D1UBA80-7062 - Shindengen - Product.Network

Bridge Diode

■外観図 OUTLINE

18 （J534）

外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下

さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。

'PSEFUBJMTPGPVUMJOFEJNFOTJPOTSFGFSUPPVSXFCTJUFPSUIF4FNJDPOEVDUPS

4IPSU'PSN$BUBMPH"TGPSUIFNBSLJOHSFGFSUPUIFTQFDJàDBUJPOi.BSLJOH

5FSNJOBM$POOFDUJPOu

面実装型

Surface Mounting Device

D1UBA80

800V 1A

•SMD

• 耐久性に優れ高信頼性

• 端子間 3.4mm

•SMD

•High-Reliability

•Pin-distance3.4mmforisolation

Package：SOPA-4 Unit:mm

Weight:0.087g（typ.）

6.2

1.6

UA80

0916

5.3

管理番号（例）

ControlNo.

品名略号

TypeNo.

ロット記号（例）

Datecode

①

②

③

④

②③

〜

−



D1UBA80 単位

Unit

℃

V

A

A2s

V

μA

℃/W

●絶対最大定格Absolute Maximum Ratings（指定のない場合Tl= 25℃／unlessotherwisespeci

項目

Item

記号

Symbol 条件

Conditions

品名

TypeNo.

保存温度

Storage Temperature

接合部温度

Operation Junction Temperature

せん頭逆電圧

Maximum Reverse Voltage

出力電流

Average Rectified Forward Current

せん頭サージ順電流

Peak Surge Forward Current

順電圧

Forward Voltage

逆電流

Reverse Current

熱抵抗

Thermal Resistance

Tstg

Tj

VRM

IO

IFSM

VF

IR

θjl

50Hz正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj = 25℃

50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃

50Hz正弦波，抵抗負荷，Ta = 25℃

50Hz sine wave,

Resistance load, Ta = 25℃

パルス測定，１素子当たりの規格値

Pulse measurement, per diode

パルス測定，１素子当たりの規格値

Pulse measurement, per diode

IF=0.4A,

VR=VRM,

接合部・リード間

Junction to Lead

接合部・周囲間

Junction to Ambient

●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（指定のない場合Tl= 25℃／unlessotherwisespeci

MAX0.95

MAX10

MAX25

MAX62.5

MAX80



−55〜150

150

800

1.0

0.8

30

3

電流二乗時間積

Current Squared Time 1ms≦t＜10ms，Tj = 25℃，



I2t

θja

アルミナ基板実装

On alumina substrate

プリント基板実装

On glass-epoxy substrate

アルミナ基板実装

On alumina substrate

プリント基板実装

On glass-epoxy substrate

１素子当たりの規格値

per diode

）

■定格表 RATINGS

Feature

特長