Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 901N 28...36TOH N Features: Volle Sperrfahigkeit bei 120 mit 50 Hz Full blocking capability at 120C with 50 Hz Hohe Stostrome und niedriger Warmewidererstande durch NTV-Verbindung zwischen Silizium und Mo-Tragerscheibe. High surge currents and low thermal resistance by using low temperature-connection NTV between silicon wafer and molybdenum. Elektroaktive Passivierung durch a - C:H Electroactive passivation by a - C:H Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hochstzulassige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwarts - und Ruckwarts - Spitzensperrspannung repetitive peak forward off-state and reverse voltage tvj = -40C ... tvj max f = 50 Hz Durchlastrom-Grenzeffektivwert RMS forward current VDRM, VRRM 3600 3500 3400 3200 2800 V V V V V ITRMSM 2050 A 950 A 1300 A Dauergrenzstrom mean forward current tC = 85C, f = 50Hz tC = 60C, f = 50Hz ITAVM Stostrom-Grenzwert surge forward current tvj = 25C, tp = 10ms, VR = 0 tvj = tvj max, tp = 10ms, VR = 0 IFSM Grenzlastintegral 2 I t-value tvj = 25C, tp = 10ms tvj = tvj max, tp = 10ms It Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6 f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/s (di/dt)cr 80 A/s Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state current tvj = tvj max, vD = 0,67 VDRM 5. Kennbuchstabe / 5 th letter F (dv/dt)cr 1000 V/s tvj = tvj max, iT = 1,2 kA vT typ 1,5 max 1,75 tvj = tvj max V(TO) rT typ 1 0,413 max 1,16 0,494 tvj = tvj max A B C D typ -0,0764 0,00032 0,165 0,000816 max - 0,0802 0,00045 0,2085 -0,00524 Zundstrom gate trigger current tvj = 25C, vD = 6V IGT max Zundspannung gate trigger voltage tvj = 25C, vD = 6V VGT max Nicht zundender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = tvj max, vD = 6V tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM IGD 20 mA 10 mA nicht zundende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = 25C, vD = 0,5 VDRM VGD 0,4 V PM BIP / 2000-02-23, Keller Release 1 19 kA 17 kA 2 6 2 1,805*10 A s 2 6 1,445*10 A s Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannung on-state voltage Schleusenspannung / threshold voltage Ersatzwiderstand / slope resistance Durchlarechenkennlinien On - state characteristics for calculation 300 A iT 5000 A VT = A + B . iT + C . ln(iT+1) + D . iT V V m 350 mA 2,5 V Seite/page 1 Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 901N 28...36TOH N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Haltestrom holding current tvj = 25C, vD = 12V, RA = 4,7 IH 300 mA Einraststrom latching current tvj = 25C, vD = 12V, RGK 10 iGM = 3A, diG/dt= 6 A/s, tg = 20s IL 3 A Vorwarts- und Ruckwarts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = tvj max vD = VDRM, vR = VRRM iD, iR 100 mA Zundverzug gate controlled delay time DIN IEC 747-6 tvj = 25C, iGM = 3A, diG/dt = 6A/s tgd 1,6 s Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time tvj = tvj max, iTM = ITAVM vRM = 100V, vDM = 0,67 VDRM dvD/dt = 20V/s, -diT/dt = 10A/s 4. Kennbuchstabe / 4 th letter O tq Sperrverzogerungsladung recovered charge tvj = tvj max ITM = 2 kA, di/dt = 10 A/s VR = 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM Qr Ruckstromspitze peak reverse recovery current tvj = tvj max ITM = 2 kA, di/dt = 10 A/s VR = 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM IRM PM BIP / 2000-02-23, Keller Release 1 typ 300 s max. 7,5 mAs 220 A Seite/page 2 Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 901N 28...36TOH N Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, = 180sin beidseitig / two-sided , DC RthJC 0,018 C/W 0,017 C/W Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig / two-sided RthCK 0,004 C/W Hochstzulassige Sperrschichttemperatur max. junction temperature tvj max 125 C Betriebstemperatur operating temperature tc op -40...+125 C Lagertemperatur storage temperature tstg -40...+150 C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehause, siehe Anlage case, see appendix Seite 4 Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate Si-pellet with pressure contact, amplifying gate 55TN36 Anprekraft clampig force F Gewicht weight G Kriechstrecke creepage distance 15...24 kN typ 550 g 25 mm Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz C 2 50 m/s Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehorigen technischen Erlauterungen. This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. PM BIP / 2000-02-23, Keller Release 1 Seite/page 3 Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor PM BIP / 2000-02-23, Keller T 901N 28...36TOH Release 1 N Seite/page 4 Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 901N 28...36TOH N Durchlakennlinien iT = f ( vT ) Limiting and typical on-state characteristic tvj = 125 C 5500 5000 4500 4000 3500 typ max 2 3 I T (A) 3000 2500 2000 1500 1000 500 0 0 1 4 VT [V] PM BIP / 2000-02-23, Keller Release 1 Seite/page 5 Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 901N 28...36TOH N Transienter innerer Warmewiderstand Transient thermal impedance Zth JC = f (t) doppelseitige Kuhlung r [K/W] [s] 1 0,00554 1,13 2 0,00029 0,805 3 0,0081 0,129 4 0,002 0,0145 5 0,00107 0,004 0,017 - anodenseitige Kuhlung r [K/W] [s] 0,02071 6,03 0,0089 0,15 0,00032 0,0934 0,002 0,0145 0,00107 0,004 0,033 - kathodenseitige Kuhlung r [K/W] [s] 0,02271 5,8 0,0089 0,15 0,00032 0,0934 0,002 0,0145 0,00107 0,004 0,035 - 0,04 Z thJC = n=1 Rthn (1 - e - t /n ) nmax k 0,035 a 0,025 0,02 0,015 0,01 0,005 0,001 0,01 0,1 1 10 0 100 t / [sec.] PM BIP / 2000-02-23, Keller Release 1 Seite/page 6 Z (th) JC / [K/W] 0,03 Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 901N 28...36TOH N Sperrverzogerungsladung / recoverd charge Qrr = f (di/dt) tvj = 125C, ITM = 2000A, vR = 0,5VRRM, vR = 0,8VRRM 50 40 30 20 10 Qrr [mAs] 9 8 7 max 6 5 4 3 2 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 20 30 -di/dt [A/s] PM BIP / 2000-02-23, Keller Release 1 Seite/page 7