Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 711 N 58 ... 68 T N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hochstzulassige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage tvj = -40C ... tvj max f = 50Hz VRRM Durchlastrom-Grenzeffektivwert RMS forward current tvj max = -40C 5800 6000 6500 6800 0C ...tvj max 6000 6200 6700 7000 V V V V IFRMSM 1660 A Dauergrenzstrom mean forward current tC = 100C, f = 50Hz tC = 60C, f = 50Hz IFAVM 780 A 1050 A Stostrom-Grenzwert surge forward current tvj = 25C, tp = 10ms tvj = tvj max, tp = 10ms IFSM 10,5 kA 8,5 kA Grenzlastintegral I2t-value tvj = 25C, tp = 10ms tvj = tvj max, tp = 10ms I2t Durchlaspannung forward voltage tvj = tvj max, iF = 1200A vF Schleusenspannung threshold voltage tvj = tvj max V(TO) 0,836 V Ersatzwiderstand forward slope resistance tvj = tvj max rT 0,881 m Durchlarechenkennlinie On-state characteristics for calculation tvj = tvj max A B C D max. 0,7487 0,000496 -0,0406497 0,025038 Durchlarechenkennlinie On-state characteristics for calculation tvj = tvj max A B C D typ. 0,699699 0,0004383 -0,03799278 0,023406 Sperrstrom reverse current tvj = tvj max, vR = VRRM iR 50 mA Sperrverzogerungsladung recovered charge tvj = tvj max ITM = 1000A, di/dt = 10A/s VR = 1000 V, C = 0,25F, R = 80 Qr 5,5 mAs IRM 200 A 2 500-103 A s 2 3 360-10 A s Charakteristische Werte / Characteristic values VF = A + B i F + C ln(i F + 1) + D i F VF = A + B i F + C ln(i F + 1) + D i F max 1,9 V Ruckstromspitze peak reverse recovery current tvj = tvj max ITM = 1000A, di/dt = 10A/s VR = 1000 V, C = 0,25F, R = 80 BIP AC/SM PB /2000-02-20 Schneider/Keller Release 3 Seite/page 1 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 711 N 58 ... 68 T N Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink RthJC beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode /cathode, DC Kuhlflache / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single sided max max max 0,028 C/W 0,051 C/W 0,062 C/W max max 0,006 C/W 0,012 C/W RthCK Hochstzulassige Sperrschichttemperatur max. junction temperature tvj max 160 C Betriebstemperatur operating temperature tc op -40...+160 C Lagertemperatur storage temperature tstg -40...+160 C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehause, siehe Anlage case, see appendix Seite 3 Si - Element mit Druckkontakt Si - pellet with pressure contact 38DN65 Anprekraft clamping force F Gewicht weight G 10...16 kN typ 250 g Kriechstrecke creepage distance 30 mm Luftstrecke air distance 20 mm Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz C 50 m/s2 Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehorigen technischen Erlauterungen. This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. BIP AC/SM PB /2000-02-20 Schneider/Keller Release 3 Seite/page 2 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 711 N 58 ... 68 T N Mabild / Outline +0.2/-0.8 58 26+-0.5 C A 34 2 center holes 3.5 x 4.0 BIP AC/SM PB /2000-02-20 Schneider/Keller Release 3 Seite/page 3 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 711 N 58 ... 68 T N On-State Characteristics ( v F ) typical and upper limit of scatter range t vj = 160C t vj = 25C rT @ tvj = 160C 1600 1400 1200 1000 800 600 ty p . m ax. 1 1 ,5 400 200 0 0 0 ,5 2 2 ,5 V F [V ] BIP AC/SM PB /2000-02-20 Schneider/Keller Release 3 Seite/page 4 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 711 N 58 ... 68 T N Transient thermal impedance Z(th) JC = f (t) doppelseitige anodenseitige Kuhlung Kuhlung r [K/W] [s] r [K/W] [s] 1 0,0044 0,5 0,0268 3,14 2 0,014 0,122 0,0146 0,134 3 0,0049 0,0406 0,0049 0,0406 4 0,0035 0,0094 0,0035 0,0094 nmax / n - t0,0019 5 0,0012 0,0019 0,0012 thJC thn n =1 0,028 0,051 - Z = R (1 - e ) kathodenseitige Kuhlung r [K/W] [s] 0,0378 4,4 0,0146 0,134 0,0049 0,0406 0,0035 0,0094 0,0012 0,0019 0,062 - 0,07 k 0,06 a 0,04 d 0,03 0,02 0,01 0,001 0,01 0,1 1 10 0 100 t / [sec.] Surge Current Characteristics I FSM = f ( tp ) BIP AC/SM PB /2000-02-20 Schneider/Keller Release 3 Seite/page 5 Z (th) JC / [K /W ] 0,05 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 711 N 58 ... 68 T It value N i2 dt = f ( tp ) 1,E+05 1,E+07 1,E+04 1,E+06 1,E+03 1,E+05 0,1 1 10 ----- ----- Sine half-wave, t vj =160 C , v R = 0 100 Time / [ms] BIP AC/SM PB /2000-02-20 Schneider/Keller Release 3 Seite/page 6 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 711 N 58 ... 68 T N Reverse recoverd charge Qr = f (-di/dt) tvj = 160C, IFM = 1000A, vR = 1000 V, C = 0,25 F, R = 80 6000 5500 5000 4500 4000 Qr [As] 3500 3000 2500 2000 1500 1000 500 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 di/dt [A/s] BIP AC/SM PB /2000-02-20 Schneider/Keller Release 3 Seite/page 7 Technische Information / Technical Information Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode D 711 N 58 ... 68 T N Reverse recovery current IRM = f (-di/dt) tvj = 160C, ITM = 1000A, vR = 1000 V, C = 0,25 F, R = 80 250 225 200 175 IRM [A] 150 125 100 75 50 25 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 di/dt [A/s] BIP AC/SM PB /2000-02-20 Schneider/Keller Release 3 Seite/page 8 15