Bridge Diode
シングルインライン型
Single In-line Package
■外観図OUTLINE
44 J534
特長
D2SBA
800V 2A
•薄型S
IP パッケージ
IFSM
•Thin-SIP
•LargeIFSM
Package2S Unit:mm
Weight:2g(typ.)
Class
級表示(例)
ロット記 (例)
Datecode
品名
TypeNo.
①③
+
〜〜
20
D2SB
60A 8N
3.5
11
13.5
①③
D2SB60A D2SB80A 単位
Unit
℃
℃
V
A
A
A2s
V
μA
℃/W
●絶対最大定格Absolute Maximum Ratings指定のない場合Tl =25℃/unlessotherwisespeci
項  目
Item
記号
Symbol 条 件
Conditions
品 名
TypeNo.
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
熱抵抗
Thermal Resistance
Tstg
Tj
VRM
IO
IFSM
VF
IR
50Hz正弦波,非繰り返し1サイクルせん頭値,Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
50Hz正弦波,抵抗負荷
50Hz sine wave, Resistance load
パルス測定,1素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
パルス測定,1素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
IF=1A,
VR=VRM,
接合部・リード間
Junction to Lead
接合部・周囲間
Junction to Ambient
●電気的・熱的特性Electrical Characteristics指定のない場合Tl =25℃/unlessotherwisespeci
MAX0.95
MAX10
MAX10
MAX47
−40〜150
150
2
1.5
120
60
電流二乗時間積
Current Squared Time 1ms≦t<10ms,Tj = 25℃,
I2t
Tl= 115℃
Ta = 25℃
600 800
θjl
θja
1素子当たりの規格値
per diode
■定格表RATINGS
Feature
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
'PSEFUBJMTPGPVUMJOFEJNFOTJPOTSFGFSUPPVSXFCTJUFPSUIF4FNJDPOEVDUPS
4IPSU'PSN$BUBMPH"TGPSUIFNBSLJOHSFGFSUPUIFTQFDJàDBUJPOi.BSLJOH
5FSNJOBM$POOFDUJPOu
45
J534
■特性図CHARACTERISTIC DIAGRAMS
Sinewave 50Hz で測定しています。
)[TJOFXBWFJTVTFEGPSNFBTVSFNFOUT
*半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。
 Typical は統計的な実力を表しています。
4FNJDPOEVDUPSQSPEVDUTHFOFSBMMZIBWFDIBSBDUFSSJTUJDWBSJBUJPO
5ZQJDBMJTBTUBUJTUJDBMBWFSBHFPGUIFEFWJDFhTBCJMJUZ
D2SBA
Thin SIP Bridge