© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
October, 2006 − Rev. 11 1Publication Order Number:
2N3771/D
2N3771, 2N3772
2N3771 is a Preferred Device
High Power NPN Silicon
Power Transistors
These devices are designed for linear amplifiers, series pass
regulators, and inductive switching applications.
Features
•Forward Biased Second Breakdown Current Capability
IS/b = 3.75 Adc @ VCE = 40 Vdc − 2N3771
= 2.5 Adc @ VCE = 60 Vdc − 2N3772
•Pb−Free Packages are Available*
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (Note 1)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
2N3771
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2N3772
ÎÎ
ÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO
ÎÎÎ
ÎÎÎ
40
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
60
ÎÎ
ÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEX
ÎÎÎ
ÎÎÎ
50
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
80
ÎÎ
ÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Base Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB
ÎÎÎ
ÎÎÎ
50
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
100
ÎÎ
ÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter−Base Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VEB
ÎÎÎ
ÎÎÎ
5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
7.0
ÎÎ
ÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current − Continuous
Peak
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
IC
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
30
30
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
20
30
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current − Continuous
Peak
ÎÎÎ
ÎÎÎ
IB
ÎÎÎ
ÎÎÎ
7.5
15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
5.0
15
ÎÎ
ÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25°C
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
150
0.855
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
W
W/°C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
TJ, Tstg
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
–65 to +200
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
°C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎ
ÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance,
Junction−to−Case
ÎÎÎ
ÎÎÎ
qJC
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
1.17
ÎÎ
ÎÎ
°C/W
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. Indicates JEDEC registered data.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
Preferred devices are recommended choices for future use
and best overall value.
20 and 30 AMPERE
POWER TRANSISTORS
NPN SILICON
40 and 60 VOLTS, 150 WATTS
MARKING
DIAGRAM
TO−204AA (TO−3)
CASE 1−07
STYLE 1
2N377x = Device Code
x = 1 or 2
G = Pb−Free Package
A = Assembly Location
YY = Year
WW = Work Week
MEX = Country of Origin
2N377xG
AYYWW
MEX
2N3772 TO−204 100 Units / Tray
2N3772G TO−204
(Pb−Free) 100 Units / Tray
Device Package Shipping
2N3771 TO−204 100 Units / Tray
2N3771G TO−204
(Pb−Free) 100 Units / Tray
ORDERING INFORMATION
2N3771, 2N3772
http://onsemi.com
2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 2 and 3) 2N3771
(IC = 0.2 Adc, IB = 0) 2N3772
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VCEO(sus)
ÎÎÎ
ÎÎÎ
40
60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
−
−
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Sustaining Voltage 2N3771
(IC = 0.2 Adc, VEB(off) = 1.5 Vdc, RBE = 100 W) 2N3772
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCEX(sus)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
50
80
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
−
−
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Sustaining Voltage 2N3771
(IC = 0.2 Adc, RBE = 100 W) 2N3772
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCER(sus)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
45
70
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
−
−
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current (Note 2)
(VCE = 30 Vdc, IB = 0) 2N3771
(VCE = 50 Vdc, IB = 0) 2N3772
(VCE = 25 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICEO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
10
10
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current (Note 2)
(VCE = 50 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) 2N3771
(VCE = 100 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) 2N3772
(VCE = 45 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) 2N6257
(VCE = 30 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C) 2N3771
2N3772
(VCE = 45 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICEV
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
−
−
−
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.0
5.0
4.0
10
10
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current (Note 2)
(VCB = 50 Vdc, IE = 0) 2N3771
(VCB = 100 Vdc, IE = 0) 2N3772
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICBO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.0
5.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (Note 2)
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0) 2N3771
(VBE = 7.0 Vdc, IC = 0) 2N3772
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
IEBO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
5.0
5.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain (Note 3)
(IC = 15 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N3771
(IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N3772
(IC = 8.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
(IC = 30 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N3771
(IC = 20 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N3772
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hFE
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
15
15
5.0
5.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
60
60
−
−
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Saturation Voltage
(IC = 15 Adc, IB = 1.5 Adc) 2N3771
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc) 2N3772
(IC = 30 Adc, IB = 6.0 Adc) 2N3771
(IC = 20 Adc, IB = 4.0 Adc) 2N3772
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCE(sat)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
−
−
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.0
1.4
4.0
4.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base−Emitter On Voltage
(IC = 15 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N3771
(IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N3772
(IC = 8.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VBE(on)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.7
2.2
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 2)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current−Gain — Bandwidth Product
(IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc, ftest = 50 kHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
fT
ÎÎÎ
ÎÎÎ
0.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
−
ÎÎÎ
ÎÎÎ
MHz
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Small−Signal Current Gain
(IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hfe
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
40
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
−
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Second Breakdown Energy with Base Forward Biased, t = 1.0 s (non−repetitive)
(VCE = 40 Vdc) 2N3771
(VCE = 60 Vdc) 2N3772
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
IS/b
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
3.75
2.5
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
−
−
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Adc
2. Indicates JEDEC registered data.
3. Pulse Test: 300 ms, Rep. Rate 60 cps.
2N3771, 2N3772
http://onsemi.com
3
200
00 25 50 75 100 125 150 175 200
Figure 1. Power Derating
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
150
100
50
25
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
175
125
75
Figure 2. Thermal Response — 2N3771, 2N3772
t, TIME (ms)
1.0
0.01
0.02
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.05
r(t), EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL
RESISTANCE (NORMALIZED)
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 2000
qJC(t) = r(t) qJC
qJC = 0.875°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) − TC = P(pk) qJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
D = 0.5
0.2
0.05
0.01
SINGLE PULSE
0.1
0.02
1000
40
1.0
Figure 3. Active−Region Safe Operating Area
— 2N3771, 2N3772
VCE, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
30
20
10
2.0 2.0 3.0 5.0 10 30 50 70 100
7.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
dc
5.0
7.0
3.0
100 ms
1.0 ms
20
2N3771
2N3772, (dc)
40 ms
100 ms
500 ms
PULSE CURVES APPLY
FOR ALL DEVICES 2N3771
2N3772
200 ms
BONDING WIRE LIMITED
THERMALLY LIMITED
(SINGLE PULSE)
SECOND BREAKDOWN LIMITED
CURVES APPLY BELOW RATED VCEO
TC = 25°C
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate I C − V CE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation: i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
Figure 3 is based on JEDEC registered Data. Second
breakdown pulse limits are valid for duty cycles to 10%
provided TJ(pk) < 200_C. TJ(pk) may be calculated from the
data of Figure 2. Using data of Figure 2 and the pulse power
limits o f Figure 3, TJ(pk) will be found to be less than TJ(max)
for pulse widths of 1 ms and less. When using ON
Semiconductor transistors, it is permissible to increase the
pulse power limits until limited by TJ(max).
2N3771, 2N3772
http://onsemi.com
4
Figure 4. Switching Time Test Circuit
+11 V
25 ms
0
−9.0 V
RB
−4 V
D1
SCOPE
VCC
+30 V
RC
tr, tf ≤ 10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
51
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.:
1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA
RB AND RC ARE VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
10
0.3
Figure 5. Turn−On Time
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.01 0.5 0.7 1.0 2.0 5.0 7.0 30
VCC = 30
IC/IB = 10
TJ = 25°C
0.05
t, TIME (s)μ
td
tr
3.0
0.02
10 20
VBE(off) = 5.0 V
VCE, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
100
0.3
Figure 6. Turn−Off Time
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.1 0.5 1.0 2.0 5.0 7.0 30
VCC = 30 V
IC/IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
0.5
t, TIME (s)μ
tf
ts
3.0
0.2
10 20
2000
0.1
Figure 7. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
200 0.2 1.0 2.0 5.0 100
Cib
10 20
C, CAPACITANCE (pF)
1000
700
500
300
0.5 50
Cob
TJ = 25°C
500
0.3
Figure 8. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30
100
50
20
200
hFE, DC CURRENT GAIN
TJ = 150°C
25°C
−55 °C
7.0
300
70
30
10
7.0
VCE = 4.0 V
Figure 9. Collector Saturation Region
2.0
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
00.02 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
1.6
1.2
0.8
0.4
IC = 2.0 A
TJ = 25°C
0.05
5.0 A 10 A 20 A
2N3771, 2N3772
http://onsemi.com
5
PACKAGE DIMENSIONS
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. ALL RULES AND NOTES ASSOCIATED WITH
REFERENCED TO−204AA OUTLINE SHALL APPLY.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
CASE: COLLECTOR
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERSINCHES
A1.550 REF 39.37 REF
B−−− 1.050 −−− 26.67
C0.250 0.335 6.35 8.51
D0.038 0.043 0.97 1.09
E0.055 0.070 1.40 1.77
G0.430 BSC 10.92 BSC
H0.215 BSC 5.46 BSC
K0.440 0.480 11.18 12.19
L0.665 BSC 16.89 BSC
N−−− 0.830 −−− 21.08
Q0.151 0.165 3.84 4.19
U1.187 BSC 30.15 BSC
V0.131 0.188 3.33 4.77
A
N
E
C
K
−T− SEATING
PLANE
2 PLD
M
Q
M
0.13 (0.005) Y M
T
M
Y
M
0.13 (0.005) T
−Q−
−Y−
2
1
UL
GB
V
H
TO−204 (TO−3)
CASE 1−07
ISSUE Z
ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice
to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability
arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages.
“Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All
operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights
nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should
Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its of ficers, employees, subsidiaries, affiliates,
and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death
associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal
Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
N. American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free
USA/Canada
Europe, Middle East and Africa Technical Support:
Phone: 421 33 790 2910
Japan Customer Focus Center
Phone: 81−3−5773−3850
2N3771/D
LITERATURE FULFILLMENT:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA
Phone: 303−675−2175 or 800−344−3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303−675−2176 or 800−344−3867 Toll Free USA/Canada
Email: orderlit@onsemi.com
ON Semiconductor Website: www.onsemi.com
Order Literature: http://www.onsemi.com/orderlit
For additional information, please contact your local
Sales Representative
