D8320N04K - Infineon Technologies

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

Datenblatt / Data sheet

D8320N

IFBIP D AEC / 2008-04-09, H.Sandmann A 15/08 1/8

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Vorläufige Daten

preliminary data

Kenndaten

Elektrische Eigenschaften

Thermische Eigenschaften

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak reverse voltages

Tvj = -25°C... Tvj max

VRRM 400

600

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

FRMSM 13300 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

TC = 56 °C

IFAVM 8320 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms

Tvj = Tvj max tP = 10 ms

IFSM 103000

95000

Grenzlastintegral

I²t-value

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms

Tvj = Tvj max, tP = 10 ms

I²t 53000

45000

10³A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

Tvj = Tvj max , iF = 10,0 kA

Tvj = Tvj max , iF = 4,0 kA

max.

0,940

0,795

Schleusenspannung

threshold voltage

Tvj = Tvj max V

(TO) 0,7 V

Ersatzwiderstand

slope resistance

Tvj = Tvj max r

T 0,024 mΩ

Durchlaßkennlinie 2500 A ≤ iF ≤ 35000 A

on-state characteristic

FFF iD)1i(lnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=

Tvj = Tvj max A=

8,869E-01

2,664E-06

-4,856E-02

4,741E-03

Sperrstrom

reverse current

Tvj = Tvj max , vR = VRRM

iR max. 100 mA

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, θ = 180°sin

Anode / anode, DC

Kathode / cathode, θ = 180°sin

Kathode / cathode, DC

RthJC

max.

0,0125

0,0117

0,0232

0,0225

0,0250

0,0245

°C/W

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

RthCH

max.

0,003

°C/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

Tvj max 180 °C

Betriebstemperatur

operating temperature

c op -25...+150 °C

Lagertemperatur

storage temperature Tstg -25...+150 °C

prepared by: H.Sandmann date of publication: 2008-04-10

approved by: M.Leifeld revision: 1

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Vorläufige Daten

preliminary data

Mechanische Eigenschaften

Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in

Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging

technical notes.

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see annex

Seite 3

page 3

Si-Element mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft

clamping force

F 40...80 kN

Gewicht

weight

G typ. 900 g

Kriechstrecke

creepage distance

30 mm

Schwingfestigkeit

vibration resistance

f = 50 Hz 50 m/s²

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Vorläufige Daten

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Maßbild

1: Anode/

Anode

2: Kathode/

Cathode

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Vorläufige Daten

preliminary data

Transienter Wärmewiderstand

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC

Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC

Kühlung /

Cooling Pos. n 1 2 3 4 5 6 7

Rthn [°C/W] 0,000034 0,00057 0,000912 0,00274 0,00425 0,00320 -

beidseitig

two-sided τn [s] 0,000287 0,00298 0,013500 0,13400 0,44900 2,05000 -

Rthn [°C/W]

0,000035

0,00060

0,001050

0,00760

0,00850

0,00470

anodenseitig

anode-sided τn [s]

0,000287

0,00230

0,024000

0,31000

1,90000

6,10000

Rthn [°C/W]

0,000035

0,00060

0,002050

0,00805

0,00900

0,00477

kathodenseitig

cathode-sided τn [s]

0,000287

0,00300

0,057000

0,38000

2,05000

6,10000

Analytische Funktion / Analytical function: Σ

−

max

n=1 thnthJC n

-t

e1RZ

0,000

0,005

0,010

0,015

0,020

0,025

0,030

0,001 0,01 0,1 1 10 100

t [s]

Z thJC [°C/W]

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC

Z thJC = f(t)

a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

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Vorläufige Daten

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Diagramme

Durchlasskennlinie

Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ

Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ

∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin

Kühlung / Cooling Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30°

∆Zth Θ rec

[°C/W]

0,00105

0,00170

0,00218

0,00281

0,00376

beidseitig

two-sided ∆Zth Θ sin

[°C/W]

0,00080

0,00112

0,00154

0,00215

0,00315

∆Zth Θ rec

[°C/W]

0,00090

0,00166

0,00220

0,00298

0,00422

anodenseitig

anode-sided ∆Zth Θ sin

[°C/W]

0,00064

0,00096

0,00140

0,00212

0,00345

∆Zth Θ rec

[°C/W]

0,00090

0,00149

0,00193

0,00253

0,00345

kathodenseitig

cathode-sided ∆Zth Θ sin

[°C/W]

0,00066

0,00094

0,00132

0,00188

0,00285

Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec

Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin

Tvj = Tvj max

5.000

10.000

15.000

20.000

25.000

30.000

35.000

40.000

45.000

0,7 0,8 0,9 1 1,1 1,2 1,3 1,4 1,5

VF [V]

iF [A]

Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)

Tvj = Tvj max

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Durchlassverluste

Tc beidseitig

2000

4000

6000

8000

10000

12000

14000

16000

0 2000 4000 6000 8000 10000 12000 14000

IFAV [A]

PFAV [W]

Paramet er:

a - DC

b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)

c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)

d - rec 60°el (M 6)

e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

Durchlassverlustleistung / On-state power loss PFAV = f(IFAV)

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

d bef

100

120

140

160

180

0 2000 4000 6000 8000 10000 12000 14000

I FAV [A]

T C [°C]

Parameter:

a - DC

b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)

c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)

d - rec 60°el (M 6)

e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAV)

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

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Qr Diagramm

100

1000

10000

0,1 1 10 100 1000

-di/dt [A/µs]

Qr [µAs]

IFM=

6200A

3200A

1600A

800A

400A

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge

Qr =f(-di/dt)

Tvj= Tvjmax , vR ≤ 0,5 VRRM , vRM = 0,8 VRRM

RC-Glied / RC-Network: R = 2,7Ω, C = 1,5µF

0-50V

0,33 VRRM

0,67 VRRM

100

1 3 5 7 9 11131517

Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen

Numbe r of pulses of 50Hz sinusoida l half waves

IF(OV)M [kA]

Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IF(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus

Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM

Typical dependency of maximum overload on-state current IF(OV)M as a number of a sequence of

sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM

IF(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvj max

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Nutzungsbedingungen

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der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten

Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.

In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine

solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien

jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.

Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine

spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in

Verbindung (siehe www.infineon.com). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in

diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden

Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend

empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig

machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.

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- to perform joint Risk and Quality Assessments;

- the conclusion of Quality Agreements;

- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on

the realization of any such measures.

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