MUR105 ... MUR160 MUR105 ... MUR160 Ultrafast Switching Silicon Rectifier Diodes - Ultraschnelle Silizium-Gleichrichterdioden Version 2012-01-21 Nominal current Nennstrom 0.1 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...600 V Plastic case Kunststoffgehause 5.1 -0.1 Type 62.5+0.5 -4.5 O 2.6 1A ~DO-41 ~DO-204AC Weight approx. Gewicht ca. 0.4 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehausematerial UL94V-0 klassifiziert O 0.770.07 Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Dimensions - Mae [mm] Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stospitzensperrspannung VRSM [V] MUR105 50 50 MUR110 100 100 MUR115 150 150 MUR120 200 200 MUR130 300 300 MUR140 400 400 MUR160 600 600 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50C IFAV 1 A 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 6 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stostrom fur eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25C IFSM 32/35 A Rating for fusing - Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25C i2t 5 A2s Tj TS -50...+175C -50...+175C Junction temperature - Sperrschichttemperatur Storage temperature - Lagerungstemperatur 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gultig, wenn die Anschlussdrahte in 10 mm Abstand vom Gehause auf Umgebungstemperatur gehalten werden (c) Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MUR105 ... MUR160 Characteristics Type Typ Kennwerte Reverse recovery time Sperrverzugszeit Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 1) trr [ns] 2) VF [V] MUR105 ... MUR120 < 25 < 35 < 0.875 1 MUR130 ... MUR160 < 50 < 75 < 1.25 1 Leakage current Sperrstrom Tj = 25C Tj = 100C Forward voltage Durchlass-Spannung VR = VRRM VR = VRRM at / bei IR IR IF = [A] < 5 A < 50 A Thermal resistance junction to ambient air Warmewiderstand Sperrschicht - umgebende Luft RthA < 45 K/W 3) Thermal resistance junction to leads Warmewiderstand Sperrschicht - Anschlussdraht RthL < 15 K/W 10 120 [%] [A] 100 MUR105...120 1 80 MUR130...160 60 0.1 40 10-2 20 IF IFAV 10 0 TA 50 100 150 [C] Rated forward current versus ambient temperature1) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 1 2 3 2 Tj = 25C -3 0 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) IF = 0.5 A through/uber IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A IF = 1.0 A, di/dt = -50 A/s, VR = 30 V Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gultig, wenn die Anschlussdrahte in 10 mm Abstand vom Gehause auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ (c) Diotec Semiconductor AG