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Schnelle Diode
Fast Diode
Datenblatt / Data sheet
IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 48/08 1/6 Seite/page
D690S
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Tvj = -25°C... Tvj max V
RRM 2000
2200
2400
2600
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
I
FRMSM 1600 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 100 °C IFAVM 690 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms IFAVM 870 A
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
I
FRMS 1360 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25°C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max , tP = 10 ms
Tvj = 25°C, tP = 1 ms
Tvj = Tvj max , tP = 1 ms
IFSM 14000
11500
33400
27500
A
A
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25°C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max , tP = 10 ms
Tvj = 25°C, tP = 1 ms
Tvj = Tvj max , tP = 1 ms
I²t 980
661
558
378
103A²s
103A²s
103A²s
103A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 3000A
vF
max. 2,7 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max V
(TO) 1,0 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max r
T 0,5 m
Durchlaßkennlinie 200 A iF 3000 A
on-state characteristic
F
FFF iD)1i(lnCiBAv ++++=
Tvj = Tvj max A=
B=
C=
D=
-1,575E-01
6,000E-04
2,421E-01
-1,582E-02
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
DIN IEC 747-2
Tvj = Tvj max, diF/dt = 50A/µs, vR = 0V
VFRM typ. 16,5 V
Durchlaßverzögerungszeit
forward recovery time
DIN IEC 747-2, Methode / Method II
Tvj = Tvj max, iFM = 3000A
diF/dt = 50A/µs, vR = 0V
tfr typ. 6,2 µs
Sperrstrom
reverse current
Tvj = 25°C , vR = vRRM
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
iR max.
max.
25
250
mA
mA
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
DIN IEC 747-2, Tvj = Tvj max
iFM = 1020A, -diF/dt = 50A/µs
vR 0,5VRRM, vRM = 0,8VRRM
IRM 155 A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
DIN IEC 747-2, Tvj = Tvj max
iFM = 1020A, -diF/dt = 50A/µs
vR 0,5VRRM, vRM = 0,8VRRM
Qr 970 µAs
Sperrverzögerungszeit
reverse recovery time
DIN IEC 747-2, Tvj = Tvj max
iFM = 1020A, -diF/dt = 50/µs
vR 0,5VRRM, vRM = 0,8VRRM
trrs
prepared by: H.Sandmann date of publication: 2008-09-15
approved by: M.Leifeld
revision: 3.0
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Datenblatt / Data sheet
IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 48/08 2/6 Seite/page
D690S
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche /cooling surface
beidseitig / two sided, Θ = 180° sin
beidseitig / two sided, DC
Anode / anode, Θ = 180° sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, Θ = 180° sin
Kathode / cathode, DC
RthJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,039
0,036
0,063
0,060
0,930
0,900
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
max.
max.
0,005
0,010
°C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max 150 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op -40...+150 °C
Lagertemperatur
storage temperature Tstg -40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
F 10…24 kN
Gewicht
weight
G typ. 300 g
Kriechstrecke
creepage distance
25 mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz 50 m/s²
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Datenblatt / Data sheet
IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 48/08 3/6 Seite/page
D690S
Maßbild
12
1: Anode/Anode
2: Kathode/Cathode
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Datenblatt / Data sheet
IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 48/08 4/6 Seite/page
D690S
R,T – Werte
R,Tau-Glieder des Elements
Transienter Wärmewiderstand
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Kühlung /
Cooling Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
Rthn [°C/W] 0,000044 0,00310 0,003256 0,015 0,01439 - -
beidseitig
two-sided τn [s] 0,000141 0,00238 0,023400 0,164 1,14000 - -
Rthn [°C/W]
0,000052
0,003458
0,00658
0,0156
0,03431
- -
anodenseitig
anode-sided τn [s]
0,000161
0,002470
0,04330
0,2610
6,29000
- -
Rthn [°C/W]
0,000048
0,00340
0,004162
0,0145
0,0153
0,05259
-
kathodenseitig
cathode-sided τn [s]
0,000151
0,00243
0,031500
0,1700
4,5600
8,86000
-
Analytische Funktion / Analytical function: Σ
=
τ
max
n
n=1 thnthJC n
-t
e1RZ
b
a
c
0,00
0,02
0,04
0,06
0,08
0,10
0,001 0,01 0,1 1 10 100
t [s]
Z thJC C/W]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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D690S
Delta Zth
Durchlasskennlinie
Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ
Zth Θ rec / Zth Θ sin
Kühlung / Cooling Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30°
Zth Θ rec
[°C/W]
0,00426
0,00738
0,00981
0,01328
0,01852
beidseitig
two-sided Zth Θ sin
[°C/W]
0,00280
0,00428
0,00637
0,00978
0,01569
Zth Θ rec
[°C/W]
0,00447
0,00779
0,01038
0,01406
0,01958
anodenseitig
anode-sided Zth Θ sin
[°C/W]
0,00293
0,00451
0,00674
0,01035
0,01658
Zth Θ rec
[°C/W]
0,00447
0,00773
0,01036
0,01405
0,01960
kathodenseitig
cathode-sided Zth Θ sin
[°C/W]
0,00292
0,00448
0,00672
0,01033
0,01660
Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin
Tvj = Tvj max
0
500
1.000
1.500
2.000
2.500
3.000
3.500
4.000
1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 2,2 2,4 2,6 2,8 3
VF
[V]
iF [A]
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj max
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Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
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