Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode D 1381 S 45 T
SZ-M / 16 June 1997, M. Beuermann Seite/page
S
1
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage tvj = -40°C ... tvj max VRRM 4500 V
Stoßspitzensperrspannung
non-repetetive peak reverse voltage tvj = +25°C ... tvj max VRSM 4600 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current IFRMSM 2560 A
Dauergrenzstrom
mean forward current tC = 85°C, f = 50Hz
tC = 70°C, f = 50Hz IFAVM 1380
1630 A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current tvj = tvj max, tp = 10ms IFSM 32 kA
Grenzlastintegral
I2t-value I2t5,12-106A2s
Period. Abklingsteilheit des Durchlaßstroms beim Ausschalten
repetitive decay rate of on-state current at turn-of iFM = 3000A, vR = 0,67 VRRM
CS = 3µF, RS = 4Ω
DS = D291S45T
(-diF/dt)com 500 A/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung
continuous direct reverse voltage failure rate λ < 100
estimate value VR(D) typ. 3000 V
Durchlaßspannung
forward voltage tvj = tvj max, iF = 2500A vFmax 2,6 V
Schleusenspannung
threshold voltage tvj = tvj max V(TO) 1,4 V
Ersatzwiderstand
forward slope resistance tvj = tvj max rT0,48 mΩ
Durchlaßrechenkennlinie
On-state characteristics for calculation
(
)
VA B iCiDi
F F F F
=+⋅+⋅+ + ⋅ln 1
tvj = tvj max A
B
C
D
max.
-1,712
0,000708
0,688
-0,0566
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage tvj = tvj max, diF/dt = 500A/µs VFRM typ. 57 V
Sperrstrom
reverse current tvj = tvj max, vR = VRRM iR100 mA
Rückstromspitze
peak reverse recovery current tvj = tvj max
iFM = 1000A, -diF/dt = 250A/µs
vR = 1000V, CS = 3µF, RS = 4Ω
DS = D291S45T
IRM max 700 A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge tvj = tvj max
iFM = 1000A, -diF/dt = 250A/µs
vR = 1000V, CS = 3µF, RS = 4Ω
DS = D291S45T
Qrmax 2800 µAs
Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode D 1381 S 45 T
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Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode /cathode, DC
RthJC max
max
max
0,0125
0,0228
0,0277
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single sided
RthCK max
max 0,003
0,006 °C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature tvj max 140 °C
Betriebstemperatur
operating temperature tc op -40...+140 °C
Lagertemperatur
storage temperature tstg -40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix Seite 3
Anpreßkraft
clampig force F27...45 kN
Gewicht
weight Gtyp 850 g
Kriechstrecke
creepage distance 30 mm
Luftstrecke
air distance 20 mm
Feuchteklasse
humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit
vibration resistance f = 50Hz 50 m/s2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Outline Drawing
26+-0.5
∅
100
max
∅
62,8
C
A
2 center holes
∅ 3.5 ×1.8
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