SPL PL90_0
Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 3 W Spitzenleistung
Pulsed Laser Diode in Plastic Package 3 W Peak Power
Vorläufige Daten / Preliminary Data
2000-01-01 1 OPTO SEMICONDUCTORS
Besondere Merkmale
• Kostengünstiges Plastikgehäuse
• Zuverlässiges InGaAs/GaAs kompressiv
verspanntes Halbleiter-Material
• Hochleistungslaser mit „Large-Optical-Cavity“
(LOC) Struktur für ein schmales Fernfeld
• Laterale Austrittsöffnung 60 µm
Anwendungen
• Entfernungsmessung
• Sicherheit, Überwachung
• Beleuchtung, Zündung
• Test- und Messsysteme
Sicherheitshinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-
Strahlung, die gefährlich für das menschliche
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile
enthalten, müssen gemäß den Sicherheits-
richtlinien der IEC-Norm 60825-1 behandelt
werden.
Typ
Type Opt. Spitzenausgangsleistung
Opt. Peak Power Wellenlänge1)
Wavelength1)
1) Andere Wellenlängen im Bereich von 780 nm … 980 nm sind auf Anfrage erhältlich.
Other wavelengths in the range of 780 nm … 980 nm are available on request.
Bestellnummer
Ordering Code
SPL PL90_0 3 W 905 nm Q62702-P5270
Features
• Low cost plastic package
• Reliable strained InGaAs/GaAs material
• High power large-optical-cavity structure
• Lateral laser aperture 60 µm
Applications
• Range finding
• Security, surveillance
• Illumination, ignition
• Test and measurement systems
Safety Advices
Depending on the mode of operation, these
devices emit highly concentrated non visible
infrared light which can be hazardous to the
human eye. Products which incorporate these
devices have to follow the safety precautions
given in IEC 60825-1 “Safety of laser products”.
2000-01-01 2 OPTO SEMICONDUCTORS
SPL PL90_0
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
Parameter
Parameter Symbol
Symbol Werte
Values Einheit
Unit
min. max.
Spitzenausgangsleistung
Peak output power Ppeak –3W
Durchlaßstrom
Forward current IF–5A
Pulsbreite (Halbwertsbreite)
Pulse width (FWHM) tp–100ns
Tastverhältnis
Duty cycle d.c. – 0.1 %
Sperrspannung
Reverse voltage VR–3V
Betriebstemperatur
Operating temperature Top - 40 + 85 °C
Lagertemperatur
Storage temperature Tstg - 40 + 100 °C
Löttemperatur
(tmax = 10 s, 2 mm von Gehäuseunterseite)
Soldering temperature
(tmax = 10 s, 2 mm from bottom edge of case)
Ts–+ 260°C
SPL PL90_0
2000-01-01 3 OPTO SEMICONDUCTORS
Optische Kennwerte (TA = 25 °C)
Optical Characteristics
Parameter
Parameter Symbol
Symbol Werte
Values Einheit
Unit
min. typ. max.
Zentrale Emissionswellenlänge1)
Emission wavelength1) λpeak 895 905 915 nm
Spektralbreite (Halbwertsbreite)1)
Spectral width (FWHM)1) ∆λ –3–nm
Betriebsstrom1)
Operating current1) Iop –3.5–A
Schwellstrom
Threshold current Ith –0.3–A
Betriebsspannung1)
Operating voltage1) VF–3–V
Anstiegs- und Abfallzeit (10% … 90%)
Rise and fall time (10% … 90%) tr, tr1520ns
Austrittsöffnung
Aperture size w × h–60 × 2– µm
2
Strahldivergenz (Halbwertsbreite)
Beam divergence (FWHM) θ|| × θ⊥–6° × 34° – Grad
deg.
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
Temperature coefficient of wavelength ∂λ / ∂T–0.3–nm/K
Temperaturkoeffizient der opt.
Ausgangsleistung
Temperature coefficient of optical power
∂Pop/Pop∂T– 0.5 – %/K
Thermischer Widerstand
Thermal resistance Rth JA –250–K/W
1) Standardbetriebsbedingungen beziehen sich auf Pulse mit einer Halbwertsbreite von 90 ns bei einer Frequenz von
10 kHz mit 3 W Spitzenleistung in NA = 0.5 bei TA = 25 °C.
Standard operating conditions refer to pulses of 90 ns (FWHM) at 10 kHz rate with 3 W peak power into NA = 0.5
at TA = 25 °C.
SPL PL90_0
2000-01-01 4 OPTO SEMICONDUCTORS
Optische Kennwerte
Optical Characteristics
Optical Output Power Popt vs.
Forward Current IF (TA = 25 °C)
Farfield Distribution Parallel
to Junction Irel vs. θ||
Farfield Distribution Perpendicular
to Junction Irel vs. θ⊥
OHW01244
00
P
opt
1
2
3
4
5
1 2 3 4 5A
W
I
F
Θ
OHW00306
0
rel
Ι
20
40
60
80
100
-15 degree-10 -5 0 5 15
Il
OHW00313
0
rel
Ι
20
40
60
80
100
-50 degree-30 -10 10 50
Θ
SPL PL90_0
2000-01-01 5 OPTO SEMICONDUCTORS
Maßzeichnung
Package Outlines
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben (10 mm = 0,39 inch / 1 inch = 25,4 mm) / Dimensions in mm, unless
otherwise specified (10 mm = 0.39 inch / 1 inch = 25.4 mm).
GEO06963
5.9
5.5
0.6
0.4
ø4.8
ø5.1
0.3 ... 0.5
Chip position
Area not flat
2.54 mm
spacing
0.8
0.4
0.4
0.6
5.0
4.2
3.85
3.35
27.0
29.0
1.8
1.2
Cathode
Approx. weight 0.25 g
