Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules FZ 1800 R 12 KL4C
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage VCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 80 °C IC,nom. 1800 A
DC-collector current TC = 25 °C IC2850 A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current tP = 1 ms, TC = 80°C ICRM 3600 A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation TC=25°C, Transistor Ptot 11,4 kW
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage VGES +/- 20V V
Dauergleichstrom
DC forward current IF1800 A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current tP = 1 ms IFRM 3600 A
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C I2t590 kA2s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung IC = 1800A, VGE = 15V, Tvj = 25°C VCE sat - 2,1 2,6 V
collector-emitter saturation voltage IC = 1800A, VGE = 15V, Tvj = 125°C - 2,4 2,9 V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage IC = 72mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) 4,5 5,5 6,5 V
Gateladung
gate charge VGE = -15V...+15V QG- 19,5 - µC
Eingangskapazität
input capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cies - 135 - nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cres -9-nF
Kollektor-Emitter Reststrom VCE = 1200V, VGE = 0V, Tvj = 25°C ICES - 0,05 2 mA
collector-emitter cut-off current VCE = 1200V, VGE = 0V, Tvj = 125°C - 4 - mA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C IGES - - 600 nA
prepared by: Mark Münzer date of publication: 02.09.1999
approved by: M. Hierholzer revision: 2
1(8) Seriendatenblatt_FZ1800R12KL4C
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules FZ 1800 R 12 KL4C
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor min. typ. max.
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) IC = 1800A, VCE = 600V
turn on delay time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 0,51Ω, Tvj = 25°C td,on - 0,59 - µs
VGE = ±15V, RG = 0,51Ω, Tvj = 125°C - 0,61 - µs
Anstiegszeit (induktive Last) IC = 1800A, VCE = 600V
rise time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 0,51Ω, Tvj = 25°C tr- 0,19 - µs
VGE = ±15V, RG = 0,51Ω, Tvj = 125°C - 0,2 - µs
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) IC = 1800A, VCE = 600V
turn off delay time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 0,51Ω, Tvj = 25°C td,off - 1,09 - µs
VGE = ±15V, RG = 0,51Ω, Tvj = 125°C - 1,18 - µs
Fallzeit (induktive Last) IC = 1800A, VCE = 600V
fall time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 0,51Ω, Tvj = 25°C tf- 0,16 - µs
VGE = ±15V, RG = 0,51Ω, Tvj = 125°C - 0,17 - µs
Einschaltverlustenergie pro Puls IC = 1800A, VCE = 600V, VGE = 15V
turn-on energy loss per pulse RG = 0,51Ω, Tvj = 125°C, LS = 70nH Eon - 230 - mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls IC = 1800A, VCE = 600V, VGE = 15V
turn-off energy loss per pulse RG = 0,51Ω, Tvj = 125°C, LS = 70nH Eoff - 295 - mWs
Kurzschlußverhalten tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, RG = 0,51Ω
SC Data TVj≤125°C, VCC=900V, VCEmax=VCES -LsCE ·dI/dt ISC - 14000 - A
Modulinduktivität
stray inductance module LsCE - 12 - nH
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse – Chip
module lead resistance, terminals – chip TC=25°C RCC‘+EE‘ - 0,07 - mΩ
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode min. typ. max.
Durchlaßspannung IF = 1800A, VGE = 0V, Tvj = 25°C VF- 1,8 2,3 V
forward voltage IF = 1800A, VGE = 0V, Tvj = 125°C - 1,7 2,2 V
Rückstromspitze IF = 1800A, - diF/dt = 9900A/µsec
peak reverse recovery current VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 25°C IRM - 990 - A
VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 125°C - 1290 - A
Sperrverzögerungsladung IF = 1800A, - diF/dt = 9900A/µsec
recovered charge VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 25°C Qr- 170 - µAs
VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 125°C - 380 - µAs
Abschaltenergie pro Puls IF = 1800A, - diF/dt = 9900A/µsec
reverse recovery energy VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 25°C Erec - 70 - mWs
VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 125°C - 130 - mWs
2(8) Seriendatenblatt_FZ1800R12KL4C
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules FZ 1800 R 12 KL4C
Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max.
Innerer Wärmewiderstand Transistor / transistor, DC RthJC - - 0,0110 K/W
thermal resistance, junction to case Diode/Diode, DC - - 0,0240 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module
λPaste = 1 W/m * K / λgrease = 1 W/m * K RthCK - 0,006 - K/W
Höchstzulässi
g
e Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature Tvj - - 150 °C
Betriebstemperatur
operation temperature Top -40 - 125 °C
Lagertemperatur
storage temperature Tstg -40 - 125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation Al2O3
Kriechstrecke
creepage distance 32 mm
Luftstrecke
clearance 20 mm
CTI
comperative tracking index > 400
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung M1 4,25 5 5,75 Nm
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminals M4 M2 1,7 2 2,3 Nm
terminal connection torque terminals M8 8 10 Nm
Gewicht
weight G 2250 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
3(8) Seriendatenblatt_FZ1800R12KL4C
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules FZ 1800 R 12 KL4C
IC [A]
VCE [V]
IC [A]
VCE [V]
0
600
1200
1800
2400
3000
3600
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Ausgangskennlinie (typisch) I
C = f (VCE)
Output characteristic (typical) VGE = 15V
0
600
1200
1800
2400
3000
3600
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
VGE = 7V
Ausgangskennlinienfeld (typisch) I
C = f (VCE)
Output characteristic (typical)
Tvj = 125°C
4(8) Seriendatenblatt_FZ1800R12KL4C
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules FZ 1800 R 12 KL4C
IC [A]
VGE [V]
IF [A]
VF [V]
0
600
1200
1800
2400
3000
3600
5 6 7 8 9 10 11 12
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Übertragungscharakteristik (typisch) IC = f (VGE)
Transfer characteristic (typical)
VCE = 20V
0
600
1200
1800
2400
3000
3600
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) I
F = f (VF)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
5(8) Seriendatenblatt_FZ1800R12KL4C
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules FZ 1800 R 12 KL4C
E [mJ]
IC [A]
E [mJ]
RG [Ω
ΩΩ
Ω]
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0 300 600 900 1200 1500 1800 2100 2400 2700 3000 3300 3600
Eoff
Eon
Erec
Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC)
Switching losses (typical) Rgon = Rgoff =0,51 Ω
ΩΩ
Ω, VCE = 600V, Tj = 125°C
0
200
400
600
800
1000
1200
0246810
Eoff
Eon
Erec
Schaltverluste (typisch) Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)
Switching losses (typical) IC = 1800A , VCE = 600V , Tj = 125°C
6(8) Seriendatenblatt_FZ1800R12KL4C
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules FZ 1800 R 12 KL4C
ZthJC
[K / W]
t [sec]
i 1234
ri [K/kW] : IGBT 5,00 4,43 0,76 0,81
τι=[σεχ]== : IGBT 0,0044 0,0381 0,195 0,50
ri [K/kW] : Diode 10,18 5,64 6,44 1,74
τι=[σεχ]== : Diode 0,00341 0,0245 0,047 0,50
IC [A]
VCE [V]
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA) VGE= +15V, Rg = 0,51Ω
ΩΩ
Ω, Tvj= 125°C
Transienter Wärmewiderstand ZthJC = f (t)
Transient thermal impedance
0
600
1200
1800
2400
3000
3600
4200
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
IC,Modul
IC,Chip
0,001
0,01
0,1
0,001 0,01 0,1 1 10 100
Zth:Diode
Zth:IGBT
7(8) Seriendatenblatt_FZ1800R12KL4C
Technische Information / Technical Information
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IGBT-Modules FZ 1800 R 12 KL4C
8(8) Seriendatenblatt_FZ1800R12KL4C
