■外観図 OUTLINE
178 (J534)
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
'PSEFUBJMTPGPVUMJOFEJNFOTJPOTSFGFSUPPVSXFCTJUFPSUIF4FNJDPOEVDUPS
4IPSU'PSN$BUBMPH"TGPSUIFNBSLJOHSFGFSUPUIFTQFDJàDBUJPOi.BSLJOH
5FSNJOBM$POOFDUJPOu
面実装デバイス 単体型
Surface Mounting Device Single Diode
Rectifier Diode
DG0R7E40
400V 0.7A
•小型SMD
• 耐湿性に優れ高信頼性
• 静電気耐性に優れている
•SmallSMD
•High-Reliability
•HighESDCapability
Package:G1F Unit:mm
Weight:0.011g(typ.)
℃
℃
V
A
A
A2s
V
μA
kV
℃/W
項 目
Item
記号
Symbol
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
静電気耐性
Electrostatic Discharge Capability
熱抵抗
Thermal Resistance
Tstg
Tj
VRM
IO
IFSM
VF
IR
VESD
50Hz正弦波,非繰り返し1サイクルせん頭値,Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
50Hz正弦波,抵抗負荷
50Hz sine wave,
Resistance load
Ta = 25℃*2
Ta = 64℃*3
パルス測定
Pulse measurement
極性±,気中放電
Polarity±, Aerial discharge
接合部・リード間
Junction to Lead
接合部・周囲間
Junction to Ambient
パルス測定
Pulse measurement
IF=0.7A,
VR=400V,
C=150pF,R =150Ω,
MAX1.1
MAX10
*1TYP30
*2MAX210
*3MAX120
*4MAX70
*4MAX20
−55〜150
150
400
0.6
0.7
20
0.8
電流二乗時間積
Current Squared Time 1ms≦t<10ms,Tj = 25℃
I2t
*1:IEC-61000-4-2規定に準拠
It is based on IEC-61000-4-2
*2:ガラエポ基板実装(1インチ基板)銅箔パターン総面積32.6
mm
2
Measured on the 1x1 inch On glass-epoxi substrate(pattern area: 32.6
mm
2)
*3:ガラエポ基板実装(1インチ基板)銅箔パターン総面積160
mm
2
Measured on the 1x1 inch On glass-epoxi substrate(pattern area: 160
mm
2)
*4:アルミナ基板実装(2インチ基板)銅箔パターン総面積2100
mm
2
Measured on the 2x2 inch alumina substrate(
attern area: 2100
mm
2)
条 件
Conditions
品 名
TypeNo. 単位
Unit
DG0R7E40
θja
θjl
■定格表 RATINGS
①②
E 69
カソードマーク
Cathodemark
品名略号
TypeNo.
ロット記 号(例)
Datecode
3.5
0.8
1.6 ①②
特長
Feature