D711N60K - Infineon Technologies

Netz

Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

Datenblatt / Data sheet

D 711N

BIP AC / SM PB 2003-05-27, Schneider / Keller 1/8 Seite/page

Kenndaten

Elektrische Eigenschaften

Elektri sch e Eig ens chaf ten / Ele ctric al properti es

Höchstzul ässige Werte / M aximum rated val ues

Periodische Rüc kwärts-Spitze nsp errspan nu ng

repetiti ve pea k reverse voltag es

Tvj = -40°C... Tvj max V

RRM 580 0

6500

6000

6800

Periodische Rüc kwärts-Spitze nsp errspan nu ng

repetiti ve pea k reverse voltag es

Tvj = 0°C... Tvj max V

RRM 600 0

6700

6200

7000

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

ma xi mu m RMS o n- stat e current

FRMSM 1670 A

Dauerg renzstrom

averag e on-sta te c urrent

TC = 100 °C

TC = 60 °C

IFAVM 790

1060

Stoßstrom-Grenz wert

surg e current

Tvj = 25 °C, t P = 10 ms

Tvj = Tvj max, tP = 10 ms

IFSM 12500

10500

Grenzlastinteg ral

I²t-value

Tvj = 25 °C, t P = 10 ms

Tvj = Tvj max, tP = 10 ms

I²t 780

550

10³ A²s

Spitzensperrverlustl eistung

Surg e re verse power dissipa tion

Tvj = 25 °C, t P = 20 µs

Tvj = Tvj max, tP = 20 µs

PRSM 80

10³ W

Chara kteristisch e Werte / Ch aracteristic values

Durchlaßspannung

on-stat e voltage

Tvj = Tvj max , iF = 1200 A

typ.

ma x.

1,7 7

1,9

Schleus ens pa nn ung

threshold voltag e

Tvj = Tvj max V

(TO) typ.

ma x.

0,7 9

0,8 4

Ersatzwi dersta nd

slope resist anc e

Tvj = Tvj max r

T typ.

ma x.

0,8 1

0,8 7

mΩ

A 0,7

B 0,000438

C -0,038

typ.

D 0,0 234

A 0,749

B 0,000496

C -0,04065

Durchlaßkennlinie 400A ≤ iF ≤ 1 200A

on-stat e c haract eristic

Tvj = Tvj max

ma x.

D 0,0 25

Rückwärts-Sperrstrom

reverse current

Tvj = Tvj max, vR = VRRM i

R ma x. 50 mA

prepar ed by: C. Schn eider dat e of p ublicatio n: 1.1 2.04

appro ved by: J. Przybilla revision: 5

TTF

iDiLnCiBAv ⋅++⋅+⋅+= )1(

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Thermische Eigenschaften

Mechanische Eigenschaften

Elektri sch e Eig ens chaf ten / Ele ctric al properti es

Chara kteristisch e Werte / Ch aracteristic values

Sperr verzögerungsladung

recovered charge

VR = 100 0V, Tvj = Tvj max

C = 0,22µF, R = 83Ω

iTM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs

max. 5,5 mAs

Rückstr oms pitze

peak re verse r eco ver y c urrent VR = 100 0V, Tvj = Tvj max

C = 0,22µF, R = 83Ω

iTM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs

IRM

max. 200 A

Sperr verzögerungsladung

recovered charge VR = 100 V, Tvj = Tvj max

C = 0,22µF, R = 83Ω

iTM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs

typ. 4,5 mAs

Rückstr oms pitze

peak re verse r eco ver y c urrent VR = 100 V, Tvj = Tvj max

C = 0,22µF, R = 83Ω

iTM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs

IRM

typ. 170 A

Thermische Eigenschaften / Th ermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junc tion to case

Kühlfläc he / co oling surfac e

beids eitig / two-sided, θ = 180°sin

beids eitig / two-sided, DC

Ano de / anode, DC

Kathode / c at hod e, DC

Rth J C

ma x.

0,0 315

0,0 28

0,0 54

0,0 58

°C/W

Überg angs-Wärmewi derstand

thermal resistance, case to heatsi nk

Kühlfläc he / co oling surfac

beids eitig / two-sided

einseitig / single-side d

Rth C H

ma x.

0,0 06

0,0 12

°C/W

Höchstzul ässige Sperrschichttemperatur

maxi mum junction temperat ure

vj max 160 °C

Betriebs temp eratur

opera ting temperat ure

c op -40...+160 °C

Lagerte mperatur

storag e t emperat ure

stg -40...+160 °C

Mechanis che Eigen schaften / Mech anic al prope rties

Geh äuse , sie he Anlage

case, s ee annex

Seite 3

page 3

Si-Element mit Druc kkont a kt

Si-pellet with press ure contac t

38DNE68

Anpress kraft

clampi ng force

F 10.. .16 kN

Gewic ht

weig ht

G typ. 250 g

Kriechstrecke

creepag e distance

30 mm

Schwingfestigkeit

vibration r esistanc e

f = 50 Hz 50 m/s²

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Maßbild

1: Anode/Anode

2: Kathode/Cathode

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R,t – Werte

R,T-Werte

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC

Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC

Pos. n 1 2 3 4 5 6 7

Rthn [°C/W] 0,0 131 6 0,0 0706 0,0 0552 0,00225 0,0 0001

beidseitig

two-sided τn [s] 0,6 36 0,0 967 0,0 16 0,0 0428 0,0 003

Rthn [°C/W] 0,0 414 2 0,0 014 2 0,0 09 0,00558 0,00058

anodenseitg

anode-sided τn [s] 3,2 2 0,2 56 0,0 79 0,0 092 0,0 023 9

Rthn [°C/W] 0,0 351 4 0,0 038 0,0 0823 0,0 054 7 0,0 0136

kathodenseitig

cathode-sided τn [s] 4,1 7 0,3 78 0,0 86 0,0 117 0,0 035 4

Analytische Funktion / Analytical function: Σ−= τ

ma x

n=1 thnthJC n

-t

e1RZ

0,0 05

0,0 1

0,0 15

0,0 2

0,0 25

0,0 3

0,0 35

0,0 4

0,0 45

0,0 5

0,0 55

0,0 6

0,001 0,01 0,1 1 10 100

t / [sec.]

Z (th) JC / [ K/W ]

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z th J C = f(t) for DC

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

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Diagramme

Durchlasskennlinie

Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)

Tvj = Tvj max

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Tc beidseitig

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)

Tvj=T

vjmax, C = 0,22µF, R = 83Ω

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Ta bei Sinus

Rückstromspitze / Peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)

Tvj=T

vjmax, C = 0,22µF, R = 83Ω

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lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir we isen darauf hin, dass wir für diese Fälle

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend

empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig

machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.

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- to perform joint Risk and Quality Assessments;

- the conclusion of Quality Agreements;

- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on

the realization of any such measures.

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