Bridge Diode
シングルインライン型
Single In-line Package
■外観図 OUTLINE
44 (J534)
特長
D2SB□A
800V 2A
•薄型S
IP パッケージ
•高IFSM
•Thin-SIP
•LargeIFSM
Package:2S Unit:mm
Weight:2g(typ.)
Class
級表示(例)
ロット記 号(例)
Datecode
品名
TypeNo.
①③④②
+−
〜〜
20
D2SB
60A 8N
3.5
11
13.5
①③④②
+〜〜−
D2SB60A D2SB80A 単位
Unit
℃
℃
V
A
A
A2s
V
μA
℃/W
●絶対最大定格Absolute Maximum Ratings(指定のない場合Tl =25℃/unlessotherwisespeci
項 目
Item
記号
Symbol 条 件
Conditions
品 名
TypeNo.
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
熱抵抗
Thermal Resistance
Tstg
Tj
VRM
IO
IFSM
VF
IR
50Hz正弦波,非繰り返し1サイクルせん頭値,Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
50Hz正弦波,抵抗負荷
50Hz sine wave, Resistance load
パルス測定,1素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
パルス測定,1素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
IF=1A,
VR=VRM,
接合部・リード間
Junction to Lead
接合部・周囲間
Junction to Ambient
●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics(指定のない場合Tl =25℃/unlessotherwisespeci
MAX0.95
MAX10
MAX10
MAX47
−40〜150
150
2
1.5
120
60
電流二乗時間積
Current Squared Time 1ms≦t<10ms,Tj = 25℃,
I2t
Tl= 115℃
Ta = 25℃
600 800
θjl
θja
1素子当たりの規格値
per diode
)
)
■定格表 RATINGS
Feature
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
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