IRL 81 A IRL 81 A feof6461 GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs Infrared Emitter Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale GaAIAs-Lumineszenzdiode im nahen Infrarotbereich Klares Kunststoff-Miniaturgehause, seitliche Abstrahlung Preisgunstig Lange Lebensdauer (Langzeitstabilitat) Weiter Offnungskegel ( 25) Passend zu Fototransistor LPT 80 A Features GaAIAs infrared emitting diode in the near infrared range Clear plastic package with lateral emission Cost-effective Long-term stability Wide beam ( 25) Matches phototransistor LPT 80 A Anwendungen Applications Fertigungs- und Kontrollanwendungen For a variety of manufacturing and der Industrie, die eine Unterbrechung des Lichtstrahls erfordern Lichtschranken monitoring applications which require beam interruption Light barriers Typ Type Bestellnummer Ordering Code IRL 81 A Q68000-A8000 Semiconductor Group 1 10.95 IRL 81 A Grenzwerte (TA = 25 C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg - 40 ... + 100 C Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Durchlastrom Forward current IF 100 mA Verlustleistung Power dissipation Ptot 200 mW 1.33 mW/C RthJA 375 K/W Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlange der Strahlung bei Imax Wavelength of peak emission peak 880 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax 36 ... 44 nm Abstrahlwinkel Half angle 25 Grad deg. Durchlaspannung, IF = 20 mA Forward voltage VF 1.5 ( 2.0) V Strahlstarke1), IF = 20 mA Radiant intensity Ie 1.0 mW/sr Gesamtstrahlungsflu, IF = 20 mA Total radiant flux e 1.5 mW Verringerung der Verlustleistung, TA > 25 C Derate above, TA > 25 C Warmewiderstand Thermal resistance Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics 1) 1) Ein Silizium-Empfanger mit radiometrischem Filter und mit 1 cm2 strahlungsempfindlicher Flache wird nach der mechanischen Achse der Sendediode ausgerichtet. Es wird eine Lochblende verwendet. A 1 cm2 silicon detector with radiometric filter is aligned with the mechanical axis of the DUT. An aperture is used. Semiconductor Group 2 IRL 81 A Relative spectral emission Irel = f () Max. forward current IF = f (TA) Directional characteristics Irel = f () Semiconductor Group 3 Forward current IF = f (VF)