20A 300V 35ns
カソードコモン
カソードコモンカソードコモン
カソードコモン
Cathod e common
Cathod e commonCathod e common
Cathod e common
Fast Recovery
Fast RecoveryFast Recovery
Fast Recovery
Fully Molded similar to TO-220
構造
Construction 拡散型シリコンダイオード(FRD)
Diffusion type Silicon diode
用途
Application 高周波整流用、PDP電源、移動体通信基地局等
High frequency rectific ation, for Plasma Display Pane l , Movable
Communication Base.
■ 最大定格 MAXIMUM RATINGS
Item Symbol Condition Max. Rated value Unit
くり返しピーク逆電圧
Repetitive peak reverse voltage VRRM
300 V
平均整流電流
Average recti fied forwa rd current IO 50Hz 正弦全波,抵抗負荷 Tc = 90℃
50Hz full sine wave , Resistance load 20 A
実効順電流
R.M.S. forwa rd current IF(RMS)
22.2 A
サージ順電流
Surge forward current IFSM 50Hz 正弦全波 1 サイクル 非くり返し
50Hz full sine wave 1cycle, non-repetitive 120 A
動作接合温度範囲
Operat ing junct ion tempera ture range Tjw −40〜+150 ℃
保存温度範囲
Storag e temperatu re range Tstg −40〜+150 ℃
締め付けトルク
Mounting torque Ftor 推奨値
Recommended value 0.5 N・m
■ 電気的・熱的特性 ELECTRICAL / THERMAL CHARACTERISTICS
Item Symbol Condition Min. Typ. Max. Unit
ピーク逆電流
Peak reverse current IRM VRM=VRRM Tj=25℃ 1素子あたり
per diode − − 25 μA
ピーク順電圧
Peak forward voltage VFM IFM=10A Tj=25℃1素子あたり
per diode − 1.2 1.4 V
逆回復時間
Reverse recovery time trr IFM=10A Tj=25℃ −di/dt=50A/μs− 23 35 ns
Rth(j-c) 接合部・ケース間 Junction to case − − 2
熱抵抗
Thermal resistance Rth(c-f) ケース・フィン間 Case to fin − − 1.5 ℃/W
FCU20A30
外 形 図
質量:1.75g