D1030N18T - Infineon Technologies AG

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

Datenblatt / Data sheet

D1030N

IFBIP D AEC, 2008-09-15, H.Sandmann A 47/08 1/8

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Kenndaten

Elektrische Eigenschaften

Thermische Eigenschaften

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak reverse voltages

Tvj = -25°C... Tvj max

VRRM

2200

2400

2600

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

FRMSM 2040 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

TC = 100 °C

IFAVM 1030 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms IFAVM 1490 A

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

FRMS 2340 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

Tvj =25 °C, tP = 10 ms

Tvj = Tvj max tP = 10 ms

IFSM 17000

14500

Grenzlastintegral

I²t-value

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms

Tvj = Tvj max, tP = 10 ms

I²t 1445

1051

10³A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

Tvj = Tvj max , iF = 4,0 kA

Tvj = Tvj max , iF = 1,0 kA

max.

2,05

1,11

Schleusenspannung

threshold voltage

Tvj = Tvj max V

(TO) 0,82 V

Ersatzwiderstand

slope resistance

Tvj = Tvj max r

T 0,28 mΩ

Durchlaßkennlinie 300 A ≤ iF ≤ 5000 A

on-state characteristic

FFF iD)1i(lnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=

Tvj = Tvj max A=

3,973E-01

2,062E-04

3,005E-02

9,271E-03

Sperrstrom

reverse current

Tvj = Tvj max , vR = VRRM i

R max. 40 mA

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, θ = 180°sin

Anode / anode, DC

Kathode / cathode, θ = 180°sin

Kathode / cathode, DC

RthJC

max.

0,038

0,035

0,064

0,061

0,085

0,082

°C/W

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

einseitig / single-sided

RthCH

max.

0,005

0,010

°C/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

Tvj max 160 °C

Betriebstemperatur

operating temperature

c op -40...+160 °C

Lagertemperatur

storage temperature Tstg -40...+160 °C

prepared by: H.Sandmann date of publication: 2008-09-15

approved by: M.Leifeld revision: 3.0

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Mechanische Eigenschaften

Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in

Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging

technical notes.

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see annex

Seite 3

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Si-Element mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft

clamping force

F 10...24 kN

Gewicht

weight

G typ. 285 g

Kriechstrecke

creepage distance

25 mm

Schwingfestigkeit

vibration resistance

f = 50 Hz 50 m/s²

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Maßbild

1: Anode/

Anode

2: Kathode/

Cathode

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Transienter Wärmewiderstand

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC

Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC

Kühlung /

Cooling Pos. n 1 2 3 4 5 6 7

Rthn [°C/W] 0,000170 0,003380 0,00429 0,01310 0,01406 - -

beidseitig

two-sided τn [s] 0,000272 0,002610 0,04170 0,17300 0,99900 - -

Rthn [°C/W]

0,000221

0,003179

0,00357

0,01713

0,03690

- -

anodenseitig

anode-sided τn [s]

0,000330

0,002600

0,02970

0,18200

5,83000

- -

Rthn [°C/W]

0,000218

0,003052

0,00216

0,01690

0,00537

0,0543

kathodenseitig

cathode-sided τn [s]

0,000328

0,002540

0,01790

0,14600

6,65000

6,8200

Analytische Funktion / Analytical function: Σ

−

max

n=1 thnthJC n

-t

e1RZ

0,00

0,02

0,04

0,06

0,08

0,10

0,001 0,01 0,1 1 10 100

t [s]

Z thJC [°C/W]

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC

Z thJC = f(t)

a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

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Diagramme

Durchlasskennlinie

Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ

Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ

∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin

Kühlung / Cooling Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30°

∆Zth Θ rec

[°C/W]

0,00437

0,00762

0,01014

0,01377

0,01948

beidseitig

two-sided ∆Zth Θ sin

[°C/W]

0,00277

0,00429

0,00642

0,00983

0,01588

∆Zth Θ rec

[°C/W]

0,00436

0,00756

0,01005

0,01364

0,01944

anodenseitig

anode-sided ∆Zth Θ sin

[°C/W]

0,00276

0,00424

0,00631

0,00963

0,01570

∆Zth Θ rec

[°C/W]

0,00436

0,00749

0,01002

0,01360

0,01940

kathodenseitig

cathode-sided ∆Zth Θ sin

[°C/W]

0,00276

0,00423

0,00629

0,00960

0,01567

Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec

Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin

Tvj = Tvj max

1.000

2.000

3.000

4.000

5.000

6.000

0,7 0,9 1,1 1,3 1,5 1,7 1,9 2,1 2,3 2,5

VF [V]

iF [A]

Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)

Tvj = Tvj max

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Durchlassverluste

Tc beidseitig

500

1000

1500

2000

2500

3000

0 500 1000 1500 2000 2500

IFAV [A]

PFAV [W]

Parameter:

a - DC

b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)

c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)

d - rec 60°el (M 6)

e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

Durchlassverlustleistung / On-state power loss PFAV = f(IFAV)

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

d bef

100

120

140

160

180

0 500 1000 1500 2000 2500

I FAV [A]

T C [°C]

Parameter:

a - DC

b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)

c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)

d - rec 60°el (M 6)

e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAV)

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

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Qr Diagramm

100

1000

10000

0,1 1 10 100

-di/dt [A/µs]

Qr [µAs]

iFM =

1600A

800A

400A

200A

100A

50A

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge

Qr =f(-di/dt)

Tvj= Tvjmax , vR ≤ 0,5 VRRM , vRM = 0,8 VRRM

RC-Glied / RC-Network: R = 3,9Ω, C = 1µF

0-50V

0,33 VRRM

0,67 VRRM

1 3 5 7 9 1113151719

Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen

Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves

IF(OV)M [kA]

Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IF(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus

Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM

Typical dependency of maximum overload on-state current IF(OV)M as a number of a sequence of

sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM

IF(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvj max

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- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

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- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend

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