■外観図OUTLINE
210 J534
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
'PSEFUBJMTPGPVUMJOFEJNFOTJPOTSFGFSUPPVSXFCTJUFPSUIF4FNJDPOEVDUPS
4IPSU'PSN$BUBMPH"TGPSUIFNBSLJOHSFGFSUPUIFTQFDJàDBUJPOi.BSLJOH
5FSNJOBM$POOFDUJPOu
特長
アキシャルダイオード
Axial Diode
Rectifier Diode
耐湿性に優れ高信頼性
高耐圧
•High-Reliability
•HighVoltage
D1N
600V 1A
PackageAX057 Unit:mm
Weight:0.19g(typ.)
3φ2.6
品名略号
①②
TypeNo. ロット記 (例)
Datecode
極性表示
Polarity
φ0.57
V6 67
捺印面展開図
  Marking
*2
2仕様
 SCe
D1N60
5060:52mm
5070:26mm
D1N20
7060:52mm
7070:26mm
1
■定格表RATINGS
D1N20 D1N60 単位
Unit
℃
℃
V
A
A
A2s
V
μA
℃/W
項  目
Item
記号
Symbol 条 件
Conditions
品 名
TypeNo.
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
熱抵抗
Thermal Resistance
Tstg
Tj
VRM
IO
IFSM
VF
IR
50Hz正弦波,非繰り返し1サイクルせん頭値,Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
50Hz正弦波,抵抗負荷,プリント基板実装,Ta = 25℃
50Hz sine wave, Resistance load, On glass-epoxy substrate, Ta= 25
パルス測定
Pulse measurement
パルス測定
Pulse measurement
IF=1A,
VR=VRM,
接合部・リード間
Junction to Lead
接合部・周囲間,プリント基板実装
Junction to Ambient, On glass-epoxy substrate
MAX1.05
MAX10
MAX10
MAX113
−55〜150
150
1
30
4.5
電流二乗時間積
Current Squared Time 1ms≦t<10ms,Tj = 25℃
I2t
200 600
θjl
θja
Feature
211
J534
■特性図CHARACTERISTIC DIAGRAMS
Sinewave 50Hz で測定しています。
)[TJOFXBWFJTVTFEGPSNFBTVSFNFOUT
*半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。
 Typical は統計的な実力を表しています。
4FNJDPOEVDUPSQSPEVDUTHFOFSBMMZIBWFDIBSBDUFSSJTUJDWBSJBUJPO
5ZQJDBMJTBTUBUJTUJDBMBWFSBHFPGUIFEFWJDFhTBCJMJUZ
D1N
Axial