SFH 4501
Schnelle IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im 5 mm Radial-Gehäuse
High-Speed Infrared Emitter (950 nm) in 5 mm Radial Package
SFH 4502 SFH 4503
2000-01-01 1 OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 4501, SFH 4502, SFH 4503
Features
• Very highly efficient GaAs-LED
• High reliability
• Spectral match with silicon photodetectors
Applications
• IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
• Remote control for steady and varying intensity
• Sensor technology
• Discrete interrupters
Wesentliche Merkmale
• GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
• Hohe Zuverlässigkeit
• Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
Anwendungen
• IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern
• Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Sensorik
• Diskrete Lichtschranken
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code Gehäuse
Package
SFH 4501 Q62702-P5061 5-mm-LED-Gehäuse (T 13/4), schwarz eingefärbt, Anschluß im
2.54-mm-Raster (1/10’’),
Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß
5 mm LED package (T 13/4), black-colored epoxy resin lens,
solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’),
anode marking: short lead
SFH 4502 Q62702-P5062
SFH 4503 Q62702-P5305
2000-01-01 2 OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 4501, SFH 4502, SFH 4503
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 40 …+ 100 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR3V
Durchlaßstrom
Forward current IF(DC) 100 mA
Stoßstrom, tp=10 µs, D = 0
Surge current IFSM 1A
Verlustleistung
Power dissipation Ptot 180 mW
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung,
freie Beinchenlänge max. 10 mm
Thermal resistance junction - ambient,
lead length between package bottom and PCB
max. 10 mm
RthJA 375 K/W
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
IF = 100 mA, tp = 20 ms
λpeak 950 nm
Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax
Spectral bandwidth at 50% of Imax
IF= 100 m A, tp = 20 ms
∆λ 40 nm
Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 4501
SFH 4502
SFH 4503
ϕ
±7
±18
±4
Grad
deg.
Aktive Chipfläche
Active chip area A0.09 mm2
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area L×B
L×W0.3 ×0.3 mm
SFH 4501, SFH 4502, SFH 4503
2000-01-01 3 OPTO SEMICONDUCTORS
Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei IF = 100 mA, tp = 20 ms, RL = 50 Ω
Switching times, Ιe from 10% to 90% and from
90% to 10%, IF= 100 mA, tp= 20 ms, RL=50Ω
tr,tf10 ns
Kapazität
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Co35 pF
Durchlaßspannung,
Forward voltage
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 µsVF
VF
1.5 (≤ 1.8)
3.2 (≤ 3.6) V
V
Sperrstrom,
Reverse current
VR = 3 V
IR0.01 (≤ 10) µA
Gesamtstrahlungsfluß,
Total radiant flux
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Φe32 mW
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
IF = 100 mA
Temperature coefficient of Ie or Φe,
IF = 100 mA
TCI– 0.44 %/K
Temperaturkoeffizient von VF,IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF,IF = 100 mA TCV– 1.5 mV/K
Temperaturkoeffizient von λ,IF = 100 mA
Temperature coefficient of λ,IF = 100 mA TCλ+ 0.2 nm/K
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
2000-01-01 4 OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 4501, SFH 4502, SFH 4503
Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Radiant Intensity Ie in Axial Direction
at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Bezeichnung
Description Symbol Werte
Values Einheit
Unit
SFH 4501 SFH 4502 SFH 4503
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Ie min
Ie typ
63
90 25
50 63
200 mW/sr
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 1 A, tp = 100 µs
Ie typ 550 310 1200 mW/sr
SFH 4501, SFH 4502, SFH 4503
2000-01-01 5 OPTO SEMICONDUCTORS
Relative Spectral Emission
Irel =f (λ)
Forward Current IF=f(VF)
single pulse, tp = 20 µs
OHF00777
nm800
Ι
rel
λ
0
850 900 950 1000 1100
20
40
60
80
100
OHF00784
10
-3
V
mA
0
Ι
F
V
F
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4.5
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
Radiant Intensity
Single pulse, tp = 20 µs
Ιe
Ιe100 mA = f(IF)
e
e (100 mA)
mA
OHF00809
F
Ι
ΙΙ
10
40
10 10
1
10
23
10
10
-3
10
-2
10
10
-1
0
10
2
Max. Permissible Forward Current
IF=f (TA)
OHF00359
0
F
Ι
0
20
40
60
80
100
120
20 40 60 80 100 120
mA
˚C
T
A
R
thJA
= 450 K/W
2000-01-01 6 OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 4501, SFH 4502, SFH 4503
Radiation Characteristics Ιrel = f (ϕ)
SFH 4501
Radiation Characteristics Ιrel = f (ϕ)
SFH 4502
Radiation Characteristics Ιrel = f (ϕ)
SFH 4503
OHF00859
0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚0.40.60.81.0
100˚
90˚
80˚
70˚
60˚
50˚
0˚10˚20˚30˚40˚
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
OHF00810
0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚0.40.60.81.0
100˚
90˚
80˚
70˚
60˚
50˚
0˚10˚20˚30˚40˚
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
OHF01142
0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚0.40.60.81.0
100˚
90˚
80˚
70˚
60˚
50˚
0˚10˚20˚30˚40˚
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
SFH 4501, SFH 4502, SFH 4503
2000-01-01 7 OPTO SEMICONDUCTORS
Maßzeichnung
Package Outlines
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified.
SFH 4501
GEX06952
5.9
5.5
0.6
0.4
ø5.1
ø4.8
7.8
7.5
8.2
9.0
2.54 mm
spacing
1.2
1.8
29.5
27.5
0.6
0.4
0.8
0.4
Area not flat
Anode
SFH 4502
2000-01-01 8 OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 4501, SFH 4502, SFH 4503
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified.
5.9
5.5
0.6
0.4
ø5.1
ø4.8
2.54 mm
spacing
7.8
7.5
9.0
8.2
5.7
5.1
29
27
1.8
1.2
0.8
0.4
Area not flat
0.6
0.4
Anode Chip position
GEX06048
SFH 4503
SFH 4501, SFH 4502, SFH 4503
2000-01-01 9 OPTO SEMICONDUCTORS
Lötbedingungen
Soldering Conditions
Tauch-, Schwall- und Schlepplötung
Dip, Wave and Drag Soldering Kolbenlötung (mit 1,5-mm-Kolbenspitze)
Iron Soldering (with 1.5-mm-bit)
Lötbad-
temperatur
Temperature
of the
Soldering
Bath
Maximal
zulässige
Lötzeit
Max. Perm.
Soldering
Time
Abstand
Lötstelle –
Gehäuse
Distance
between
Solder Joint
and Case
Temperatur
des Kolbens
Temperature
of the
Soldering Iron
Maximale
zulässige
Lötzeit
Max.
Permissible
Soldering
Time
Abstand
Lötstelle –
Gehäuse
Distance
between
Solder Joint
and Case
260 °C 10 s ≥ 1.5 mm 300 °C3 s ≥ 1.5 mm
