ZMY3.0G ... ZMY9.1G (1.0 W), ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 (1.3 W)
ZMY3.0G ... ZMY9.1G (1.0 W),
ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 (1.3 W)
Surface Mount Silicon-Zener Diodes
Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2013-04-30
ZMY...G planar ZMY... non-planar
Dimensions - Maße [mm]
ZMY3.0G ... ZMY9.1G
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung 3.0...9.1 V
Glass case – Glasgehäuse MELF DO-213AB
ZMY1, ZMY10 ... ZMY200
Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung 10...200 V
Plastic case – Kunststoffgehäuse MELF DO-213AB
Weight approx. – Gewicht ca. 0.12 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~ ±5%) standard.
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen
Reihe E 24 (~ ±5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.
Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte
ZMY3.0G ... ZMY9.1G
Power dissipation – Verlustleistung TA = 25°C Ptot 1.0 W 1)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TJ
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 150 K/W 1)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
RthT < 70 K/W
ZMY1, ZMY10 ... ZMY200
Power dissipation – Verlustleistung TA = 50°C Ptot 1.3 W 1)
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms
TA = 25°C PZSM 40 W
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TJ
TS
-50...+150°C
-50...+175°C
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 45 K/W 1)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
RthT < 10 K/W
23
1 Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen
3 The ZMY1 is a diode operated in forward mode. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”.
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
2.5
5.0
0.5 0.5
Type
Typ
2.5
5.0
0.4 0.4
Type
Typ
ZMY3.0G ... ZMY9.1G (1.0 W), ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 (1.3 W)
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Zener voltage 2)
Zener-Spannung 2)
IZ = IZtest
Test current
Meßstrom
Dynamic resistance
Diff. Widerstand
IZtest / f = 1 kHz
Temp. Coeffic.
of Z-voltage
…der Z-Spannung
Reverse volt.
Sperrspanng.
IR = 1 μA
Z-current 1)
Z-Strom 1)
TA = 50°C
Vzmin [V] Vzmax [V] IZtest [mA] rzj [Ω] αVZ [10-4 /°C] VR [V] IZmax [mA]
ZMY1 3) 0.71 0.82 100 0.5 (<1) –26…–16 – 1000
ZMY3.0G 2.8 3.2 100 5 (<8) –8…+1 – 313
ZMY3.3G 3.1 3.5 100 5 (<8) –8…+1 > 0.7 / 150 µA 286
ZMY3.6G 3.4 3.8 100 5 (<8) –8…+1 > 0.7 / 100 µA 263
ZMY3.9G 3.7 4.1 100 4 (<7) –7…+2 > 0.7 / 100 µA 244
ZMY4.3G 4.0 4.6 100 4 (<7) –7…+3 > 0.7 / 50 µA 217
ZMY4.7G 4.4 5.0 100 4 (<7) –7…+4 > 0.7 / 10 µA 200
ZMY5.1G 4.8 5.4 100 2 (<5) –6…+5 > 0.7 / 10 µA 185
ZMY5.6G 5.2 6.0 100 1 (<2) –3…+5 > 0.5 / 3 µA 167
ZMY6.2G 5.8 6.6 100 1 (<2) –1…+6 > 1.5 / 500 nA 152
ZMY6.8G 6.4 7.2 100 1 (<2) 0…+7 > 2 / 500 nA 139
ZMY7.5G 7.0 7.9 100 1 (<2) 0…+7 > 3 / 500 nA 127
ZMY8.2G 7.7 8.7 100 1 (<2) +3…+8 > 6 / 500 nA 115
ZMY9.1G 8.5 9.6 50 2 (<4) +3…+8 > 7 / 500 nA 104
ZMY10 9.4 10.6 50 2 (<4) +5…+9 > 5 123
ZMY11 10.4 11.6 50 4 (<7) +5…+10 > 5 112
ZMY12 11.4 12.7 50 4 (<7) +5…+10 > 7 102
ZMY13 12.4 14.1 50 5 (<10) +5…+10 > 7 92
ZMY15 13.8 15.6 50 5 (<10) +5…+10 > 10 83
ZMY16 15.3 17.1 25 6 (<15) +6…+11 > 10 76
ZMY18 16.8 19.1 25 6 (<15) +6…+11 > 10 68
ZMY20 18.8 21.2 25 6 (<15) +6…+11 > 10 61
ZMY22 20.8 23.3 25 6 (<15) +6…+11 > 12 56
ZMY24 22.8 25.6 25 7 (<15) +6…+11 > 12 51
ZMY27 25.1 28.9 25 7 (<15) +6…+11 > 14 45
ZMY30 28 32 25 8 (<15) +6…+11 > 14 41
ZMY33 31 35 25 8 (<15) +6…+11 > 17 37
ZMY36 34 38 10 16 (<40) +6…+11 > 17 34
ZMY39 37 41 10 20 (<40) +6…+11 > 20 32
ZMY43 40 46 10 24 (<45) +7…+12 > 20 28
ZMY47 44 50 10 24 (<45) +7…+12 > 24 26
ZMY51 48 54 10 25 (<60) +7…+12 > 24 24
ZMY56 52 60 10 25 (<60) +7…+12 > 28 22
ZMY62 58 66 10 25 (<80) +8…+13 > 28 20
ZMY68 64 72 10 25 (<80) +8…+13 > 34 18
ZMY75 70 79 10 30 (<100) +8…+13 > 34 16
ZMY82 77 88 10 30 (<100) +8…+13 > 41 15
ZMY91 85 96 5 40 (<200) +9…+13 > 41 14
ZMY100 94 106 5 60 (<200) +9…+13 > 50 12
ZMY110 104 116 5 80 (<250) +9…+13 > 50 11
ZMY120 114 127 5 80 (<250) +9…+13 > 60 10
ZMY130 124 141 5 90 (<300) +9…+13 > 60 9
ZMY150 138 156 5 100 (<300) +9…+13 > 75 8
ZMY160 153 171 5 110 (<350) +9…+13 > 75 8
ZMY180 168 191 5 120 (<350) +9…+13 > 90 7
ZMY200 188 212 5 150 (<350) +9…+13 > 90 6
Die ZMY1 ist eine in Durchlass betriebene Si-Diode. Bei allen Kenn- und Grenzwerten ist der Index “F” statt “Z” zu setzen
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
ZMY3.0G ... ZMY9.1G (1.0 W), ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 (1.3 W)
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3
120
100
80
60
40
20
0
[%]
P
tot
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1
ZMY10...200
ZMY3.0G...9.1G
0 2 3 4 5 678 10
[V]
V
Z
[mA]
50
150
0
100
I
Z
3,0
3,3
3,6
3,9
4,3
4,7
5,1 5,6
6,2
6,8
7,5
8,2
9,1
I = 100 mA
Z
I = 50 mA
Z
Typical breakdown characteristic
Typische Abbruchspannung
– tested with pulses
– gemessen mit Impulsen
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4 V
F
0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
30a-(1a-1.1v)
10 18 24
30 36 43 51
62
56
68 75 82 91 100
T = 25°C
jI
ZT
IZmax
Typical breakdown characteristic
Typische Abbruchspannung
– tested with pulses
– gemessen mit Impulsen
[pF]
[V]
C
j
V
Z
T = 25°C
f = 1.0 MHz
j
V = 0V
R
Junction capacitance vs. zener voltage (typical)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Zenerspg. (typ.)
ZMY10...200
ZMY3.0G...9.1G
