MC74VHC139
Dual 2-to-4 Decoder/
Demultiplexer
The MC74VHC139 is an advanced high speed CMOS 2–to–4
decoder/ demultiplexer fabricated with silicon gate CMOS
technology. It achieves high speed operation similar to equivalent
Bipolar Schottky TTL while maintaining CMOS low power
dissipation.
When the device is enabled (E = low), it can be used for gating or as
a data input for demultiplexing operations. When the enable input is
held high, all four outputs are fixed high, independent of other inputs.
The internal circuit is composed of three stages, including a buffer
output which provides high noise immunity and stable output. The
inputs tolerate voltages up to 7 V, allowing the interface of 5V systems
to 3V systems.
•High Speed: tPD = 5.0ns (Typ) at VCC = 5V
•Low Power Dissipation: ICC = 4µΑ (Max) at TA = 25°C
•High Noise Immunity: VNIH = VNIL = 28% VCC
•Power Down Protection Provided on Inputs
•Balanced Propagation Delays
•Designed for 2V to 5.5V Operating Range
•Low Noise: VOLP = 0.8 V (Max)
•Pin and Function Compatible with Other Standard Logic Families
•Latchup Performance Exceeds 300mA
•ESD Performance: HBM > 2000V; Machine Model > 200V
•Chip Complexity: 100 FETs or 25 Equivalent Gates
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
March, 2001 – Rev. 2 1Publication Order Number:
MC74VHC139/D
http://onsemi.com
SOIC–16
D SUFFIX
CASE 751B
MARKING DIAGRAMS
18
9
16
18
16 9
1
16 9
8
VHC139
AWLYYWW
A = Assembly Location
WL = Wafer Lot
YY = Year
WW = Work Week
VHC
139
AWLYWW
VHC139
ALYW
A = Assembly Location
L = Wafer Lot
Y = Year
W = Work Week
A = Assembly Location
WL = Wafer Lot
Y = Year
WW = Work Week
TSSOP–16
DT SUFFIX
CASE 948F
SOIC EIAJ–16
M SUFFIX
CASE 966
Device Package Shipping
ORDERING INFORMATION
MC74VHC139D SOIC–16 48 Units/Rail
MC74VHC139DR2 SOIC–16 2500 Units/Reel
MC74VHC139DT TSSOP–16 96 Units/Rail
MC74VHC139DTEL
TSSOP–16 2000 Units/Reel
MC74VHC139M SOIC
EIAJ–16 48 Units/Rail
MC74VHC139MEL SOIC
EIAJ–16 2000 Units/Reel
MC74VHC139DTR2
TSSOP–16 2000 Units/Reel
MC74VHC139
http://onsemi.com
2
PIN ASSIGNMENT
13
14
15
16
9
10
11
125
4
3
2
1
8
7
6
Ea
A1a
A0a
GND
A1b
A0b
Eb
VCC
Y0a
Y1a
Y2a
Y3a
Y0b
Y1b
Y2b
Y3b
LOGIC DIAGRAM
A0a
A1a
Ea
A0b
A1b
1
Eb
Y0a
Y1a
Y2a
Y3a
Y0b
Y1b
Y2b
Y3b
ACTIVE-LOW
OUTPUTS
ADDRESS
INPUTS
ACTIVE-LOW
OUTPUTS
3
2
ADDRESS
INPUTS 13
14
15
4
5
6
7
12
11
10
9
FUNCTION TABLE
Inputs Outputs
EA1 A0 Y0 Y1 Y2 Y3
HXXHHHH
LLLLHHH
LLHHLHH
LHLHHLH
LHHHHHL
MC74VHC139
http://onsemi.com
3
En
A0
A1
Y0
Y1
Y2
Y3
EXPANDED LOGIC DIAGRAM
(1/2 OF DEVICE)
INPUT
Figure 1. Input Equivalent Circuit
4
IEC LOGIC DIAGRAM
Y0a
Y1a
Y2a
Y3a
Y0b
Y1b
Y2b
Y3b
5
6
7
12
11
10
9
15
14
13
1
2
3
A1a
A0a
Ea
A1b
A0b
Eb
2
1
EN
X/Y
1
0
2
3
0
1
DMUX
1
0
2
3
G0
3
15
14
13
1
2
3
A1a
A0a
Ea
A1b
A0b
Eb
Y0a
Y1a
Y2a
Y3a
Y0b
Y1b
Y2b
Y3b
4
5
6
7
12
11
10
9
MC74VHC139
http://onsemi.com
4
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Parameter
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Value
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Supply Voltage
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
– 0.5 to + 7.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vin
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Input Voltage
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
– 0.5 to + 7.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vout
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Output Voltage
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
– 0.5 to VCC + 0.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IIK
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Input Diode Current
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
– 20
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IOK
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Output Diode Current
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
±20
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Iout
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Output Current, per Pin
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
±25
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Supply Current, VCC and GND Pins
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
±75
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mA
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Power Dissipation in Still Air, SOIC Packages†
TSSOP Package†
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
500
450
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mW
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Tstg
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Temperature
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
– 65 to + 150
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C
* Absolute maximum continuous ratings are those values beyond which damage to the device
may occur. Exposure to these conditions or conditions beyond those indicated may
adversely affect device reliability. Functional operation under absolute–maximum–rated
conditions is not implied.
†Derating — SOIC Packages: – 7 mW/C from 65 to 125C
TSSOP Package: – 6.1 mW/C from 65 to 125C
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Parameter
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎ
ÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Supply Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
2.0
ÎÎ
ÎÎ
5.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vin
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Input Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
0
ÎÎ
ÎÎ
5.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vout
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Output Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
0
ÎÎ
ÎÎ
VCC
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating Temperature
ÎÎÎ
ÎÎÎ
– 55
ÎÎ
ÎÎ
+ 125
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Input Rise and Fall Time VCC = 3.3V ±0.3V
(Figure 1) VCC =5.0V ±0.5V
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
0
0
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
100
20
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ns/V
The JA of the package is equal to 1/Derating. Higher junction temperatures may affect the expected lifetime of the device per the table and
figure below.
DEVICE JUNCTION TEMPERATURE VERSUS
TIME TO 0.1% BOND FAILURES
Junction
Temperature °CTime, Hours Time, Years
80 1,032,200 117.8
90 419,300 47.9
100 178,700 20.4
110 79,600 9.4
120 37,000 4.2
130 17,800 2.0
140 8,900 1.0
1
1 10 100 1000
TIME, YEARS
NORMALIZED FAILURE RATE
TJ= 80 C°
TJ= 90 C°
TJ= 100 C°
TJ= 110 C°
TJ= 130 C°
TJ= 120 C°
FAILURE RATE OF PLASTIC = CERAMIC
UNTIL INTERMETALLICS OCCUR
Figure 2. Failure Rate vs. Time
Junction Temperature
This device contains protection
circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
fields. However, precautions must
be taken to avoid applications of any
voltage higher than maximum rated
voltages to this high–impedance cir-
cuit. For proper operation, Vin and
Vout should be constrained to the
range GND (Vin or Vout) VCC.
Unused inputs must always be
tied to an appropriate logic voltage
level (e.g., either GND or VCC).
Unused outputs must be left open.
MC74VHC139
http://onsemi.com
5
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
TA = 25°C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
TA = ≤ 85°C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
TA = ≤ 125°C
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Parameter
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Test Conditions
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
CC
(V)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Min
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Typ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Min
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Max
ÎÎ
ÎÎ
Unit
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
VIH
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Minimum
High–Level Input
Voltage
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
2.0
3.0
4.5
5.5
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.5
2.1
3.15
3.85
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
1.5
2.1
3.15
3.85
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.5
2.1
3.15
3.85
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
V
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
VIL
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Maximum
Low–Level Input
Voltage
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
2.0
3.0
4.5
5.5
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
0.5
0.9
1.35
1.65
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
0.5
0.9
1.35
1.65
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
0.5
0.9
1.35
1.65
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
V
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
VOH
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Minimum
High–Level Output
Voltage
V V or V
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
VIN = VIH or VIL
IOH = – 50 µA
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
2.0
3.0
4.5
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.9
2.9
4.4
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
2.0
3.0
4.5
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
1.9
2.9
4.4
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.9
2.9
4.4
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
V
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
VIN = VIH or VIL
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
VIN = VIH or VIL
IOH = –4 mA
IOH = –8 mA
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
3.0
4.5
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.58
3.94
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
2.48
3.80
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.34
3.66
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
VOL
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Maximum
Low–Level Output
Voltage
V V or V
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
VIN = VIH or VIL
IOL = 50 µA
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
2.0
3.0
4.5
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
0.0
0.0
0.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
0.1
0.1
0.1
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
0.1
0.1
0.1
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
0.1
0.1
0.1
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
V
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
VIN = VIH or VIL
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
VIN = VIH or VIL
IOL = 4 mA
IOL = 8 mA
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
3.0
4.5
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
0.36
0.36
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
0.44
0.44
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
0.52
0.52
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
IIN
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Maximum Input
Leakage Current
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
VIN = 5.5 V or
GND
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
0 to 5.5
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
±0.1
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
±1.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
±1.0
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
µA
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ICC
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Maximum
Quiescent Supply
Current
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
VIN = VCC or GND
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
5.5
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
4.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
40.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
40.0
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
µA
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0ns)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
TA = 25°C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
TA = – 40 to
85°C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
TA = – 55 to
125°C
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Symbo
l
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Parameter
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Test Conditions
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Typ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Max
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Min
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Max
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
Unit
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
tPLH,
tPHL
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Maximum
Propagation Delay,
AtoY
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC = 3.3 ± 0.3 V CL = 15 pF
CL = 50 pF
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
7.2
9.7
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
11.0
14.5
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
1.0
1.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
13.0
16.5
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.0
1.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
13.0
16.5
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ns
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
A to Y
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC = 5.0 ± 0.5 V CL = 15 pF
CL = 50 pF
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
5.0
6.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
7.2
9.2
ÎÎÎ
ÎÎÎ
1.0
1.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
8.5
10.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.0
1.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
8.5
10.5
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
tPLH,
tPHL
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Maximum
Propagation Delay,
Eto Y
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC = 3.3 ± 0.3 V CL = 15 pF
CL = 50 pF
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
6.4
8.9
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
9.2
12.7
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
1.0
1.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
11.0
14.5
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.0
1.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
11.0
14.5
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ns
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
E to Y
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC = 5.0 ± 0.5 V CL = 15 pF
CL = 50 pF
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
4.4
5.9
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
6.3
8.3
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
1.0
1.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
7.5
9.5
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.0
1.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
7.5
9.5
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
CIN
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Maximum Input
Capacitance
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
4
ÎÎÎ
ÎÎÎ
10
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
10
ÎÎ
ÎÎ
pF
Typical @ 25°C, VCC = 5.0V
CPD Power Dissipation Capacitance (1.) 26 pF
1. CPD is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load.
Average operating current can be obtained by the equation: ICC(OPR) = CPD VCC fin + ICC/2 (per decoder). CPD is used to determine the
no–load dynamic power consumption; PD = CPD VCC2 fin + ICC VCC.
MC74VHC139
http://onsemi.com
6
Figure 3.
50%
tPHL
tPLH
VCC
GND
Y50% VCC
A
SWITCHING WAVEFORMS
VCC
GND
tPHL tPLH
Y
E
50% VCC
50%
Figure 4.
*Includes all probe and jig capacitance
Figure 5. Test Circuit
CL*
TEST POINT
DEVICE
UNDER
TEST
OUTPUT
MC74VHC139
http://onsemi.com
7
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 751B–05
ISSUE J
D SUFFIX
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSIONS A AND B DO NOT INCLUDE
MOLD PROTRUSION.
4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006)
PER SIDE.
5. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE 0.127 (0.005) TOTAL
IN EXCESS OF THE D DIMENSION AT
MAXIMUM MATERIAL CONDITION.
18
16 9
SEATING
PLANE
F
J
M
RX 45
G
8 PLP
–B–
–A–
M
0.25 (0.010) B S
–T–
D
K
C
16 PL
S
B
M
0.25 (0.010) A S
T
DIM MIN MAX MIN MAX
INCHESMILLIMETERS
A9.80 10.00 0.386 0.393
B3.80 4.00 0.150 0.157
C1.35 1.75 0.054 0.068
D0.35 0.49 0.014 0.019
F0.40 1.25 0.016 0.049
G1.27 BSC 0.050 BSC
J0.19 0.25 0.008 0.009
K0.10 0.25 0.004 0.009
M0 7 0 7
P5.80 6.20 0.229 0.244
R0.25 0.50 0.010 0.019
SOIC
CASE 948F–01
ISSUE O
TSSOP
ÇÇÇ
ÇÇÇ
DIM MIN MAX MIN MAX
INCHESMILLIMETERS
A4.90 5.10 0.193 0.200
B4.30 4.50 0.169 0.177
C--- 1.20 --- 0.047
D0.05 0.15 0.002 0.006
F0.50 0.75 0.020 0.030
G0.65 BSC 0.026 BSC
H0.18 0.28 0.007 0.011
J0.09 0.20 0.004 0.008
J1 0.09 0.16 0.004 0.006
K0.19 0.30 0.007 0.012
K1 0.19 0.25 0.007 0.010
L6.40 BSC 0.252 BSC
M0 8 0 8
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION A DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH.
PROTRUSIONS OR GATE BURRS. MOLD FLASH
OR GATE BURRS SHALL NOT EXCEED 0.15
(0.006) PER SIDE.
4. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE INTERLEAD
FLASH OR PROTRUSION. INTERLEAD FLASH OR
PROTRUSION SHALL NOT EXCEED
0.25 (0.010) PER SIDE.
5. DIMENSION K DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE 0.08 (0.003) TOTAL IN
EXCESS OF THE K DIMENSION AT MAXIMUM
MATERIAL CONDITION.
6. TERMINAL NUMBERS ARE SHOWN FOR
REFERENCE ONLY.
7. DIMENSION A AND B ARE TO BE DETERMINED
AT DATUM PLANE -W-.
SECTION N–N
SEATING
PLANE
IDENT.
PIN 1
18
16 9
DETAIL E
J
J1
B
C
D
A
K
K1
H
G
ÉÉ
ÉÉ
DETAIL E
F
M
L
2X L/2
–U–
S
U0.15 (0.006) T
S
U0.15 (0.006) T
S
U
M
0.10 (0.004) V S
T
0.10 (0.004)
–T–
–V–
–W–
0.25 (0.010)
16X REFK
N
N
DT SUFFIX
MC74VHC139
http://onsemi.com
8
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 966–01
ISSUE O
M SUFFIX
HE
A1
DIM MIN MAX MIN MAX
INCHES
--- 2.05 --- 0.081
MILLIMETERS
0.05 0.20 0.002 0.008
0.35 0.50 0.014 0.020
0.18 0.27 0.007 0.011
9.90 10.50 0.390 0.413
5.10 5.45 0.201 0.215
1.27 BSC 0.050 BSC
7.40 8.20 0.291 0.323
0.50 0.85 0.020 0.033
1.10 1.50 0.043 0.059
0
0.70 0.90 0.028 0.035
--- 0.78 --- 0.031
A1
HE
Q1
LE
10 0
10
LEQ1
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD
FLASH OR PROTRUSIONS AND ARE MEASURED
AT THE PARTING LINE. MOLD FLASH OR
PROTRUSIONS SHALL NOT EXCEED 0.15 (0.006)
PER SIDE.
4. TERMINAL NUMBERS ARE SHOWN FOR
REFERENCE ONLY.
5. THE LEAD WIDTH DIMENSION (b) DOES NOT
INCLUDE DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE
DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.08 (0.003)
TOTAL IN EXCESS OF THE LEAD WIDTH
DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL CONDITION.
DAMBAR CANNOT BE LOCATED ON THE LOWER
RADIUS OR THE FOOT. MINIMUM SPACE
BETWEEN PROTRUSIONS AND ADJACENT LEAD
TO BE 0.46 ( 0.018).
M
L
DETAIL P
VIEW P
c
A
b
e
M
0.13 (0.005) 0.10 (0.004)
1
16 9
8
D
Z
E
A
b
c
D
E
e
L
M
Z
SOIC EIAJ–16
ON Semiconductor and are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes
without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular
purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability,
including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be
validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.
SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or
death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold
SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable
attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim
alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
CENTRAL/SOUTH AMERICA:
Spanish Phone: 303–308–7143 (Mon–Fri 8:00am to 5:00pm MST)
Email: ONlit–spanish@hibbertco.com
Toll–Free from Mexico: Dial 01–800–288–2872 for Access –
then Dial 866–297–9322
ASIA/PACIFIC: LDC for ON Semiconductor – Asia Support
Phone: 1–303–675–2121 (Tue–Fri 9:00am to 1:00pm, Hong Kong Time)
Toll Free from Hong Kong & Singapore:
001–800–4422–3781
Email: ONlit–asia@hibbertco.com
JAPAN: ON Semiconductor , Japan Customer Focus Center
4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031
Phone: 81–3–5740–2700
Email: r14525@onsemi.com
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
For additional information, please contact your local
Sales Representative.
MC74VHC139/D
NORTH AMERICA Literature Fulfillment:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA
Phone: 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada
Email: ONlit@hibbertco.com
Fax Response Line: 303–675–2167 or 800–344–3810 Toll Free USA/Canada
N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada
EUROPE: LDC for ON Semiconductor – European Support
German Phone: (+1) 303–308–7140 (Mon–Fri 2:30pm to 7:00pm CET)
Email: ONlit–german@hibbertco.com
French Phone: (+1) 303–308–7141 (Mon–Fri 2:00pm to 7:00pm CET)
Email: ONlit–french@hibbertco.com
English Phone: (+1) 303–308–7142 (Mon–Fri 12:00pm to 5:00pm GMT)
Email: ONlit@hibbertco.com
EUROPEAN TOLL–FREE ACCESS*: 00–800–4422–3781
*Available from Germany, France, Italy, UK, Ireland
