2014-01-14 1
201 4- 01- 1 4
Silicon NPN Phototransistor
NPN-Silizium-Fototransistor
Version 1.1
SFH 303 FA
Ordering Information
Bestellinformation
Features: Besondere Merkmale:
•Spectral range of sensitivity: (typ) 750 ... 1120
nm
•Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
(typ) 750 ... 1120 nm
•Package: 5mm Radial (T 1 ¾), Epoxy • Gehäuse: 5mm Radial (T 1 ¾), Harz
•Special: Base connection • Besonderheit: Basisanschluss
• High photosensitivity • Hohe Fotoempfindlichkeit
Applications Anwendungen
• Photointerrupters • Lichtschranken
• Industrial electronics • Industrieelektronik
• For control and drive circuits • Messen / Steuern / Regeln
Type: Photocurrent Ordering Code
Typ: Fotostrom Bestellnummer
λ = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
IPCE [µA]
SFH 303 FA ≥ 1000 Q62702P0958
SFH 303 FA-3/4 ≥ 1600 Q62702P3587
Note: Only one bin within one packing unit (variation less than 2:1)
Anm.: Nur eine Gruppe pro Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1)
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Version 1.1 SFH 303 FA
Maximum Ratings (TA = 25 °C)
Grenzwerte
Characteristics (TA = 25 °C)
Kennwerte
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Operating and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Top; Tstg -40 ... 100 °C
Collector-emitter voltage
Kollektor-Emitter-Spannung
VCE 35 V
Collector current
Kollektorstrom
IC50 mA
Collector surge current
Kollektorspitzenstrom
(τ < 10 µs)
ICS 100 mA
Emitter-base voltage
Emitter-Basis-Spannung
VEB 7V
Emitter-collector voltage
Emitter-Kollektor-Spannung
VEC 7V
Total power dissipation
Verlustleistung
Ptot 200 mW
Thermal resistance
Wärmewiderstand
RthJA 375 K / W
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
λS max 990 nm
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
λ10% 750 ... 1120 nm
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
A0.11mm
2
Dimensions of chip area
Abmessung der Chipfläche
L x W 0.55 x 0.55 mm x
mm
Half angle
Halbwinkel
ϕ± 20 °
Photocurrent of collector-base photodiode
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
(λ = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm2, VCB = 5 V)
IPCB 4μA
Version 1.1 SFH 303 FA
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Capacitance
Kapazität
(VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
CCE 7.5 pF
Capacitance
Kapazität
(VCB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
CCB 14 pF
Capacitance
Kapazität
(VEB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
CEB 19 pF
Dark current
Dunkelstrom
(VCE = 20 V, E = 0)
ICE0 1 (≤ 50) nA
Collector-emitter saturation voltage
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
(Threefold saturated)
VCEsat 150 mV
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
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Version 1.1 SFH 303 FA
Grouping (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Gruppierung
Group Min Photocurrent Max
Photocurrent
Rise and fall time Collector-emitter
saturation
voltage
Gruppe Min Fotostrom Max Fotostrom Anstiegs- und
Abfallzeit
Kollektor-Emitter
Sättigungsspann
ung
Ee = 0.5 mW/cm2,
VCE = 5 V
Ee = 0.5 mW/cm2,
VCE = 5 V
IC = 1 mA,
VCC = 5 V,
RL = 1 kΩ
IC = IPCEmin x 0.3,
Ee = 0.5 mW/cm2
IPCE, min [µA] IPCE, max [µA] tr, tf [µs] VCEsat [mV]
SFH 303 FA - 2 1000 2000 11 150
SFH 303 FA - 3 1600 3200 13 150
SFH 303 FA - 4 2500 15 150
Group Current gain
Gruppe Stromverstärkung
Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
IPCE / IPCB
SFH 303 FA - 2 375
SFH 303 FA - 3 600
SFH 303 FA - 4 920
Note.: The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity.
Anm.: Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert.
Version 1.1 SFH 303 FA
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Relative Spectral Sensitivity
Relative spektrale Empfindlichkeit
Srel = f(λ)
Photocurrent
Fotostrom
IPCE = f(Ee), VCE = 5 V
Collector Current
Kollektorstrom
IC = f(VCE), IB = Parameter
Dark Current
Dunkelstrom
ICEO = f(VCE), E = 0
400
0nm
%
OHF04045
20
40
60
80
100
λ
rel
S
10
30
50
70
500 600 700 800 900 1100
OHF04049
V
CE
0
10
101
10-1
10-2
CEO
I
nA
0V510 15 20 25 30 35
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Version 1.1 SFH 303 FA
Dark Current
Dunkelstrom
ICEO = f(TA), E = 0
Collector-Base Capacitance
Kollektor-Basis Kapazität
CCB = f(VCB), f = 1 MHz, E = 0
Collector-Emitter Capacitance
Kollektor-Emitter Kapazität
CCE = f(VCE), f = 1 MHz, E = 0
Emitter-Base Capacitance
Emitter-Basis Kapazität
CEB = f(VEB), f = 1 MHz, E = 0
nA
OHF04050
CEO
I
A
T
-2
10
-1
10
100
1
10
102
3
10
104
-25 0 25 50 75 100˚C
0
pF
OHF04053
CB
C
CE
V
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
2
4
6
8
10
12
14
16
0
pF
OHF04051
CE
C
CE
V
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
1
2
3
4
5
6
7
8
0
pF
OHF04054
EB
C
EB
V
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
2
4
6
8
10
12
14
16
18
22
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Directional Characteristics
Winkeldiagramm
Srel = f(ϕ)
Package Outline
Maßzeichnung
Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch).
9.0 (0.354)
8.2 (0.323)
25.2 (0.992)
24.2 (0.953)
1.8 (0.071)
1.2 (0.047)
7.8 (0.307)
7.5 (0.295)
0.7 (0.028)
0.4 (0.016)
0.6 (0.024)
0.4 (0.016)
11.5 (0.453)
10.9 (0.429)
6.9 (0.272)
2.54 (0.100)
spacing
2.54 (0.100)
spacing
5.1 (0.201)
4.8 (0.189)
5.9 (0.232)
5.5 (0.217)
0.6 (0.024)
0.4 (0.016)
B
Chip position
Area not flat
GEOY6351
CE
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Version 1.1 SFH 303 FA
TTW Soldering
Wellenlöten (TTW)
IEC-61760-1 TTW / IEC-61760-1 TTW
0
0s
OHA04645
50
100
150
200
250
300
t
T
˚C
235 ˚C - 260 ˚C
First wave
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240
Second wave
10 s max., max. contact time 5 s per wave
Preheating
T
Δ
100 ˚C
120 ˚C
130 ˚C
Typical
Cooling
ca. 3.5 K/s typical
ca. 2 K/s
ca. 5 K/s
Continuous line: typical process
Dotted line: process limits
< 150 K
Version 1.1 SFH 303 FA
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Disclaimer Disclaimer
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The information describes the type of component and
shall not be considered as assured characteristics.
Terms of delivery and rights to change design reserved.
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dangerous substances.
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can also help you – get in touch with your nearest sales
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By agreement we will take packing material back, if it is
sorted. You must bear the costs of transport. For
packing material that is returned to us unsorted or which
we are not obliged to accept, we shall have to invoice
you for any costs incurred.
Components used in life-support devices or
systems must be expressly authorized for such
purpose!
Critical components* may only be used in life-support
devices** or systems with the express written approval
of OSRAM OS.
*) A critical component is a component used in a
life-support device or system whose failure can
reasonably be expected to cause the failure of that
life-support device or system, or to affect its safety or the
effectiveness of that device or system.
**) Life support devices or systems are intended (a) to be
implanted in the human body, or (b) to support and/or
maintain and sustain human life. If they fail, it is
reasonable to assume that the health and the life of the
user may be endangered.
Bitte beachten!
Lieferbedingungen und Änderungen im Design
vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen
können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere
Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie
sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses
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finden Sie die aktuellste Version im Internet.
Verpackung
Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege.
Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich
bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen
das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart
wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die
Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das
unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht
annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden
Kosten in Rechnung.
Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und
Systemen eingesetzt werden, müssen für diese
Zwecke ausdrücklich zugelassen sein!
Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden
Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt
werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von
OSRAM OS vorliegt.
*) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in
lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen
eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu
einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates
oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder
Effektivität dieses Apparates oder Systems
beeinträchtigt.
**) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für
(a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder
(b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie
versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die
Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist.
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