Semiconductor Group 1 1997-11-01
GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen
GaAs Infrared Emitter Arrays
Wesentliche Merkmale
●GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
●Hohe Zuverlässigkeit
●Gehäusegleich mit BPX 80-Serie
Anwendungen
●Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
●Lochstreifenleser
●Industrieelektronik
●“Messen/Steuern/Regeln”
Features
●GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
●High reliability
●Same package as BPX 80 series
Applications
●Miniature photointerrupters
●Punched tape-readers
●Industrial electronics
●For control and drive circuits
LD 260
LD 262 ... LD 269
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
fez06365feo06367
GEO06367
7.4
7.0
0.7
0.6
Collector (BPX 83)
Cathode (LD 263)
2.54 mm
spacing 1.5
2.1
2.7
2.5
3.2
3.6
3.0
3.5
1.9
1.7
position
Chip
0.25
0.15
0... 5
1.4
1.0
A
0.4
0.4
0.5
A
Semiconductor Group 2 1997-11-01
LD 260
LD 262 ... LD 269
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
Typ
Type
IRED
pro Zeile
per Row
Maß “A”
Dimension “A”
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
min. max.
LD 262 2 4.5 4.9 Q62703-Q70 Zeilenbauform, Leiterbandgehäuse,
klares Epoxy-Gießharz, linsenförmig,
Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’),
Kathodenkennzeichnung:
Nase am Lötspieß
Lead frame arrays, transparent epoxy
resin lens, solder tabs, lead spacing
2.54 mm (1/10’’), cathode marking:
projection at solder lead
LD 263 3 7 7.4 Q62703-Q71
LD 264 4 9.6 10 Q62703-Q72
LD 265 5 12.1 12.5 Q62703-Q73
LD 266 6 14.6 15 Q62703-Q74
LD 267 7 17.2 17.6 Q62703-Q75
LD 268 8 19.7 20.1 Q62703-Q76
LD 269 9 22.3 22.7 Q62703-Q77
LD 260 10 24.8 25.2 Q62703-Q78
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 40 ... + 80 °C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature Tj80 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR5V
Durchlaßstrom
Forward current IF50 mA
Stoßstrom, τ≤10 µs, D = 0
Surge current IFSM 1.6 A
Verlustleistung
Power dissipation Ptot 70 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance RthJA
RthJL
750
650 K/W
K/W
LD 260
LD 262 ... LD 269
Semiconductor Group 3 1997-11-01
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
IF = 50 mA, tp = 20 ms
λpeak 950 nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax
Spectral bandwidth at 50 % of Imax
IF = 50 m A, tp = 20 ms
∆λ 55 nm
Abstrahlwinkel
Half angle ϕ±15 Grad
deg.
Aktive Chipfläche
Active chip area A0.25 mm2
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area L×B
L×W0.5 ×0.5 mm
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip surface to lens top H1.3 ... 1.9 mm
Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10%, bei IF = 50 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %, IF = 50 mA, RL = 50 Ω
tr,tf1µs
Kapazität, VR = 0 V
Capacitance Co40 pF
Durchlaßspannung, IF = 50 mA, tp = 20 µs
Forward voltage VF1.25 (≤ 1.4) V
Sperrstrom, VR = 5 V
Reverse current IR0.01 (≤ 1)µA
Gesamtstrahlungsfluß, IF = 50 mA, tp = 20 ms
Total radiant flux Φe9mW
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
IF = 50 mA
Temperature coefficient of Ie or Φe,
IF = 50 mA
TCI– 0.55 %/K
Temperaturkoeffizient von VF,IF = 50 mA
Temperature coefficient of VF,IF = 50 mA TCV– 1.5 mV/K
Temperaturkoeffizient von λpeak,IF = 50 mA
Temperature coefficient of λpeak,IF = 50 mA TCλ0.3 nm/K
Strahlstärke, IF = 50 mA, tp = 20 ms
Radiant intensity Ietyp. 5 (≥2.5) mW/sr
Semiconductor Group 4 1997-11-01
LD 260
LD 262 ... LD 269
Relative spectral emission
Irel =f(λ)
Forward current
IF=f(VE), single pulse, tp = 20 µs
OHRD1938
λ
rel
Ι
0880 920 960 1000
nm
1060
20
40
60
80
%
100
V
OHR01042
F
F
Ι
1
1
10
0
10
-1
10
10
-2
A
1.5 2 2.5 3 3.5 4 V 4.5
max.
typ.
Radiant intensity
Single pulse, tp = 20 µs
Permissible pulse handling capability
IF=f(τ), TC = 25 °C,
duty cycle D = parameter
Ie
Ie100 mA = f(IF)
Ι
OHR01039
F
-1
10
10
0
1
10
2
10
10
-2 -1
10
0
10 A 10
1
Ι
e
Ι
e
(100 mA)
10
Ι
F
OHR02182
τ
1
2
10
3
10
4
10
mA
-5
10 10
-4 -3
10
-2
10
-1
10
0
10s
T
τ
=
D
F
Ι
T
τ
DC
0,5
0,2
0,1
0,05
0
0,005
0,01
0,02
=
D
Max. permissible forward current
IF=f(TA)
T
OHR01124
A
0
F
Ι
0 20406080100C
mA
10
20
30
40
50
60
70
80
T
L
,
R
thJL
= 650 K/W
= 750 K/W
thJA
R
Radiation characteristics Irel =f (ϕ)
OHR01878
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
100
90
80
70
60
50
0
10203040
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
