Impuls-Laserdiode im Plastikgehause 3 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 3 W Peak Power SPL PL90_0 Vorlaufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Features * Kostengunstiges Plastikgehause * Zuverlassiges InGaAs/GaAs kompressiv verspanntes Halbleiter-Material * Hochleistungslaser mit Large-Optical-Cavity" (LOC) Struktur fur ein schmales Fernfeld * Laterale Austrittsoffnung 60 m * * * * Anwendungen Applications * * * * * * * * Entfernungsmessung Sicherheit, Uberwachung Beleuchtung, Zundung Test- und Messsysteme Low cost plastic package Reliable strained InGaAs/GaAs material High power large-optical-cavity structure Lateral laser aperture 60 m Range finding Security, surveillance Illumination, ignition Test and measurement systems Safety Advices Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC 60825-1 "Safety of laser products". Sicherheitshinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare InfrarotStrahlung, die gefahrlich fur das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, mussen gema den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Norm 60825-1 behandelt werden. Typ Type Opt. Spitzenausgangsleistung Opt. Peak Power Wellenlange1) Wavelength1) Bestellnummer Ordering Code SPL PL90_0 3W 905 nm Q62702-P5270 1) Andere Wellenlangen im Bereich von 780 nm ... 980 nm sind auf Anfrage erhaltlich. Other wavelengths in the range of 780 nm ... 980 nm are available on request. 2000-01-01 1 OPTO SEMICONDUCTORS SPL PL90_0 Grenzwerte (TA = 25 C) Maximum Ratings Parameter Parameter Symbol Symbol Werte Values min. max. Einheit Unit Spitzenausgangsleistung Peak output power Ppeak - 3 W Durchlastrom Forward current IF - 5 A Pulsbreite (Halbwertsbreite) Pulse width (FWHM) tp - 100 ns Tastverhaltnis Duty cycle d.c. - 0.1 % Sperrspannung Reverse voltage VR - 3 V Betriebstemperatur Operating temperature Top - 40 + 85 C Lagertemperatur Storage temperature Tstg - 40 + 100 C Lottemperatur (tmax = 10 s, 2 mm von Gehauseunterseite) Soldering temperature (tmax = 10 s, 2 mm from bottom edge of case) Ts - + 260 C 2000-01-01 2 OPTO SEMICONDUCTORS SPL PL90_0 Optische Kennwerte (TA = 25 C) Optical Characteristics Parameter Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit min. typ. max. peak 895 905 915 nm Spektralbreite (Halbwertsbreite)1) Spectral width (FWHM)1) - 3 - nm Betriebsstrom1) Operating current1) Iop - 3.5 - A Schwellstrom Threshold current Ith - 0.3 - A Betriebsspannung1) Operating voltage1) VF - 3 - V Anstiegs- und Abfallzeit (10% ... 90%) Rise and fall time (10% ... 90%) tr, tr 1 5 20 ns Austrittsoffnung Aperture size wxh - 60 x 2 - m2 Strahldivergenz (Halbwertsbreite) Beam divergence (FWHM) || x - 6 x 34 - Grad deg. Temperaturkoeffizient der Wellenlange Temperature coefficient of wavelength / T - 0.3 - nm/K Temperaturkoeffizient der opt. Ausgangsleistung Temperature coefficient of optical power Pop/PopT - 0.5 - %/K Thermischer Widerstand Thermal resistance Rth JA - 250 - K/W Zentrale Emissionswellenlange Emission wavelength1) 1) 1) Standardbetriebsbedingungen beziehen sich auf Pulse mit einer Halbwertsbreite von 90 ns bei einer Frequenz von 10 kHz mit 3 W Spitzenleistung in NA = 0.5 bei TA = 25 C. Standard operating conditions refer to pulses of 90 ns (FWHM) at 10 kHz rate with 3 W peak power into NA = 0.5 at TA = 25 C. 2000-01-01 3 OPTO SEMICONDUCTORS SPL PL90_0 Optische Kennwerte Optical Characteristics Optical Output Power Popt vs. Forward Current IF (TA = 25 C) OHW01244 5 Popt W 4 3 2 1 0 0 1 2 3 4 A 5 IF Farfield Distribution Perpendicular to Junction Irel vs. Farfield Distribution Parallel to Junction Irel vs. || OHW00313 100 OHW00306 100 rel rel 80 80 60 60 40 40 20 20 0 -15 2000-01-01 -10 -5 0 5 0 -50 degree 15 Il 4 -30 -10 10 degree 50 OPTO SEMICONDUCTORS SPL PL90_0 Mazeichnung Package Outlines Chip position Area not flat 0.3 ... 0.5 o5.1 o4.8 2.54 mm spacing 0.6 0.4 0.8 0.4 5.9 5.5 1.8 1.2 Cathode 29.0 27.0 3.85 3.35 5.0 4.2 Approx. weight 0.25 g 0.6 0.4 GEO06963 Mae in mm, wenn nicht anders angegeben (10 mm = 0,39 inch / 1 inch = 25,4 mm) / Dimensions in mm, unless otherwise specified (10 mm = 0.39 inch / 1 inch = 25.4 mm). 2000-01-01 5 OPTO SEMICONDUCTORS