
■外観図 OUTLINE
194 (J534)
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
'PSEFUBJMTPGPVUMJOFEJNFOTJPOTSFGFSUPPVSXFCTJUFPSUIF4FNJDPOEVDUPS
4IPSU'PSN$BUBMPH"TGPSUIFNBSLJOHSFGFSUPUIFTQFDJàDBUJPOi.BSLJOH
5FSNJOBM$POOFDUJPOu
面実装デバイス 単体型
Surface Mounting Device Single Diode
Rectifier Diode
M2F60
600V 1.2A
Package:M2F Unit:mm
Weight:0.072g(typ.)
3.75
5.1
①
②
①②
V6
196
ロット記 号(例)
Datecode
管理番号(例)
ControlNo.
品名略号
TypeNo.
カソードマーク
Cathodemark
2
■定格表 RATINGS
℃
℃
V
A
A
A2s
V
μA
℃/W
項 目
Item
記号
Symbol
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
熱抵抗
Thermal Resistance
Tstg
Tj
VRM
IO
IFSM
VF
IR
50Hz正弦波,非繰り返し1サイクルせん頭値,Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
50Hz正弦波,抵抗負荷,
50Hz sine wave, Resistance load
Ta = 55℃
Ta = 51℃
パルス測定
Pulse measurement
接合部・周囲間
Junction to Ambient
アルミナ基板実装
On alumina substrate
プリント基板実装
On glass-epoxy substrate
パルス測定
Pulse measurement
プリント基板実装
On glass-epoxy substrate
アルミナ基板実装
On alumina substrate
IF=1.2A,
VR=600V,
MAX0.97
MAX10
MAX33
MAX90
MAX120
−55〜150
150
600
0.9
1.2
50
7.4
電流二乗時間積
Current Squared Time 1ms≦t<10ms, Tj = 25℃
I2t
条 件
Conditions
品 名
TypeNo. 単位
Unit
M2F60
θjl
θja
接合部・リード間
Junction to Lead
特長
•小型SMD
• 耐湿性に優れ高信頼性
•SmallSMD
•High-Reliability
Feature