Semiconductor Group 518
LD 260
LD 262 ... LD 269
GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen
GaAs Infrared Emitter Arrays
Wesentliche Merkmale
●
GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
●
Hohe Zuverlässigkeit
●
Gehäusegleich mit BPX 80-Serie
Anwendungen
●
Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
●
Lochstreifenleser
●
Industrieelektronik
●
“Messen/Steuern/Regeln”
Features
●
GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
●
High reliability
●
Same package as BPX 80 series
Applications
●
Miniature light-reflecting switches for steady
and varying intensity
●
Punched tape-readers
●
Industrial electronics
●
For control and drive circuits
LD 260
LD 262 ... LD 269
Ma
β
e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
fez06365
feo06367
10.95
LD 260
LD 262 ... LD 269
Semiconductor Group 519
Grenzwerte
(
T
A
= 25
o
C)
Maximum Ratings
Typ
Type
IRED
pro Zeile
per row
Ma
β
“A”
Dimension “A”
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
min. max.
LD 262 2 4.5 4.9 Q62703-Q70 Zeilenbauform, Leiterbandge-
häuse, klares Epoxy-Gie
β
harz, lin-
senförmig, Anschlüsse im 2.54-
mm-Raster (
1
/
10
’’), Kathoden-
kennzeichnung: Nase am Lötspie
β
Lead frame arrays, transparent
epoxy resin lens, solder tabs, lead
spacing 2.54 mm (
1
/
10
’’), cathode
marking: projection at solder lead
LD 263 3 7 7.4 Q62703-Q71
LD 264 4 9.6 10 Q62703-Q72
LD 265 5 12.1 12.5 Q62703-Q73
LD 266 6 14.6 15 Q62703-Q74
LD 267 7 17.2 17.6 Q62703-Q75
LD 268 8 19.7 20.1 Q62703-Q76
LD 269 9 22.3 22.7 Q62703-Q77
LD 260 10 24.8 25.2 Q62703-Q78
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
– 40 ... + 80
o
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
80
o
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5V
Durchla
β
strom
Forward current
I
F
50 mA
Sto
β
strom,
τ
≤
10
µ
s,
D
= 0
Surge current
I
FSM
1.6 A
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
70 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
R
thJL
750
650 K/W
K/W
Semiconductor Group 520
LD 260
LD 262 ... LD 269
Kennwerte
(
T
A
= 25
o
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20 ms
λ
peak
950 nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
I
F
= 50 m A,
t
p
= 20 ms
∆λ
55 nm
Abstrahlwinkel
Half angle
ϕ±
30 Grad
deg.
Aktive Chipfläche
Active chip area
A
0.25 mm
2
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area
L
x
B
L
x
W
0.5 x 0.5 mm
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip surface to lens top
H
1.3 ... 1.9 mm
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10%, bei
I
F
= 50 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 50 mA,
R
L
= 50
Ω
t
r
,
t
f
1
µ
s
Kapazität,
V
R
= 0 V
Capacitance
C
o
40 pF
Durchla
β
spannung,
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20
µ
s
Forward voltage
V
F 1.25 (≤ 1.4) V
Sperrstrom, VR = 5 V
Reverse current IR0.01 (≤ 1)µA
Gesamtstrahlungsfluβ, IF = 50 mA, tp = 20 ms
Total radiant flux Φe9mW
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
IF = 50 mA
Temperature coefficient of Ie or Φe,
IF = 50 mA
TCI – 0.55 %/K
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 50 mA
Temperature coefficient of VF, IF = 50 mA TCV– 1.5 mV/K
Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 50 mA
Temperature coefficient of λpeak, IF = 50 mA TCλ0.3 nm/K
Strahlstärke, IF = 50 mA, tp = 20 ms
Radiant intensity Ietyp. 5 (≥ 2.5) mW/sr
LD 260
LD 262 ... LD 269
Semiconductor Group 521
Relative spectral emission
Irel = f (λ)
Forward current
IF = f (VE), single pulse, tp = 20 µs
Radiant intensity
Single pulse, tp = 20 µs
Permissible pulse handling capability
IF = f (τ), TC = 25 oC,
duty cycle D = parameter
Ie
Ie100mA
-------------------- fI
F
()=Max. permissible forward current
IF = f (TA)
Radiation characteristics Irel = f (ϕ)
