Semiconductor Group 1 1997-11-01
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter SFH 409
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Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code Gehäuse
Package
SFH 409 Q62702-P860 3-mm-LED-Gehäuse (T 1), grau eingefärbt, An-
schlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’),
Kathodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß
3 mm LED package (T 1), grey-colored epoxy resin,
solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’),
cathode marking: short lead
SFH 409-11) Q62702-P1001
SFH 409-2 Q62702-P1002
Wesentliche Merkmale
●GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
●Hohe Zuverlässigkeit
●Hohe Impulsbelastbarkeit
●Gruppiert lieferbar
●Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487
Anwendungen
●Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
●IR Fernsteuerungen
Features
●GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
●High reliability
●High pulse handling capability
●Available in groups
●Same package as SFH 309, SFH 487
Applications
●Photointerrupters
●IR remote control of various equipment
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
1.8
1.229
27 6.3
5.9
(3.5)
4.1
3.9
5.2
4.5
2.54 mm
spacing
ø3.1
ø2.9
0.8
0.4
0.6
0.4 4.0
3.6
0.6
0.4
Approx. weight 0.3 g
Chip position
Area not flat
GEX06250
0.7
0.4
Cathode
Anode (SFH 487)
(SFH 409)
fex06250
Semiconductor Group 2 1997-11-01
SFH 409
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 55 ... + 100 °C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature Tj100 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR5V
Durchlaßstrom
Forward current IF100 mA
Stoßstrom, τ≤10 µs, D = 0
Surge current IFSM 3A
Verlustleistung
Power dissipation Ptot 165 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance RthJA 450 K/W
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
IF = 100 mA, tp = 20 ms
λpeak 950 nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax
Spectral bandwidth at 50 % of Imax
IF = 100 m A, tp = 20 ms
∆λ 55 nm
Abstrahlwinkel
Half angle ϕ± 20 Grad
deg.
Aktive Chipfläche
Active chip area A0.09 mm2
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area L×B
L×W0.3 ×0.3 mm
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip surface to lens top H2.6 mm
Kapazität, VR = 0 V
Capacitance Co25 pF
SFH 409
Semiconductor Group 3 1997-11-01
Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Grouping of radiant intensity Ie in axial direction
at a solid angle of Ω = 0.01 sr
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Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω
tr,tf1µs
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 µsVF
VF
1.30 (≤ 1.5)
1.9 (≤ 2.5) V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
IR0.01 (≤ 1)µA
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Φe15 mW
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
IF = 100 mA
Temperature coefficient of Ie or Φe,
IF = 100 mA
TCI– 0.55 %/K
Temperaturkoeffizient von VF,IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF,IF = 100 mA TCV– 1.5 mV/K
Temperaturkoeffizient von λpeak,IF = 100 mA
Temperature coefficient of λpeak,IF = 100 mA TCλ+ 0.3 nm/K
Bezeichnung
Description Symbol Werte
Values Einheit
Unit
SFH 409 SFH 409-11) SFH 409-2
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 µsIe
Ie typ.
≥6.3
–6.3 ... 12.5
75 >10
120 mW/sr
mW/sr
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Semiconductor Group 4 1997-11-01
SFH 409
Relative spectral emission
Irel =f(λ)
Forward current
IF=f(VF), single pulse, tp = 20 µs
OHR01938
λ
rel
Ι
0880 920 960 1000
nm
1060
20
40
60
80
%
100
V
OHR01041
F
F
Ι
1
1
10
0
10
-1
10
10
-2
A
1.5 2 2.5 3 3.5 4 V 4.5
max.
typ.
Radiant intensity
Single pulse, tp = 20 µs
Permissible pulse handling capability
IF=f(τ), TA = 25 °C,
duty cycle D = parameter
Ie
Ie100 mA = f(IF)
Ι
OHR00864
F
-1
10 10
-2 -1
10
0
10 A 10
1
10
0
mA)(100
e
Ι
e
Ι
10
1
τ
OHR00865
-5
10
10
2
Ι
F
10
3
10
4
5
DC
0.2
0.5
0.1
0.005
0.01
0.02
0.05
T
Ι
F
T
D
=
5
mA
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10s
D
=
ττ
Max. permissible forward current
IF=f(TA)
OHR00883
0
F
Ι
0
20
40
60
80
100
120
20 40 60 80 100 120
mA
˚C
T
A
= 450 K/W
thjA
R
Radiation characteristics Irel =f(ϕ)
OHR01887
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
100
90
80
70
60
50
0
10203040
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
