Technische Information / technical information Schnelle beschaltungslose Diode D1131SH Fast Hard Drive Diode Key Parameters VRRM enndaten 6500 V IFAVM 1100 A (TC=85 C) IFSM VT0 22000 3570A A (TC=55C) 2,19 V rT 1,364 m RthJC 7,5 K/kW Clamping Force 36 ... 52 kN Max. Diameter 121 mm Contact Diameter 86 mm Height 26 mm For type designation please refer to actual short form catalog http://www.ifbip.com/catalog Merkmale Features Volle Sperrfahigkeit 50/60Hz uber einen weiten Temperaturbereich Hohe DC Sperrstabilitat Full blocking capability 50/60Hz over a wide temperature range High DC blocking stability Hohe Stostrombelastbarkeit Hoher Gehausebruchstrom Sanftes Ausschaltverhalten bei hohen Stromsteilheiten High surge current capability High case non-rupture current Soft turn-off behavior at high turn-off di/dt Typische Anwendungen Typical Applications Mittelspannungsumrichter Freilaufdiode fur IGCT - Applikationen Freilaufdiode fur IGBT - Applikationen Pulsed Power - Applikationen content of customer DMX code serial number SP material number datecode (production day) datecode (production year) datecode (production month) vT class (optional) QR class (optional) Date of Publication: 2014-06-01 DMX code digit 1..7 8..16 17..18 19..20 21..22 23..26 27..30 Medium voltage converters Freewheeling Diode for IGCT - applications Freewheeling Diode for IGBT - applications Pulsed power applications DMX code digit quantity 7 9 2 2 2 4 4 Revision: 8.0 1 2 www.ifbip.com support@infineon-bip.com Seite/page 1/11 Technische Information / technical information Schnelle beschaltungslose Diode D1131SH Fast Hard Drive Diode Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hochstzulassige Werte / Maximum rated values Periodische Ruckwarts-Spitzensperrspannung Elektrische Eigenschaften Tvj = 0C... Tvj max VRRM 6500 V Tc = 85C IFRMSM 1730 A average on-state current TC = 85C, f=50Hz IFAVM 1100 A Stostrom-Grenzwert TC = 70C, f=50Hz surge current Tvj = 25 C, tP = 10 ms TC = 55C, f=50Hz IFSM Tvjvj = = 25 Tvj max T C,, ttPP == 10 10 ms ms It Tvj = Tvjmax T vj = Tvj max, tP = 10 ms IFM = 2500A, VCL = 2800V clamp circuit LS 0,25H RCL = 68, CCL = 3F DCL = 34DSH65 PRQ failure rate < 100 VR(D) Durchlaspannung on-state voltage Tvj = Tvj max , iF = 2500A Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand slope resistance repetitive peak reverse voltage Durchlastrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom Grenzlastintegral It-value Max. Ausschaltverluste max. turn-off losses Charakteristische Werte / Characteristic values Gleichsperrspannung continuous direct reverse voltage Durchlakennlinie on-state characteristic 200A iF 3000A v F A B i F C Ln ( i F 1) D 1270 A 1420 A 22000 A 5 MW 2400 10 As estimate value 3200 V vF typ. max. 5,2 V 5,6 V Tvj = Tvj max V(TO) typ. max. 1,98 V 2,19 V Tvj = Tvj max rT typ. 1,288 m max. 1,364 m Tvj = Tvj max typ. iF max. A 0,702 B 0,000211 C -0,0784 D 0,0917 A 0,7 B 0,000279 C -0,044 D 0,0913 Spitzenwert der Durchlassverzogerungsspannung peak value of forward recovery voltage Tvj = Tvjmax, diF/dt = 5000A/s IFM = 4000A VFRM Sperrstrom reverse current Tvj = Tvj max, vR = VRRM iR max. 150 mA Sperrverzogerungsladung recovered charge Tvj = Tvjmax Qr max. 3500 mAs Ruckstromspitze peak reverse recovery current -di/dt = 1000A/s IRM max. 1300 A clamp circuit LS 0,25H, RCL = 68, CCL = 3F, WRQ max. FRRS typ. Ausschaltverlust Energie turn-off energy Abklingsanftheit reverse recovery softness factor typ. 360 V IFM = 2500A, VCL = 2800V, 8 Ws DCL = 34DSH65, Tvj = Tvjmax 1,6 IFM = 2500A, VR = 2800 V, -dirr/dt(i=0) = 1000A/s, trf = 200ns prepared by: TM approved by: JP Date of Publication: 2014-06-01 date of publication: revision: Revision: 8.0 2014-06-01 8.0 Seite/page 2/11 Technische Information / technical information Schnelle beschaltungslose Diode D1131SH Fast Hard Drive Diode Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case / cooling surface ThermischeKuhlflache Eigenschaften beidseitig / two-sided, = 180sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Mechanische Eigenschaften Kathode / cathode, DC Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Kuhlflache / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single-sided RthJC max. max. max. max. RthCH max. max. Hochstzulassige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj max Betriebstemperatur operating temperature Tc op Lagertemperatur storage temperature Tstg 8,55 7,5 13,3 17,2 K/kW K/kW K/kW K/kW 2,5 K/kW 5,0 K/kW 140 C 0...+140 C -40...+150 C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehause, siehe Anlage case, see annex Seite 3 page 3 Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpresskraft clamping force F Gewicht weight G 36...52 kN typ. 1350 g Kriechstrecke creepage distance 33 mm Luftstrecke air distance 17 mm Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz Date of Publication: 2014-06-01 Revision: 8.0 C 50 m/s Seite/page 3/11 Technische Information / technical information Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode D1131SH Mabild 1 2 1: Anode/Anode 2: Kathode/Cathode Date of Publication: 2014-06-01 Revision: 8.0 Seite/page 4/11 Technische Information / technical information Schnelle beschaltungslose Diode D1131SH Fast Hard Drive Diode Analytische Elemente des transienten Warmewiderstandes Z Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC R,t - Werte R Pos. n 1 2 3 4 5 Rthn [C/W] 2,95 2 1,54 0,98 0,03 n [s] 0,78 0,131 0,0217 0,00514 0,00104 Rthn [C/W] 8,04 0,81 2,39 1,6 0,46 n [s] 5,11 0,359 0,0962 0,012 0,00332 Rthn [C/W] 12,1 0,4 2,44 1,55 0,71 n [s] 4,97 0,489 0,121 0,0153 0,00427 R,T-Werte beidseitig two-sided anodenseitig anode-sided kathodenseitig cathode-sided Z thJC Analytische Funktion / Analytical function: thJC 6 n max 7 R thn 1 e -t n n=1 20 cl 18 16 al 14 ZthJC [K/kW] 12 10 bl 8 6 4 2 0,001 0,01 0,1 1 10 0 100 t [s] Transienter innerer Warmewiderstand fur DC / Transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC a : Anodenseitige Kuhlung / Anode-sided cooling b : Beidseitige Kuhlung / Two-sided cooling c : Kathodenseitige Kuhlung / Cathode-sided cooling Date of Publication: 2014-06-01 Revision: 8.0 Seite/page 5/11 Technische Information / technical information Schnelle beschaltungslose Diode D1131SH Fast Hard Drive Diode 3500 Diagramme Diagramme Durchlasskennlinie 3000 2500 max. typ. 2000 iF [A] 1500 1000 500 0 0 1 2 3 4 5 6 7 vF [V] Grenzdurchlakennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF) Tvj = Tvj max Date of Publication: 2014-06-01 Revision: 8.0 Seite/page 6/11 Technische Information / technical information Schnelle beschaltungslose Diode D1131SH Fast Hard Drive Diode 4000 Tc beidseitig IFM=2500A 3500 3000 IFM=1000A Qr [As] 2500 2000 IFM=500A 1500 IFM =250A 1000 500 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 -di/dt [A/s] Sperrverzogerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj=Tvjmax, clamp circuit LS 0,25H,RCL = 68 CCL = 3F, DCL = 34DSH65 Date of Publication: 2014-06-01 Revision: 8.0 Seite/page 7/11 Technische Information / technical information Schnelle beschaltungslose Diode D1131SH Fast Hard Drive Diode 1600 1400 IFM=2500A IFM=1000A 1200 IFM=500A 1000 IRM [A] IFM =250A 800 600 400 200 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 -di/dt [A/s] Ruckstromspitze / peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt) Tvj=Tvjmax, clamp circuit LS 0,25H,RCL = 68 CCL = 3F, DCL = 34DSH65 Date of Publication: 2014-06-01 Revision: 8.0 Seite/page 8/11 Technische Information / technical information Schnelle beschaltungslose Diode D1131SH Fast Hard Drive Diode 9 IFM=2500A 8 7 IFM =1000A 6 WRQ [Ws] 5 IFM =500A 4 3 IFM=250A 2 1 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 -di/dt [A/s] Ausschaltverlust Energie / turn-off energy Eoff = f(-di/dt) Tvj=Tvjmax, clamp circuit LS 0,25H,RCL = 68 CCL = 3F, DCL = 34DSH65 Date of Publication: 2014-06-01 Revision: 8.0 Seite/page 9/11 Technische Information / technical information Schnelle beschaltungslose Diode D1131SH Fast Hard Drive Diode 400 350 typ. 300 250 VFRM [V] 200 150 100 50 0 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 diF/dt [A/s] Spitzenwert-Durchlassverzogerungsspannung / peak value forward recovery voltage V FRM = f(diF/dt) Tvj=Tvjmax, IFM = 4000A Date of Publication: 2014-06-01 Revision: 8.0 Seite/page 10/11 Technische Information / technical information Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode D1131SH Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschlielich fur technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes fur die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollstandigkeit der bereitgestellten Produktdaten fur diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, fur die wir eine liefervertragliche Gewahrleistung ubernehmen. Eine solche Gewahrleistung richtet sich ausschlielich nach Magabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden fur das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls ubernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benotigen, die uber den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem fur Sie zustandigen Vertriebsburo in Verbindung (siehe www.infineon.com). Fur Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen konnte unser Produkt gesundheitsgefahrdende Substanzen enthalten. Bei Ruckfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem fur Sie zustandigen Vertriebsburo in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefahrdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir fur diese Falle - die gemeinsame Durchfuhrung eines Risiko- und Qualitatsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitatssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einfuhrung von Manahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Manahmen abhangig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Anderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. Date of Publication: 2014-06-01 Revision: 8.0 Seite/page 11/11