European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
Type
S
U
Circuit symbolCathode
Connection pin
Case
Anode
Case
Connection pin
Marketing Information
D 56 S 40...45
D 56 U 40...45
Ma 1-BE / 23 Jun 1993
15
SW27
5,5
M12
http://store.iiic.cc/
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode D 56 S 40...45
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung t
vj
= -10°C...t
vj
max
V
RRM
4000 V
repetitive peak reverse voltage 4500 V
Stoßspitzensperrspannung t
vj
= +25°C...t
vj
max
V
RSM
4100 V
non-repetitive peak reverse voltage 4600 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current I
FRMSM
160 A
Dauergrenzstrom / mean forward current t
C
= 85°C I
FAVM
56 A
t
C
= 28°C 102 A
Stoßstrom-Grenzwert t
vj
= 25°C, t
p
=10 ms I
FSM
1550 A
surge forward current t
vj
= t
vj
max,
t
p
= 10 ms 1350 A
Grenzlastintegral t
vj
= 25°C, t
p
=10 ms I²t 12000 A²s
I²t-value t
vj
= t
vj
max,
t
p
= 10 ms 9100 A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung / forward voltage t
vj
= t
vj
max
, i
F
= 320 A V
F
max. 4,5 V
Schleusenspannung / threshold voltage t
vj
= t
vj
max
V
(TO)
1,64 V
Ersatzwiderstand / forward slope resistance t
vj
= t
vj
max
r
T
8
m
Ω
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung IEC 747-2 V
FRM
200
V
1)
peak value of forward recovery voltage t
vj
= t
vj
max
di
F
/dt = 200 A/µs v
R
= 0V
Durchlaßverzögerungszeit IEC 747-2, Methode / method II t
fr
4
µs
1)
forward recovery time t
vj
=t
vj max,
i
FM
=di
F
/dt*t
fr
di
F
/dt = 200 A/µs v
R
= 0V
Sperrstrom / reverse current t
vj
= t
vj
25°C, v
R
= V
RRM
i
R
max. 5 mA
t
vj
= t
vj
max
, v
R
= V
RRM
max. 50 mA
Rückstromspitze / peak reverse recovery current DIN IEC 747-2, t
Vj
=t
Vj
max
I
RM
230
A
1)
i
FM
=150A, -di
F
/dt=200A/µs
V
R
=0,5V
RRM
, v
RM
=0,8V
RRM
Sperrverzögerungsladung DIN IEC 747-2, t
Vj
=t
Vj max
Q
r
550
µAs
1)
recovered charge i
FM
= 150A, -di
F
/dt = 200 A/µs
V
R
=0,5V
RRM
, v
RM
=0,8V
RRM
Sperrverzögerungszeit DIN IEC 747-2, t
Vj
=t
Vj
max
t
rr
3,3
µs
1)
reverse recovered time i
FM
= 150A, -di
F
/dt = 200 A/µs
V
R
=0,5V
RRM
, v
RM
=0,8V
RRM
Sanftheit DIN IEC 747-2, t
Vj
=t
Vj
max
SR 0,004
µs/A
2)
Softness i
FM
= 150A, -di
F
/dt = 200 A/µs
V
R
=0,5V
RRM
, v
RM
=0,8V
RRM
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thJC
thermal resistance, junction to case
Anode / anode,
Θ
=180°sin
max. 0,260 °C/W
Anode / anode, DC max. 0,245 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thCK
max. 0,04 °C/W
thermal resistance, case to heatsink einseitig / single-sided
Höchstzul. Sperrschichttemp./ max.junction temperat. t
vj max
125 °C
Betriebstemperatur / operating temperature t
c op
-40...+125
°C
Lagertemperatur / storage temperature t
stg
-40...+150
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Si-Elemente mit Druckkontakt / Si-pellets with pressure contact Durchmesser/diameter 21mm
Anzugsdrehmoment / tightening torque M20 Nm
Gewicht / weight Gtyp. 110 g
Kriechstrecke / creepage distance 21 mm
Feuchteklasse / humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit / vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Kühlkörper / heatsink : K1, 1-M12-A ; K0,55-M12-A ; GK-M12-A
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the
belonging technical notes.
1)
Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2)
Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
MA 1-BE / 12 Jul 1993 http://store.iiic.cc/
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode D 56 U 40...45
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung t
vj
= -10°C...t
vj
max
V
RRM
4000 V
repetitive peak reverse voltage 4500 V
Stoßspitzensperrspannung t
vj
= +25°C...t
vj
max
V
RSM
4100 V
non-repetitive peak reverse voltage 4600 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current I
FRMSM
140 A
Dauergrenzstrom / mean forward current t
C
= 73°C I
FAVM
56 A
t
C
= 22°C 89 A
Stoßstrom-Grenzwert t
vj
= 25°C, t
p
=10 ms I
FSM
1350 A
surge forward current t
vj
= t
vj
max
,t
p
= 10 ms 1200 A
Grenzlastintegral t
vj
= 25°C, t
p
=10 ms I²t 9100 A²s
I²t-value t
vj
= t
vj
max
,t
p
= 10 ms 7200 A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung / forward voltage t
vj
= t
vj
max
, i
F
= 280 A V
F
max. 4,15 V
Schleusenspannung / threshold voltage t
vj
= t
vj max
V
(TO)
1,64 V
Ersatzwiderstand / forward slope resistance t
vj
= t
vj
max
r
T
8
m
Ω
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung IEC 747-2 V
FRM
200
V
1)
peak value of forward recovery voltage t
vj
= t
vj
max
di
F
/dt = 200 A/µs v
R
= 0V
Durchlaßverzögerungszeit IEC 747-2, Methode / method II t
fr
4
µs
1)
forward recovery time t
vj
=t
vj max,
i
FM
=di
F
/dt*t
fr
di
F
/dt = 200 A/µs v
R
= 0V
Sperrstrom / reverse current t
vj
= t
vj
25°C, v
R
= V
RRM
i
R
max. 5 mA
t
vj
= t
vj
max
, v
R
= V
RRM
max. 50 mA
Rückstromspitze / peak reverse recovery current DIN IEC 747-2, t
Vj
=t
Vj
max
I
RM
230
A
1)
i
FM
=150A, -di
F
/dt=200A/µs
V
R
=0,5V
RRM
, v
RM
=0,8V
RRM
Sperrverzögerungsladung DIN IEC 747-2, t
Vj
=t
Vj
max
Q
r
550
µAs
1)
recovered charge i
FM
= 150A, -di
F
/dt = 200 A/µs
V
R
=0,5V
RRM
, v
RM
=0,8V
RRM
Sperrverzögerungszeit DIN IEC 747-2, t
Vj
=t
Vj
max
t
rr
3,3
µs
1)
reverse recovered time i
FM
= 150A, -di
F
/dt = 200 A/µs
V
R
=0,5V
RRM
, v
RM
=0,8V
RRM
Sanftheit DIN IEC 747-2, t
Vj
=t
Vj
max
SR 0,004
µs/A
2)
Softness i
FM
= 150A, -di
F
/dt = 200 A/µs
V
R
=0,5V
RRM
, v
RM
=0,8V
RRM
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thJC
thermal resistance, junction to case
Anode / anode,
Θ
=180°sin
max. 0,340 °C/W
Anode / anode, DC max. 0,325 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thCK
max. 0,04 °C/W
thermal resistance, case to heatsink einseitig / single-sided
Höchstzul. Sperrschichttemp./ max.junction temperat. t
vj max
125 °C
Betriebstemperatur / operating temperature t
c op
-40...+125
°C
Lagertemperatur / storage temperature t
stg
-40...+150
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Si-Elemente mit Druckkontakt / Si-pellets with pressure contact Durchmesser/diameter 21mm
Anzugsdrehmoment / tightening torque M20 Nm
Gewicht / weight Gtyp. 110 g
Kriechstrecke / creepage distance 21 mm
Feuchteklasse / humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit / vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Kühlkörper / heatsink : K1,1-M12-A ; K0,55-M12-A ; GK-M12-A
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the
belonging technical notes.
1)
Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2)
Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
MA 1-BE / 12 Jul 1993 http://store.iiic.cc/
D 56 S 40...45
D 56 U 40...45
Grenzdurchlaßkennlinien tVj = 125°C
Richtwert für obere Streubereichsgrenze
Richtwert für untere Streubereichsgrenze
Limiting on-state characteristics tVj = 125°C
Upper limit of scatter range (standard value)
Lower limit of scatter range (standard value)
350
300
250
200
150
100
50
00 0,5 1 1,5 2 2,533,5 4 4,5 5
VF / [V]
IF / [A]
http://store.iiic.cc/
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