NPN SILICON TRANSISTOR, PLANAR TRANSISTOR NPN SILICIUM, PLANAR 2N 5109 The 2N 5109 is an high frequency multi- emitter transistor intended for use in wide- band, large dynamic, linear amplifier. it is suited for such applications as CATV, MATV, telecommunications, oscilloscopes. Le 2N 5109 est un transistor multimetteur haute frquence destin aux amplificateurs linaires a large: bande et grande dynamique, i! convient pour des applications talles que CATV, MATYV, tlcommunications, oscilfoscopes. PRELIMINARY DATA NOTICE PRELIMINAIRE Vceo 20 V le 0,4A fr. = 1200MHz &a50mA G, > 10dB a 200 MHz Case TO-39 ~ See outline drawing CB-7 on last pages Boitier Voir dessin cot CB-7_ dernires pages Bottom view Vue de dessous Weight : 1,19. Masse ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) T, =< +25 C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION (Sauf indications contraires} Collector-base voltage Tension collecteur-bese Veso 40 Vv Collector-emitter voltage Tension collecteur-metteur Vceo 20 v Collector-emitter volta: = Tension colmcteurdmettear Ree 10a Voce R 40 v Emitter-base voltage Tension metteur-bese Vego 3 Vv Collector current ! Courant collecteur c 0,4 A Base current Courant bese 'p 0,4 A T = 25C 1 Ww Power dissipation amb P. Dissipation de puissance ; tot Tease = 75C 25 Ww Junction temperature T; Temprature de jonction max J 200 C Storage temperature min T 65 C Temprature de stockage max stg +200 76-06 1/4 af THOMSON-CSF OMBION SEMCONDUCTERS 277 2N 5109 STATIC CHARACTERISTICS (Unless otherwise stated) T, b= 25C 25S OUNE ; CARACTERISTIQUES STATIQUES ami (Sauf indications contraires} Test conditions : Conditions de mesure Min. Typ. Max. Collector-emitter cut-off current Vee = 15V I Courant rsidue!l collecteur-6metteur Ip =0 cEO 20 HA Vere =-15V BE ' Vog =36V 8 mA Collector-emitter cut-off current I Courant rsiduel collecteur-metteur Ver =-15V cEX BE TT Veg = 15V 5 mA Ie = 150C Emitter-base cut-off current Veg =3V Courant rsiduel metteur-base (dg =O 'EBO 0.1 mA Collector-base breakdown voltage Ig = 100A Vv Tension de claquage collecteur-base le =0 (BR)CBO 40 v Collector-emitter breakdown voltage Ree = 102 Vv 40 Vv Tension de claquage collecteur-metteur le =5mA (BR)CER Collector-emitter breakdown voltage Ic =5mA Vv Tension de claquage collecteur-metteur le = (BR)CEO 20 v Emitter-base breakdown voltage le =100yA Tension de claquege metteur-base lg = Vip R)EBO 3 v Coltector-emitter saturation voltage I = 100mA Tension de saturation collecteur-metteur Ip =10mA VeEsat. 0,5 Vv Voe = 15 V Ic = 50mA 40 120 Static value of the forward current c transfer ratio hore Valeur statique du rapport de transfert i direct du courant VcE =5V Ig =360mA 5 2/4 278 2N 5109 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) T = 25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) amb (Sauf indications contraires} Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Common mitter feedback capacitance Vop = 15V c Capacit de raction en metteur commun le =0 12e 3,5 pF Vce =15V le = 25 mA 1000 MHz f = 200 MHz Transition frequency Voce =15V si rl Frquence de transition Ig =50mA fy 1200 MHz f = 200 MHz Vee = 15V lq =100mA 1000 MHz f = 200 MHz Vol in (wide band) Voe = 15 oltage gain (wide ban . _ Gain en tension (large bande) (fig. 1) Ic = 60 mA Gy "1 dB f = 60...216 MHz cr dulati f, = 210 MHz oss modulation . _ Transmodulation (fig. 1) fy = 150 MHz Dem -70 dB Vo =54dB mV Voge = 15 V . { =10mA Power gain (narrow band) "i Gain en puissance (bande troite) (fig. 2) / = = 200 MHz S, W dB P;) =-10dBm Vee = 15 V Noise figure 7 cE Facteur de bruit {tig. 2) Ic =10mA F 3 dB f = 200 MHz THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal! resistance Rsistance thermique (jonction-bottier} Renij-c) 50 C/W Junction-ambient thermal resistance : Rsistance thermique (jonction-ambiante} Renta) 175 ciw 3/4 279 2N 5109 C1, C2,C5 : 0,002 uF disc ceramic 0,002 wF disque cramique 2 =7652 Zz =762 c3 : 8-60 pF C1 c4 : 0,03 uF disc ceramic { 0,03 uF disque cramique C6, C7 : 1500 pF feedthrough : 1500 pF by pass R1 > 3902 1/2W R2 > 682 7/2W I { R3 : 3302 1W R4 : 2702 1/2W T1 : 4 turns No, 30 wire bifilar wound on toroidal core 4 tours fil 25/100 meil, enroulement bifilaire sur noyau toroidal Detail of transformer Dtail du transformateur Nn 4 Figure 1: Voltage gain test circuit Circuit de mesure du gain en tension 2, =802 1,2,C3: 130pF 26 =50 2 a cs : 10.000 pF disc ceramic : 10.000 pF disque cramique do C6, C7 : 1000 pF disc ceramic : 1000 pF disque cramique cs > 0,1 pF disc ceramic : 0,1 BF disque cramique L1 : 4-1/2 turns, No 22 wire, 3/16 in. (4.76 mm) I.D. C25 4 1/2 tours fil 65/100 diamtre int. 4,75 mm L4 : 3-1/2 turns, No 22 wire, 3/16 in. (4.76 mm) 1.D. 3 1/2 tours fil 68/100 ciamtre int. 4,75 mm " L2,L3::O,82HH RFC wr : Self derrt 0,82 pH xX Yee Vee RI : 2402,2W. Figure 2: Power gain test circuit and noise figure Circuit de mesure du gain en puissance at du facteur de bruit 4/4 280