D950N22K - Infineon Technologies

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

Datenblatt / Data sheet

D950N

IFBIP D AEC / 2010-01-20, H.Sandmann A 12/10 1/8

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Kenndaten

Elektrische Eigenschaften

Thermische Eigenschaften

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak reverse voltages

Tvj = -40°C... Tvj max

VRRM

1800

2200

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

FRMSM 1450 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

TC = 100 °C

IFAVM 950 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms IFAVM 1240 A

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

FRMS 1950 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms

Tvj = Tvj max tP = 10 ms

IFSM 12800

10250

Grenzlastintegral

I²t-value

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms

Tvj = Tvj max, tP = 10 ms

I²t 819

525

10³A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

Tvj = Tvj max , iF = 2,8 kA

Tvj = Tvj max , iF = 650 A

max.

2,10

1,12

Schleusenspannung

threshold voltage

Tvj = Tvj max V

(TO) 0,7 V

Ersatzwiderstand

slope resistance

Tvj = Tvj max r

T 0,5 mΩ

Durchlaßkennlinie 200 A ≤ iF ≤ 4000 A

on-state characteristic

FFF iD)1i(lnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=

Tvj = Tvj max A=

5,630E-01

3,660E-04

3,066E-03

9,626E-03

Sperrstrom

reverse current

Tvj = Tvj max , vR = VRRM

iR max. 40 mA

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, θ = 180°sin

Anode / anode, DC

Kathode / cathode, θ = 180°sin

Kathode / cathode, DC

RthJC

max.

0,045

0,041

0,081

0,077

0,092

0,088

°C/W

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

einseitig / single-sided

RthCH

max.

0,01

0,02

°C/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

Tvj max 180 °C

Betriebstemperatur

operating temperature

c op -40...+180 °C

Lagertemperatur

storage temperature Tstg -40...+180 °C

prepared by: H.Sandmann date of publication: 2010-01-20

approved by: M.Leifeld revision: 3.1

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Mechanische Eigenschaften

Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in

Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging

technical notes.

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see annex

Seite 3

page 3

Si-Element mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft

clamping force

F 6...12 kN

Gewicht

weight

G typ. 82 g

Kriechstrecke

creepage distance

10 mm

Schwingfestigkeit

vibration resistance

f = 50 Hz 50 m/s²

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Maßbild

1: Anode/

Anode

2: Kathode/

Cathode

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Transienter Wärmewiderstand

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC

Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC

Kühlung /

Cooling Pos. n 1 2 3 4 5 6 7

Rthn [°C/W] 0,000138 0,003592 0,00447 0,0105 0,0223 - -

beidseitig

two-sided τn [s] 0,000133 0,001560 0,01010 0,0736 0,3750 - -

Rthn [°C/W]

0,000138

0,003452

0,00365

0,01146

0,0165

0,0418

anodenseitig

anode-sided τn [s]

0,000133

0,001530

0,00790

0,06080

0,3230

3,0300

Rthn [°C/W]

0,000138

0,003692

0,00505

0,01588

0,06324

- -

kathodenseitig

cathode-sided τn [s]

0,000133

0,001570

0,01180

0,10200

1,96000

- -

Analytische Funktion / Analytical function: Σ

−

max

n=1 thnthJC n

-t

e1RZ

0,00

0,01

0,02

0,03

0,04

0,05

0,06

0,07

0,08

0,09

0,10

0,001 0,01 0,1 1 10 100

t [s]

thJC [°C/W]

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC

Z thJC = f(t)

a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

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Diagramme

Durchlasskennlinie

Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ

Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ

∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin

Kühlung / Cooling Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30°

∆Zth Θ rec

[°C/W]

0,00678

0,01172

0,01578

0,02212

0,03313

beidseitig

two-sided ∆Zth Θ sin

[°C/W]

0,00370

0,00582

0,00895

0,01469

0,02631

∆Zth Θ rec

[°C/W]

0,00448

0,00759

0,00985

0,01292

0,01725

anodenseitig

anode-sided ∆Zth Θ sin

[°C/W]

0,00334

0,00489

0,00693

0,01005

0,01518

∆Zth Θ rec

[°C/W]

0,00448

0,00759

0,00985

0,01292

0,01725

kathodenseitig

cathode-sided ∆Zth Θ sin

[°C/W]

0,00334

0,00489

0,00693

0,01005

0,01518

Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec

Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin

500

1.000

1.500

2.000

2.500

3.000

3.500

4.000

0,5 1 1,5 2 2,5 3

VF [V]

iF [A]

Tvj= Tvj max

Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)

Tvj = Tvj max

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Durchlassverluste

Tc beidseitig

500

1000

1500

2000

2500

0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600

IFAV [A]

PFAV [W]

Parameter:

a - DC

b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)

c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)

d - rec 60°el (M 6)

e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

Durchlassverlustleistung / On-state power loss PFAV = f(IFAV)

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

100

120

140

160

180

0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600

I FAV [A]

C [°C]

Parameter:

a - DC

b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)

c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)

d - rec 60°el (M 6)

e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAV)

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

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Qr Diagramm

100

1000

10000

0,1 1 10 100

-di/dt [A/µs]

Qr [µAs]

iFM =

1600A

800A

400A

200A

100A

50A

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge

Qr =f(-di/dt)

Tvj= Tvjmax , vR ≤ 0,5 VRRM , vRM = 0,8 VRRM

RC-Glied / RC-Network: R = 5,6Ω, C = 0,68µF

0-50V

0,33 VRRM

0,67 VRRM

1 3 5 7 9 1113151719

Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen

Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves

IF(OV)M [kA]

Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IF(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus

Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM

Typical dependency of maximum overload on-state current IF(OV)M as a number of a sequence of

sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM

IF(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvj max

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Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden

Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend

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