Laser Diode on Submount 1.0 W cw Laser Diode in offener Bauform 1.0 W cw SPL CGxx_0 Besondere Merkmale Features * Effiziente Strahlungsquelle fur Dauerstrich- und gepulstem Betriebsmodus * Zuverlassige InGa(Al)As kompressiv verspannte Quantenfilm-Struktur * Laterale Austrittsoffnung 100 m * Kleiner Kupfer-Kuhlkorper (C-Typ) fur OEM Design * Efficient radiation source for cw and pulsed operation * Reliable InGa(Al)As strained quantum-well structure * Lateral laser aperture 100 m * Small C-type copper submount for OEM designs Anwendungen Applications * Pumpen von Faser-Lasern und -verstarkern (Er, Yb, ...) * Pumpen von Festkorperlasern (Nd: YAG, Yb: YAG, ...) * Loten, Erwarmen, Beleuchten * Drucken, Markieren, Oberflachenbearbeitung * Medizinische Anwendungen * Test- und Messsysteme * Pumping of fiber lasers and amplifiers (Er, Yb, ...) * Pumping of solid state lasers (Nd: YAG, Yb: YAG, ...) * Soldering, heating, illumination * Printing, marking, surface processing * Medical applications * Testing and measurement applications Sicherheitshinweise Safety Advices Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare InfrarotStrahlung, die gefahrlich fur das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, mussen gema den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Norm 60825-1 behandelt werden. Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC 60825-1 "Safety of laser products". 2000-01-01 1 OPTO SEMICONDUCTORS SPL CGxx_0 Typ Type Wellenlange1) Wavelength1) Bestellnummer Ordering Code SPL CG81_0 808 nm Q62702-P5246 SPL CG98_0 975 nm on request 1) Andere Wellenlangen im Bereich von 780 nm ... 980 nm sind auf Anfrage erhaltlich. Other wavelengths in the range of 780 nm ... 980 nm are available on request. Grenzwerte (TA = 25 C) Maximum Ratings Parameter Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit min. max. Popt - 1 W Ausgangsleistung (Quasi- Dauerstrichbetrieb)1) (tp 150 s, Tastverhaltnis 1%) Output power (quasi-continuous wave)1) (tp 150 s, duty cycle 1%) Pqcw - 1.5 W Sperrspannung Reverse voltage VR - 3 V Betriebstemperatur2) Operating temperature2) Top - 10 + 60 C Lagertemperatur2) Storage temperature2) Tstg - 40 + 85 C Lottemperatur an der Lotfahne, max. 5 s Soldering temp. at solder flag, max. 5 s Ts1 - 250 C Lottemperatur am Kupfertrager, max. 10 s Soldering temp. at submount, max. 10 s Ts2 - 140 C Ausgangsleistung (Dauerstrichbetrieb) Output power (continuous wave)1) 1) 1) Zur Leistungsmessung wird die gesamte Lichtleistung in eine Ulbrichtkugel eingekoppelt. Optical power is measured by coupling into an integrating sphere. 2) Die Entstehung von Kondensflussigkeiten mu ausgeschlossen werden. Bedewing has to be excluded. 2000-01-01 2 OPTO SEMICONDUCTORS SPL CGxx_0 Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Parameter Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit min. typ. max. peak 805 972 808 975 811 978 nm Spektrale Breite (Halbwertsbreite)1) Spectral width (FWHM)1) - 3.0 - nm Opt. Ausgangsleistung im Betriebspunkt2) Output power2) Pop - 1.0 - W Zentrale Emissionswellenlange Emission wavelength1) 1) Differentielle Effizienz2) Differential efficiency2) 808 nm 975 nm - - 1.1 0.85 - - W/A Schwellstrom Threshold current 808 nm Ith 975 nm - - 0.35 0.25 - - A Betriebsstrom1) Operating current1) 808 nm Iop 975 nm - - 1.3 1.4 1.6 1.7 A Betriebsspannung1)4) Operating voltage1)4) Vop - 2.0 - V Differentieller Serienwiderstand Differential series resistance Rs - 0.2 0.4 Austrittsoffnung Aperture size wxh - 100 x 1 - m2 Strahldivergenz (Halbwertsbreite) Beam divergence (FWHM) || x - 8 x 38 - Grad deg. Charakteristische Temperatur (Schwelle)3) Characteristic temperature (threshold)3) T0 - 150 - K Temperaturkoeffizient des Betriebsstroms Temperature coefficient of operating current Iop / IopT - 0.5 - %/K Temperaturkoeffizient der Wellenlange4) Temperature coefficient of wavelength4) /T - 0.3 - nm/K 2000-01-01 3 OPTO SEMICONDUCTORS SPL CGxx_0 Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics (cont'd) Parameter Parameter Thermischer Widerstand (pn-Ubergang Warmesenke) Thermal resistance (junction heat sink) Symbol Symbol Rth Werte Values min. typ. max. - 10 - 1) Standardbetriebsbedingungen beziehen sich auf 1 W cw optische Ausgangsleistung. Standard operating conditions refer to 1 W cw optical output power. 2) Optische Leistungen werden mit einer Ulbrichtkugel gemessen. Optical power measurements refer to an integrating sphere. 3) Modelle zur Bestimmung des thermischen Verhaltens bzgl. des Schwellstroms: Model for the thermal behavior of threshold current: Ith(T2) = Ith(T1) x exp (T2 - T1)/T0 4) Abhangig von der Emissionswellenlange. Depending on emission wavelength. 2000-01-01 4 Einheit Unit K/W OPTO SEMICONDUCTORS SPL CGxx_0 Optische Kennwerte SPL CG81_0 (TA = 25 C) Optical Characteristics SPL CG81_0 (TA = 25 C) Optical Output Power Popt vs. Forward Current IF Popt Optical Spectrum, Relative Intensity Irel vs. Wavelength (Popt = 1 W) OHW01250 1.2 W OHW00898 1 rel 1.0 % 0.75 0.8 0.5 0.6 0.4 0.25 0.2 0 0 0.5 0 1.0 A 1.5 790 800 810 820 nm 830 I Farfield Distribution Parallel to Junction Irel vs. || Farfield Distribution Perpendicular to Junction Irel vs. OHW02170 100 rel rel % 80 80 60 60 40 40 20 20 0 -25 2000-01-01 OHW00313 100 -15 -5 5 0 -50 15 deg. 25 Il 5 -30 -10 10 degree 50 OPTO SEMICONDUCTORS SPL CGxx_0 Mazeichnung Package Outlines 0.1 A 2.9 2.7 7.1 6.7 Anode 2.4 2.2 4.6 4.4 6.6 6.2 2.3 2.1 1.3 1.1 A 11.0 9.0 Cathode GSO06600 Mae in mm, wenn nicht anders angegeben (10 mm = 0,39 inch / 1 inch = 25,4 mm) / Dimensions in mm, unless otherwise specified (10 mm = 0.39 inch / 1 inch = 25.4 mm). Alle Laser werden vorgetestet und gema den gemessenen Kennwerten ausgeliefert. Bezuglich Sicherheit, Verpackung, Behandlung, Montage und Betriebsbedingungen lesen Sie bitte sorgfaltig unsere Notes for Operation I". 2000-01-01 All devices are pre-tested and will be delivered including measured laser characteristics. For safety, unpacking, handling, mounting, and operating issues, please read carefully our "Notes for Operation I". 6 OPTO SEMICONDUCTORS