
Pulse measurement
パルス測定
Pulse measurement
IF=1A,
VR=VRM,
接合部・リード間
Junction to Lead
接合部・周囲間
Junction to Ambient
アルミナ基板実装
On alumina substrate
プリント基板実装
On glass-epoxy substrate
プリント基板実装
On glass-epoxy substrate
600 800
MAX1.1
MAX10
MAX20
MAX108
MAX186
−55〜150
150
1.0
0.64
25
θjl
θja
Feature
特長
189
（J534）
■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
＊ Sinewave は 50Hz で測定しています。
＊)[TJOFXBWFJTVTFEGPSNFBTVSFNFOUT
＊半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。
 Typical は統計的な実力を表しています。
＊4FNJDPOEVDUPSQSPEVDUTHFOFSBMMZIBWFDIBSBDUFSSJTUJDWBSJBUJPO
5ZQJDBMJTBTUBUJTUJDBMBWFSBHFPGUIFEFWJDFhTBCJMJUZ
Small SMD M1F□