2012-05-21 1
201 2- 05- 2 1
High Power Infrared Emitter (850 nm)
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
Version 1.0 / acc. to: OS-PCN-2009-021-A2
SFH 4850 E7800
Features: Besondere Merkmale:
• High Power Infrared LED • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
• Anode is electrically connected to the case • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden
verbunden
• Short switching times • Kurze Schaltzeiten
• Very high radiance • Sehr hohe Strahldichte
• DIN humidity category in acc. with DIN 40 040 GQG • Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQG
Applications Anwendungen
•Sensor technology •Sensorik
• Light curtains • Lichtgitter
Notes Hinweise
Depending on the mode of operation, these devices
emit highly concentrated non visible infrared light
which can be hazardous to the human eye. Products
which incorporate these devices have to follow the
safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC
62471.
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare
Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das
menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese
Bauteile enthalten, müssen gemäß den
Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und
62471 behandelt werden.
ATTENTION -Observe Precautions For Handling
-Electrostatic Sensitive Device
ATTENTION -Observe Precautions For Handling
-Electrostatic Sensitive Device
2012-05-21 2
Version 1.0 / acc. to: OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4850 E7800
Ordering Information
Bestellinformation
Maximum Ratings (TC = 25 °C)
Grenzwerte
Type: Radiant Intensity Ordering Code
Typ: Strahlstärke Bestellnummer
IF= 100 mA, tp= 20 ms
Ie [mW/sr]
SFH 4850 E7800 10 (≥ 4) Q65110A2093
Note: measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Anm:: gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Operation and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Top; Tstg -40 ... 80 °C
Reverse voltage
Sperrspannung
VR5V
Forward current
Durchlassstrom
IF200 mA
Surge current
Stoßstrom
(tp ≤ 10 μs, D = 0)
IFSM 1A
Total power dissipation
Verlustleistung
Ptot 470 mW
Thermal resistance junction - ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung
RthJA 450 K / W
Thermal resistance junction - case
Wärmewiderstand Sperrschicht - Gehäuse
RthJC 160 K / W
Version 1.0 / acc. to: OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4850 E7800
2012-05-21 3
Characteristics (TA = 25 °C)
Kennwerte
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Emission wavelength
Zentrale Emissionswellenlänge
(IF = 100 mA, tp = 20 ms)
λpeak 860 nm
Centroid Wavelength
Schwerpunktwellenlänge der Strahlung
(IF = 100 mA, tp = 20 ms)
λcentroid 850 nm
Spectral bandwidth at 50% of Imax
Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax
(IF = 100 mA, tp = 20 ms)
Δλ 30 nm
Half angle
Halbwinkel
ϕ± 23 °
Active chip area
Aktive Chipfläche
A0.09mm
2
Dimensions of active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
L x W 0.3 x 0.3 mm x
mm
Rise and fall time of Ie ( 10% and 90% of Ie max)
Schaltzeit von Ie ( 10% und 90% von Ie max)
(IF = 100 mA, RL = 50 Ω)
tr, tf12 ns
Forward voltage
Durchlassspannung
(IF = 100 mA, tp = 20 ms)
VF1.5 (≤ 1.8) V
Forward voltage
Durchlassspannung
(IF = 1 A, tp = 100 μs)
VF2.4 (≤ 3) V
Reverse current
Sperrstrom
(VR = 5 V)
IRnot designed for
reverse operation
µA
Total radiant flux
Gesamtstrahlungsfluss
(IF= 100 mA, tp= 20 ms)
Φe70 mW
2012-05-21 4
Version 1.0 / acc. to: OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4850 E7800
Grouping (TA = 25 °C)
Gruppierung
Temperature coefficient of Ie or Φe
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe
(IF = 100 mA, tp = 20 ms)
TCI-0.5 % / K
Temperature coefficient of VF
Temperaturkoeffizient von VF
(IF = 100 mA, tp = 20 ms)
TCV-0.7 mV / K
Temperature coefficient of wavelength
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
(IF = 100 mA, tp = 20 ms)
TCλ0.3 nm / K
Group Min Radiant Intensity Max Radiant Intensity Typ Radiant Intensity
Gruppe Min Strahlstärke Max Strahlstärke Typ Strahlstärke
IF= 100 mA, tp= 20 ms IF= 100 mA, tp= 20 ms
Ie, min [mW / sr] Ie, max [mW / sr] Ie, typ [mW / sr]
SFH 4850 E7800-P 4 8 50
SFH 4850 E7800-Q 6.3 12.5 75
SFH 4850 E7800-R 10 20 120
Note: Only one group in one packing unit (variation lower 2:1).
An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle
(diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4.0 mm). This ensures that solely
the radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement
of the radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These
reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection
switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by
apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful
values. This aperture measurement is denoted by "E 7800" added to the type designation.
Anm.: Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1).
Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil
(Durchmesser der Lochblende: 1,1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4,0 mm). Dadurch wird
sichergestellt, dass bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die
direkt von der Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende
Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der
Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z. B. Lichtschranken großer Reichweite). In der Anwendung
werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses der
Anwendung entsprechende Messverfahren ergibt sich für die Anwender eine besser verwertbare Größe.
Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag "E 7800", der an die Typenbezeichnung
angehängt ist.
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Version 1.0 / acc. to: OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4850 E7800
2012-05-21 5
Relative Spectral Emission
Relative spektrale Emission
Irel = f(λ), TA = 25°C
Radiant Intensity
Strahlstärke
Ie / Ie(100 mA) = f(IF), single pulse, tp = 25 µs
Max. Permissible Forward Current
Max. zulässiger Durchlassstrom
IF, max = f(TA)
Forward Current
Durchlassstrom
IF = f(VF), single pulse, tp = 100 µs, TA= 25°C
700
0nm
%
OHF04132
20
40
60
80
100
950750 800 850
I
rel
λ
OHL01715
10-3
mA
101
0
10
5
5
10-1
-2
5
10
e
e (100 mA)
I
I
I
F
0
10 1
10 2
10 3
1055
40200
01008060 ˚C
mA
OHF02644
50
100
150
200
250
R
thJC
F
I
T
= 160 K/W
= 450 K/W
thJA
R
OHL01713
F
I
10
-4
0.5 1 1.5 2 2.5 V3
10
0
A
0
F
V
-1
10
5
5
10
-2
-3
5
10
2012-05-21 6
Version 1.0 / acc. to: OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4850 E7800
Permissible Pulse Handling Capability
Zulässige Pulsbelastbarkeit
IF = f(tp), TA = 25 °C, duty cycle D = parameter
Radiation Characteristics
Abstrahlcharakteristik
Irel = f(ϕ)
1010
-2-3-4-5
1010 10
F
I
210-1
10
t
p
10 s 10
OHF05440
0.02
0.5
0.2
0.05
0.1
D
=
0.005
0.01
1
1
10
mA
10
2
10
3
2
T
P
=
DT
t
t
P
I
F
OHR01457
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
100
90
80
70
60
50
0
10203040
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
Version 1.0 / acc. to: OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4850 E7800
2012-05-21 7
Pinning
Anschlussbelegung
Package Outline
Maßzeichnung
Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch).
Pin Description
Anschluss Beschreibung
1Cathode / Kathode
2Anode / Anode
Package Metal Can (TO-18), hermetically sealed, Epoxy,
clear resin
Gehäuse Metall Gehäuse (TO-18), hermetisch dicht, Harz,
klarer Verguss
ø4.3 (0.169)
ø4.1 (0.161)
Chip position
3.6 (0.142)
3.0 (0.118)
2.54 (0.100)
spacing
GETY6625
1
14.5 (0.571)
12.5 (0.492)
ø0.45 (0.018)
2.7 (0.106)
0.9 (0.035)
1.1 (0.043)
0.9 (0.035)
1.1 (0.043)
ø5.5 (0.217)
ø5.2 (0.205)
2
2012-05-21 8
Version 1.0 / acc. to: OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4850 E7800
TTW Soldering
Wellenlöten (TTW)
IEC-61760-1 TTW / IEC-61760-1 TTW
Version 1.0 / acc. to: OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4850 E7800
2012-05-21 9
Disclaimer Disclaimer
Attention please!
The information describes the type of component and
shall not be considered as assured characteristics.
Terms of delivery and rights to change design reserved.
Due to technical requirements components may contain
dangerous substances.
For information on the types in question please contact
our Sales Organization.
If printed or downloaded, please find the latest version in
the Internet.
Packing
Please use the recycling operators known to you. We
can also help you – get in touch with your nearest sales
office.
By agreement we will take packing material back, if it is
sorted. You must bear the costs of transport. For
packing material that is returned to us unsorted or which
we are not obliged to accept, we shall have to invoice
you for any costs incurred.
Components used in life-support devices or
systems must be expressly authorized for such
purpose!
Critical components* may only be used in life-support
devices** or systems with the express written approval
of OSRAM OS.
*) A critical component is a component used in a
life-support device or system whose failure can
reasonably be expected to cause the failure of that
life-support device or system, or to affect its safety or the
effectiveness of that device or system.
**) Life support devices or systems are intended (a) to be
implanted in the human body, or (b) to support and/or
maintain and sustain human life. If they fail, it is
reasonable to assume that the health and the life of the
user may be endangered.
Bitte beachten!
Lieferbedingungen und Änderungen im Design
vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen
können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere
Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie
sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses
Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben,
finden Sie die aktuellste Version im Internet.
Verpackung
Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege.
Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich
bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen
das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart
wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die
Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das
unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht
annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden
Kosten in Rechnung.
Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und
Systemen eingesetzt werden, müssen für diese
Zwecke ausdrücklich zugelassen sein!
Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden
Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt
werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von
OSRAM OS vorliegt.
*) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in
lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen
eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu
einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates
oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder
Effektivität dieses Apparates oder Systems
beeinträchtigt.
**) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für
(a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder
(b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie
versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die
Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist.
Version 1.0 / acc. to: OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4850 E7800
2012-05-21 10
Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Leibnizstraße 4, D-93055 Regensburg
www.osram-os.com © All Rights Reserved.