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Schnelle Diode
Fast Diode
Datenblatt / Data sheet
IFBIP D AEC / 2010-01-18, H.Sandmann A 08/10 1/5 Seite/page
D450S
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Tvj = -25°C... Tvj max V
RRM
1600
2000
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
I
FRMSM 651 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 100°C IFAVM 443 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms IFAVM 670 A
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
I
FRMS 1050 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = +25°C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max , tP = 10 ms
Tvj = +25°C, tP = 1 ms
Tvj = Tvj max , tP = 1 ms
IFSM 5600
4600
12750
10470
A
A
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = +25°C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max , tP = 10 ms
Tvj = +25°C, tP = 1 ms
Tvj = Tvj max , tP = 1 ms
I²t 156,8
105,8
81,28
54,81
A²s
A²s
A²s
A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 1,2 kA vF
max. 2,25 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max V
(TO) 1V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max r
T 0,9 m
Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung
typical value of forward recovery voltage
IEC 747-2
Tvj = Tvj max, diF/dt = 50 A/µs, vR = 0 V
VFRM 11 V 1)
Durchlaßverzögerungszeit
forward recovery time
IEC 747-2, Methode / Method II
iFM = 1200 A Tvj = Tvj max,
diF/dt = 50 A/µs, vR = 0V
tfr 4,2 µs 1)
Sperrstrom
reverse current
Tvj = +25°C
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
iR max. 10
100
mA
mA
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IEC 747-2, Tvj = Tvj max
iFM = 410 A, -diF/dt = 50 A/µs
vR = 100 V, vRM 200V
IRM 123 A 1)
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IEC 747-2, Tvj = Tvj max
iFM = 410 A, -diF/dt = 50 A/µs
vR = 100 V, vRM 200V
Qr 650 µAs 1)
Sperrverzögerungszeit
reverse recovery time
IEC 747-2, Tvj = Tvj max
iFM = 410 A, -diF/dt = 50 A/µs
vR = 100 V, vRM 200V
trr 6,2 µs 1)
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / upper limit of scutter range (standard value)
prepared by: H.Sandmann date of publication: 2010-01-18
approved by: M.Leifeld
revision: 3.1
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Datenblatt / Data sheet
IFBIP D AEC / 2010-01-18, H.Sandmann A 08/10 2/5 Seite/page
D450S
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche /cooling surface
beidseitig / two sided, Θ = 180° sin
beidseitig / two sided, DC
Anode / anode, Θ = 180° sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, Θ = 180° sin
Kathode / cathode, DC
RthJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,057
0,053
0,094
0,090
0,134
0,130
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
max.
max.
0,015
0,030
°C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max 150 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op -25…+180
Lagertemperatur
storage temperature Tstg -25…+180
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
F 3,2...7,6 kN
Gewicht
weight
G typ. 75 g
Kriechstrecke
creepage distance
10 mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz 50 m/s²
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D450S
Maßbild
12
1: Anode/Anode
2: Kathode/Cathode
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D450S
R,T – Werte
R,Tau-Glieder des Elements
Transienter Wärmewiderstand
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Kühlung /
Cooling Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
Rthn [°C/W] 0,001380 0,00359 0,00447 0,0235 0,02006 - -
beidseitig
two-sided τn [s] 0,000133 0,00156 0,01010 0,0736 0,24500 - -
Rthn [°C/W]
0,001380
0,00359
0,00447
0,0235
0,02006
0,037
-
anodenseitig
anode-sided τn [s]
0,000133
0,00156
0,01010
0,0736
0,32200
3,030
-
Rthn [°C/W]
0,001380
0,00359
0,00447
0,0235
0,02006
0,077
-
kathodenseitig
cathode-sided τn [s]
0,000133
0,00156
0,01010
0,0736
0,50200
3,230
-
Analytische Funktion / Analytical function: Σ
=
τ
max
n
n=1 thnthJC n
-t
e1RZ
0,00
0,02
0,04
0,06
0,08
0,10
0,12
0,14
0,001 0,01 0,1 1 10 100
t [s]
Z
thJCC/W]
a
c
b
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig
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