LD 260 LD 262 ... LD 269 LD 260 LD 262 ... LD 269 feo06367 fez06365 GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Hohe Zuverlassigkeit Gehausegleich mit BPX 80-Serie Features GaAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process High reliability Same package as BPX 80 series Anwendungen Miniaturlichtschranken fur Gleich- und Wechsellichtbetrieb Lochstreifenleser Industrieelektronik "Messen/Steuern/Regeln" Applications Miniature light-reflecting switches for steady and varying intensity Punched tape-readers Industrial electronics For control and drive circuits Semiconductor Group 518 10.95 LD 260 LD 262 ... LD 269 Typ Type IRED pro Zeile per row Ma "A" Bestellnummer Gehause Dimension "A" Ordering Code Package min. max. LD 262 2 4.5 4.9 Q62703-Q70 LD 263 3 7 7.4 Q62703-Q71 LD 264 4 9.6 10 Q62703-Q72 LD 265 5 12.1 12.5 Q62703-Q73 LD 266 6 14.6 15 Q62703-Q74 LD 267 7 17.2 17.6 Q62703-Q75 LD 268 8 19.7 20.1 Q62703-Q76 LD 269 9 22.3 22.7 Q62703-Q77 LD 260 10 24.8 25.2 Q62703-Q78 Zeilenbauform, Leiterbandgehause, klares Epoxy-Gieharz, linsenformig, Anschlusse im 2.54mm-Raster (1/10''), Kathodenkennzeichnung: Nase am Lotspie Lead frame arrays, transparent epoxy resin lens, solder tabs, lead spacing 2.54 mm (1/10''), cathode marking: projection at solder lead Grenzwerte (TA = 25 oC) Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg - 40 ... + 80 oC Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj 80 oC Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Durchlastrom Forward current IF 50 mA Stostrom, 10 s, D = 0 Surge current IFSM 1.6 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 70 mW Warmewiderstand Thermal resistance RthJA RthJL 750 650 K/W K/W Semiconductor Group 519 LD 260 LD 262 ... LD 269 Kennwerte (TA = 25 oC) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlange der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 50 mA, tp = 20 ms peak 950 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 50 m A, tp = 20 ms 55 nm Abstrahlwinkel Half angle 30 Grad deg. Aktive Chipflache Active chip area A 0.25 mm2 Abmessungen der aktive Chipflache Dimension of the active chip area LxB LxW 0.5 x 0.5 mm Abstand Chipoberflache bis Linsenscheitel Distance chip surface to lens top H 1.3 ... 1.9 mm Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10%, bei IF = 50 mA, RL = 50 Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 50 mA, RL = 50 tr, tf 1 s Kapazitat, VR = 0 V Capacitance Co 40 pF Durchlaspannung, IF = 50 mA, tp = 20 s Forward voltage VF 1.25 ( 1.4) V Sperrstrom, VR = 5 V Reverse current IR 0.01 ( 1) A Gesamtstrahlungsflu, IF = 50 mA, tp = 20 ms e Total radiant flux 9 mW Temperaturkoeffizient von Ie bzw. e, IF = 50 mA Temperature coefficient of Ie or e, IF = 50 mA TCI - 0.55 %/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 50 mA Temperature coefficient of VF, IF = 50 mA TCV - 1.5 mV/K Temperaturkoeffizient von peak, IF = 50 mA Temperature coefficient of peak, IF = 50 mA TC 0.3 nm/K Strahlstarke, IF = 50 mA, tp = 20 ms Radiant intensity Ie typ. 5 ( 2.5) mW/sr Semiconductor Group 520 LD 260 LD 262 ... LD 269 Ie -------------------I e 100 mA = f (IF) Relative spectral emission Irel = f () Radiant intensity Forward current IF = f (VE), single pulse, tp = 20 s Permissible pulse handling capability IF = f (), TC = 25 oC, duty cycle D = parameter Single pulse, tp = 20 s Radiation characteristics Irel = f () Semiconductor Group 521 Max. permissible forward current IF = f (TA)