シリーズ一覧
■一般用サイリスタ
用 途
■一般用サイリスタ
直流モータ制御、静止スイッチ、電気炉の温度制御、溶接機制御、化学用直流電流
■高速スイッチングサイリスタ
インバータ、DCチョッパ
形     名
CR152AL-24
CR202AM-36
CR252AP-12
CR252AM-36
CR402AM-36
FT302AM-36
FT402AL-32
FT402AM-36
FT502AH-80
FT502BH-44
FT502AL-32
FT802AL-24
FT802AV-90
FT1500AU-240
ピーク繰返し
逆電圧・オフ電圧
VRRM,VDRM
(V)
1200
1800
600
1800
1800
1800
1600
1800
4000
2200
1600
1200
4500
12000
最 大 定 格
平均オン電流
IT(AV)
(A)
150(TC=90℃)
175(TC=88℃)
250(TC=110℃)
250(TC=84℃)
350(TC=72℃)
300(Tf=68℃)
400(Tf=86℃)
400(Tf=86℃)
320(Tf=58℃)
500(Tf=74℃)
500(Tf=75℃)
800(Tf=52℃)
800(Tf=62℃)
1500(Tf=88℃)
サージ
オン電流
ITSM
(A)
4000
5500
5500
8400
10000
5500
9000
9000
5500
12000
10500
15000
9000
34000
臨界オン
電流上昇率
di/dt
(A/ms)
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
75
100
電気的特性
外 形
スタッド形M12
スタッド形M20
スタッド形M20
スタッド形M24
スタッド形M24
平形f19
平形f25.1
平形f25.1
平形f34
平形f34
平形f25.1
平形f34
平形f47
平形f105
ページ
2
5
8
11
14
17
20
23
26
29
32
35
38
41
接合温度
Tj
(℃)
125
125
150
125
125
125
125
125
125
125
125
125
125
125
臨界オフ
電圧上昇率
(min)
dv/dt
(V/ms)
300
300
300
300
300
350
350
350
1000
350
300
300
800
2000
ゲート
トリガ電流
(max)
IGT
(mA)
100
150
120
150
150
150
150
150
200
150
150
150
300
350
ゲート
トリガ電圧
(max)
VGT
(V)
1.5
1.5
1.5
1.5
2.5
1.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
4.5
2.5
形     名
CR152AY-24
FT502AY-24
ピーク繰返し
逆電圧・オフ電圧
VRRM,VDRM
(V)
1200
1200
最 大 定 格
平均オン電流
IT(AV)
(A)
150(TC=87℃)
410(Tf=80℃)
サージ
オン電流
ITSM
(A)
4000
8500
臨界オン
電流上昇率
di/dt
(A/ms)
100
400
電気的特性
外 形
スタッド形M12
平形f34
ページ
45
48
接合
温度
Tj
(℃)
125
125
臨界オフ
電圧上昇率
(min)
dv/dt
(V/ms)
300
400
ゲート
トリガ電流
(max)
IGT
(mA)
100
200
ゲート
トリガ電圧
(max)
VGT
(V)
2.0
2.5
■高速スイッチングサイリスタ
ターン
オフ時間
(max)
tq
ms)
15
20
概 要
三菱サイリスタは400V〜12000V/150A〜5000Aのシリーズをラインアップしています。このデー
タシートには1997年版三菱半導体データブック、大電力/スタック編(1996年10月発行)に掲載
しております品種のうち一部仕様を見直した品種を掲載しています。
三菱半導体〈サイリスタ〉
CR××2A×,FT××2A,FT1500AUシリーズ
大電力一般用・高周波用
スタッド形・平形
http://store.iiic.cc/
26
三菱半導体〈一般用サイリスタ〉
FT502AH-80
大電力一般用
平形
FT502AH-80 外形図 単位:mm
用 途
製鉄、製紙用などの各種サイリスタレオナード電源、静止スイッチ、電気炉の温度制御、抵抗
溶接機制御、化学用直流電源
¡IT(AV) 平均オン電流 ………………………… 320A
¡VDRM ピーク繰返しオフ電圧 ……………… 4000V
¡平形
商用周波数,正弦半波180度連続通電,Tf = 58°C
60Hz正弦半波1サイクル波高値,非繰返し
1サイクルサージオン電流に対する値
VD = 1/2VDRMIGM = 1.0ATj = 125°C
推奨値14.5
標準値
IT(RMS)
IT(AV)
ITSM
I2t
diT/dt
PFGM
PFG(AV)
VFGM
VRGM
IFGM
Tj
Tstg
記 号
VRRM
VRSM
VR(DC)
VDRM
VDSM
VD(DC)
ピーク繰返し逆電圧
ピーク非繰返し逆電圧
直流逆電圧
ピーク繰返しオフ電圧
ピーク非繰返しオフ電圧
直流オフ電圧
項    目
V
V
V
V
V
V
最大定格
耐  圧  ク  ラ  ス
A
A
A
A2s
A/ms
W
W
V
V
A
°C
°C
kN
g
記 号 項    目 条    件 単位定  格  値
500
320
5500
1.26 × 105
150
50
5
20
4
4
–40 ~ +125
–40 ~ +150
13.4 ~ 15.6
227
実効オン電流
平均オン電流 
サージオン電流
電流二乗時間積
臨界オン電流上昇率
ピークゲート損失
平均ゲート損失
ピークゲート順電圧
ピークゲート逆電圧
ピークゲート順電流
接合温度
保存温度
圧接力強度
質量
単位
80
4000
4100
3200
4000
4000
3200
0.4min0.4min
26.8±0.9
形名
f34.0±0.5
f59max
f34.0±0.5 f3.5±0.2
2.0±0.3フカサ
f3.5±0.2
2.0±0.3フカサ
陰極
陽極
310±10
f3.7
補助陰極端子(赤)
ゲート(白)
http://store.iiic.cc/
27
IRRM
IDRM
VTM
dv/dt
VGT
VGD
IGT
Rth(j-f)
三菱半導体〈一般用サイリスタ〉
FT502AH-80
大電力一般用
平形
逆電流
オフ電流
オン電圧
臨界オフ電圧上昇率
ゲートトリガ電圧
ゲート非トリガ電圧
ゲートトリガ電流
熱抵抗
mA
mA
V
V/ms
V
V
mA
°C/W
1000
0.20
記 号 項    目 測 定 条 件 規  格  値
最 小 標 準 最 大 単位
50
50
3.50
2.5
200
0.06
電気的特性
Tj = 125°CVRRM 印加
Tj = 125°CVDRM 印加
Tj = 125°CITM = 1000A,瞬時測定
Tj = 125°CVD = 1/2VDRM
Tj = 25°CVD = 6VRL = 2
Tj = 125°CVD = 1/2VDRM
Tj = 25°CVD = 6VRL = 2
接合−フィン間
定格特性図
10
–1
10
0
2
3
5
7
10
1
2
3
5
7
10
2
2
3
5
7
10
1
2
10
2
357 2
10
3
357 2
10
4
357
V
FGM
= 20V P
FGM
= 50W
V
GT
= 2.5V
V
GD
= 0.2V
P
FG(AV)
= 5.0W
I
FGM
= 4.0A
I
GT
= 200mA
T
j
=25°C
オン電流 (A)
オン電圧 (V)
最大オン状態特性
サージオン電流 (A)
通電時間
(60Hzにおけるサイクル数)
定格サージオン電流
ゲート電圧 (V)
ゲート電流 (mA)
ゲート特性
過渡熱インピーダンス (°C/W)
時間 (s)
最大過渡熱インピーダンス特性
(接合−フィン間)
0
0.01
0.02
0.03
0.08
0.05
0.06
0.07
10
–3
2
10
–2
357 2
10
–1
357 2
10
0
357
10
0
2
10
1
357 2 2
10
2
357
0.04
10
1
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
10
4
2
3
5
7
0 2.0 4.0 6.0 8.01.0 3.0 5.0 7.0
T
j
= 125°C
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
10
0
10
1
23 57
10
2
23 57
http://store.iiic.cc/
28
三菱半導体〈一般用サイリスタ〉
FT502AH-80
大電力一般用
平形
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0 32040 80 120 160 200 240 280
θ= 30° 60° 90° 180°
θ
360°
抵抗,誘導負荷
120°
0
400
800
1200
1600
2000
0 100 200 300 400 500
360°
抵抗,誘導負荷
θ
θ= 30° 60° 90°
DC
120° 180° 270°
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0 100 200 300 400 500
360°
抵抗,誘導負荷
θ
DC270°
θ= 30° 60° 90° 180°
120°
0
150
300
450
600
750
900
1050
1200
0 32040 80 120 160 200 240 280
θ
360°
抵抗,誘導負荷
θ= 30°
60°
90° 120°180°
フィン温度 (°C)
平均オン電流 (A)
平均オン電流の限界値
(単相半波)
オン状態損失 (W)
平均オン電流 (A)
最大オン状態損失特性
(方形波)
フィン温度 (°C)
平均オン電流 (A)
平均オン電流の限界値
(方形波)
オン状態損失 (W)
平均オン電流 (A)
最大オン状態損失特性
(単相半波)
http://store.iiic.cc/
安全設計に関するお願い
弊社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品は故障が発生したり、
動作する場合があります。弊社の半導体製品の故障又は誤動作によって結果として、
人身事故、火災事故、社会的損害などを生じさせないような安全性を考慮した冗長設
計、延焼対策設計、誤動作防止設計などの安全設計に十分ご留意ください。
本資料ご利用に際しての留意事項
本資料は、お客様が用途に応じた適切な三菱半導体製品をご購入いただくための参考
資料であり、本資料中に記載の技術情報について三菱電機が所有する知的財産権その
他の権利の実施、使用を許諾するものではありません。
本資料に記載の製品データ、図、表、プログラム、アルゴリズムその他応用回路例の
使用に起因する損害、第三者所有の権利に対する侵害に関し、三菱電機は責任を負い
ません。
本資料に記載の製品データ、図、表、プログラム、アルゴリズムその他全ての情報は
本資料発行時点のものであり、三菱電機は、予告なしに、本資料に記載した製品また
は仕様を変更することがあります。三菱半導体製品のご購入に当たりましては、事前
に三菱電機または特約店へ最新の情報をご確認頂きますとともに、三菱電機半導体情
報ホームページ(http://www.semicon.melco.co.jp/)などを通じて公開される情報に
常にご注意ください。
本資料に記載した情報は、正確を期すため、慎重に制作したものですが万一本資料の
記述誤りに起因する損害がお客様に生じた場合には、三菱電機はその責任を負いませ
ん。
本資料に記載の製品データ、図、表に示す技術的な内容、プログラム及びアルゴリズ
ムを流用する場合は、技術内容、プログラム、アルゴリズム単位で評価するだけでな
く、システム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してくださ
い。三菱電機は、適用可否に対する責任は負いません。
本資料に記載された製品は、人命にかかわるような状況の下で使用される機器あるい
はシステムに用いられることを目的として設計、製造されたものではありません。
資料に記載の製品を運輸、移動体用、医療用、航空宇宙用、原子力制御用、海底中継
用機器あるいはシステムなど、特殊用途へのご利用をご検討の際には、三菱電機また
は特約店へご照会ください。
本資料の転載、複製については、文書による三菱電機の事前の承諾が必要です。
本資料に関し詳細についてのお問い合わせ、その他お気付きの点がございましたら三
菱電機または特約店までご照会ください。
http://store.iiic.cc/