Bridge Diode
16 （J534）
S1ZB□
•小型D
IP パッケージ
•耐久性に優れ高信頼性
800V 0.8A
デュアルインライン型
Dual In-Line Package
•Small-DIP
•High-Reliability
Package：1Z（SMD）
Package：1Z（THD）
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
'PSEFUBJMTPGPVUMJOFEJNFOTJPOTSFGFSUPPVSXFCTJUFPSUIF4FNJDPOEVDUPS
4IPSU'PSN$BUBMPH"TGPSUIFNBSLJOHSFGFSUPUIFTQFDJàDBUJPOi.BSLJOH
5FSNJOBM$POOFDUJPOu
Unit:mm
Weight:0.13（typ.）
Unit:mm
Weight:0.13g（typ.）
単位
Unit
℃
℃
V
A
A
A2s
V
μA
℃/W
●絶対最大定格Absolute Maximum Ratings（指定のない場合Tl =25℃／unlessotherwisespeci
項 目
Item
記号
Symbol 条 件
Conditions
品 名
TypeNo.
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
熱抵抗
Thermal Resistance
Tstg
Tj
VRM
IO
IFSM
VF
IR
θjl
θja
50Hz正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj= 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
50Hz正弦波，抵抗負荷，Ta=25℃
50Hz sine wave,
Resistance load, Ta =25℃
パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
１素子当たりの規格値
per diode
IF=0.4A,
VR=VRM,
接合部・リード間
Junction to Lead
接合部・周囲間
Junction to Ambient
●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（指定のない場合Tl =25℃／unlessotherwisespeci
MAX1.05
MAX10
MAX20
MAX76
MAX134
−40〜150
150
0.8
0.5
30
4.5
電流二乗時間積
Current Squared Time 1ms≦t＜10ms，Tj = 25℃，
I2t
アルミナ基板実装
On alumina substrate
プリント基板実装
On glass-epoxy substrate
アルミナ基板実装
On alumina substrate
プリント基板実装
On glass-epoxy substrate
S1ZB20 S1ZB60 S1ZB80
200 600 800
）
）
■定格表 RATINGS
■外観図 OUTLINE
Z62N
ロット記 号（例）
Datecode
品名略号
TypeNo. ③
＋①
〜②
④−
③〜
②
④①
4.7
2.6
7
2.5
3.8
4.7
④
②
①
③
Z60N
品名略号
TypeNo. Datecode
ロット記 号（例）
3.05
＋①
〜②
④−
③〜
Feature
特長
17
（J534）
■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
＊ Sinewave は 50Hz で測定しています。
＊)[TJOFXBWFJTVTFEGPSNFBTVSFNFOUT
＊半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。
Typical は統計的な実力を表しています。
＊4FNJDPOEVDUPSQSPEVDUTHFOFSBMMZIBWFDIBSBDUFSSJTUJDWBSJBUJPO
5ZQJDBMJTBTUBUJTUJDBMBWFSBHFPGUIFEFWJDFhTBCJMJUZ
S1ZB□
Small DIP Bridge
