QS043-402-20382（2/5）
日本インター株式会社
ＩＧＢＴ
Ｍｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ
１５０ Ａ，１２００Ｖ
ＰＤＭＢ１５０ＢＳ１２
□ 回 路 図 ：
ＣＩＲＣＵＩＴ
□ 外 形 寸 法 図 ：
ＯＵＴＬＩＮＥ
ＤＲＡＷＩＮＧ
Dimension:［mm］
□ 最 大 定 格 ：
ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ
（Ｔ
Ｃ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ Ｓ
ｙ
ｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ＶＣＥＳ １，２００ Ｖ
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage ＶＧＥＳ ±２０ Ｖ
ＤＣ ＩＣ １５０
コ レ ク タ 電 流
Ｃollector Ｃurrent １ｍｓ ＩＣＰ ３００ Ａ
コ レ ク タ 損 失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ ７６５ Ｗ
接 合 温 度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃
保 存 温 度
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃
絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)
Ｉsolation Ｖoltage ＶＩＳＯ ２,５００ Ｖ（ＲＭＳ）
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink ３（３０.６）
締 め 付 け ト ル ク
Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal Ｆｔｏｒ ２（２０.４）
Ｎ・ｍ
(kgf･cm)
□ 電 気 的 特 性 ：
ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（ＴＣ＝２５℃）
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ
ｙ
ｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ
ｙｐ
. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ＩＣＥＳ Ｖ
ＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V － － ３.０ ｍＡ
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent ＩＧＥＳ Ｖ
ＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 150A,ＶＧＥ= 15V － ２.３ ２.７ Ｖ
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） Ｖ
ＣＥ= 5V,ＩＣ= 150mA ４.０ － ８.０ Ｖ
入 力 容 量
Ｉnput Ｃapacitance Ｃｉｅｓ Ｖ
ＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 8,300 － ｐＦ
上 昇 時 間 Ｒise Ｔime ｔｒ － ０.２５ ０.４５
ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime ｔｏｎ － ０.４０ ０.７０
下 降 時 間 Ｆall Ｔime ｔｆ － ０.２５ ０.３５
スイッチング時間
Ｓwitching Ｔime
ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime ｔｏｆｆ
ＶＣＣ= 600V
ＲL= 4.0Ω
ＲG= 10.0Ω
ＶＧＥ= ±15V － ０.８０ １.１０
μｓ
□フリーホイーリングダイオードの 特 性：
ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（ＴＣ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ Ｓ
ｙ
ｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ
ＤＣ Ｉ
Ｆ
１５０ Ａ 順 電 流
Ｆorward Ｃurrent １ｍｓ ＩＦＭ ３００
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ
ｙ
ｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ
ｙｐ
. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
順 電 圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage ＶＦ Ｉ
Ｆ= 150A,ＶＧＥ= 0V － ２．２ ２.６ Ｖ
逆 回 復 時 間
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime ｔｒｒ ＩＦ= 150A,ＶＧＥ= -10V
ｄi/ｄt= 300A/μs － ０.２ ０.３ μｓ
□ 熱 的 特 性 ：
ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ
ｙ
ｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ
ｙｐ
. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
ＩＧＢＴ － － ０.１６３ 熱 抵 抗
Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｒth(j-c) Junction to Case
（Tc測定点チップ直下） － － ０.３２７ ℃／Ｗ
7(G2)
6(E2)
5(E1)
4(G1)
(C1)
3
(E2)
2
(C2E1)
1
2-Ø6.5
23.0 23.0 17.0
418.0 4
3-M5
16.0
±0.25
14.0
48.0
12.0
12.0
12.0 11.0
11.0
80
94.0
1237
6
5
4
30+1.0
- 0.5
14 914 914
4-fasten tab
#110 t=0.5
7.5
21.2
7
LABEL
QS043-402-20382（3/5）
日本インター株式会社
ＰＤＭＢ１５０ＢＳ１２
012345
0
50
100
150
200
250
300
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Collector Current I C (A)
Fig.1- Output Characteristics (Typical)
TC=25°C
11V
10V
VGE=20V
8V
7V
12V
15V
9V
012345
0
50
100
150
200
250
300
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Collector Current I C (A)
Fig.2- Output Characteristics (Typical)
TC=125°C
11V
10V
VGE=20V
8V
7V
12V
15V
9V
048121620
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
Fig.3- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
TC=25°C
IC=75A 300A
150A
048121620
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
Fig.4- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
IC=75A 300A
TC=125°C
150A
0 200 400 600 800 1000
0
100
200
300
400
500
600
700
800
Total Gate Charge Qg (nC)
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
Fig.5- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VCE=600V
400V
200V
RL=4.0(
TC=25°C
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200
30
100
300
1000
3000
10000
30000
100000
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Capacitance C (pF)
Fig.6- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
Cies
Coes
Cres
VGE=0V
f=1MHZ
TC=25°C
QS043-402-20382（4/5）
日本インター株式会社
ＰＤＭＢ１５０ＢＳ１２
0 25 50 75 100 125 150
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
Collector Current IC (A)
Switching Time t (µs)
Fig.7- Collector Current vs. Switching Time (Typical)
tOFF
tf
tr(VCE)
tON
VCC=600V
RG=10(
VGE=±15V
TC=25°C
Resistive Load
10 30 100
0.1
0.3
1
3
10
Series Gate Impedance RG (()
Switching Time t (µs)
Fig.8- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical)
VCC=600V
IC=150A
VGE=±15V
TC=25°C
Resistive Load
tf
tr(VCE)
ton
toff
0 20 40 60 80 100 120 140 160
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
Collector Current IC (A)
Switching Time t (µs)
Fig.9- Collector Current vs. Switching Time
tOFF
tf
tr(Ic)
tON
VCC=600V
RG=10(
VGE=±15V
TC=125°C
Inductive Load
10 30 1005
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
Series Gate Impedance RG (()
Switching Time t (µs)
Fig.10- Series Gate Impedance vs. Switching Time
VCC=600V
IC=150A
VGE=±15V
TC=125°C
Inductive Load
tf
tr(IC)
ton
toff
0 50 100 150 200
0
10
20
30
40
Collector Current IC (A)
Switching Loss ESW (mJ/Pulse)
Fig.11- Collector Current vs. Switching Loss
EOFF
EON
VCC=600V
RG=10(
VGE=±15V
TC=125°C
Inductive Load
ERR
10 30570
3
10
30
100
200
Series Gate Impedance RG (()
Switching Loss ESW (mJ/Pulse)
Fig.12- Series Gate Impedance vs. Switching Loss
EOFF
EON
VCC=600V
IC=150A
VGE=±15V
TC=125°C
Inductive Load
ERR
QS043-402-20382（5/5）
日本インター株式会社
ＰＤＭＢ１５０ＢＳ１２
01234
0
50
100
150
200
250
300
Forward Voltage VF (V)
Forward Current I F (A)
Fig.13- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
(Typical)
TC=25°C TC=125°C
0 600 1200 1800
10
30
100
300
1000
-di/dt (A/µs)
Peak Reverse Recovery Current I RrM (A)
Reverse Recovery Time trr (ns)
Fig.14- Reverse Recovery Characteristics (Typical)
IRrM
trr
IF=150A
TC=25°C
TC=125°C
10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 110
1
5x10-4
1x10 -3
2x10 -3
5x10 -3
1x10 -2
2x10 -2
5x10 -2
1x10 -1
2x10 -1
5x10 -1
1
Time t (s)
Transient Thermal Impedance Rth (J-C) (°C/W)
Fig.16- Transient Thermal Impedance
TC=25°C
1 Shot Pulse
FRD
IGBT
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
Collector Current I C (A)
Fig.15- Reverse Bias Safe Operating Area (Typical)
RG=10(, VGE=±15V, TC=125°C
