D1800N46T - Infineon Technologies AG

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

Datenblatt / Data sheet

D1800N

IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 41/08 1/8

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Kenndaten

Elektrische Eigenschaften

Thermische Eigenschaften

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Periodische Spitzensperrspannung

repetitive peak reverse voltages

Tvj = -40°C... Tvj max

VRRM 3600

4000

4200

4400

4600

4800

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

FRMSM 3850 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

TC = 100 °C

IFAVM 1800 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms IFAVM 2550 A

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

FRMS 4000 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

Tvj =25 °C, tP = 10 ms

Tvj = Tvj max, tP = 10 ms

IFSM 35000

27500

Grenzlastintegral

I²t-value

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms

Tvj = Tvj max, tP = 10 ms

I²t 6125

3781

10³A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

Tvj = Tvj max, iF = 7,4 kA

Tvj = Tvj max, iF = 1,5 kA

max.

2,82

1,32

Schleusenspannung

threshold voltage

Tvj = Tvj max V

(TO) 0,85 V

Ersatzwiderstand

slope resistance

Tvj = Tvj max r

T 0,253 mΩ

Durchlaßkennlinie 500 A ≤ iF ≤ 9000 A

on-state characteristic

FFF iD)1i(lnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=

Tvj = Tvj max A=

-7,537E-01

3,748E-04

3,443E-01

-2,660E-02

Sperrstrom

reverse current

Tvj = Tvj max, vR = VRRM

iR max. 100 mA

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, θ = 180°sin

Anode / anode, DC

Kathode / cathode, θ = 180°sin

Kathode / cathode, DC

RthJC

max.

0,0169

0,0160

0,0329

0,0320

0,0329

0,0320

°C/W

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

einseitig / single-sided

RthCH

max.

0,0025

0,0050

°C/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

Tvj max 160 °C

Betriebstemperatur

operating temperature

c op -40...+160 °C

Lagertemperatur

storage temperature Tstg -40...+160 °C

prepared by: H.Sandmann date of publication: 2008-09-15

approved by: M.Leifeld revision: 3.0

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Mechanische Eigenschaften

Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in

Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging

technical notes.

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see annex

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Si-Element mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft

clamping force

F 24...60 kN

Gewicht

weight

G typ. 600 g

Kriechstrecke

creepage distance

25 mm

Schwingfestigkeit

vibration resistance

f = 50 Hz 50 m/s²

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Maßbild

1: Anode/

Anode

2: Kathode/

Cathode

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Transienter Wärmewiderstand

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC

Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC

Kühlung /

Cooling Pos. n 1 2 3 4 5 6 7

Rthn [°C/W] 0,000006 0,000407 0,001107 0,00206 0,00503 0,00739 -

beidseitig

two-sided τn [s] 0,000184 0,001360 0,010800 0,04640 0,21900 1,15000 -

Rthn [°C/W]

0,000201

0,000849

0,00235

0,00567

0,00443

0,0185

anodenseitig

anode-sided τn [s]

0,000796

0,005330

0,03660

0,21400

2,79000

6,1100

Rthn [°C/W]

0,000201

0,000849

0,00235

0,00567

0,00443

0,0185

kathodenseitig

cathode-sided τn [s]

0,000796

0,005330

0,03660

0,21400

2,79000

6,1100

Analytische Funktion / Analytical function: Σ

−

max

n=1 thnthJC n

-t

e1RZ

0,000

0,005

0,010

0,015

0,020

0,025

0,030

0,035

0,001 0,01 0,1 1 10 100

t [s]

Z thJC [°C/W]

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC

Z thJC = f(t)

a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

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Diagramme

Durchlasskennlinie

Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ

Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ

∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin

Kühlung / Cooling Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30°

∆Zth Θ rec

[°C/W]

0,00126

0,00202

0,00260

0,00348

0,00496

beidseitig

two-sided ∆Zth Θ sin

[°C/W]

0,00087

0,00122

0,00168

0,00249

0,00411

∆Zth Θ rec

[°C/W]

0,00130

0,00204

0,00260

0,00339

0,00479

anodenseitig

anode-sided ∆Zth Θ sin

[°C/W]

0,00096

0,00130

0,00175

0,00244

0,00391

∆Zth Θ rec

[°C/W]

0,00130

0,00204

0,00260

0,00339

0,00479

kathodenseitig

cathode-sided ∆Zth Θ sin

[°C/W]

0,00096

0,00130

0,00175

0,00244

0,00391

Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec

Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin

Tvj = Tvj ma x

1.000

2.000

3.000

4.000

5.000

6.000

7.000

8.000

9.000

10.000

0,91,41,92,42,93,4

VF [V]

iF [A]

Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)

Tvj = Tvj max

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Durchlassverluste

Tc beidseitig

1000

2000

3000

4000

5000

6000

7000

8000

0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500

IFAV [A]

PFAV [W]

Parameter:

a - DC

b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)

c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)

d - rec 60°el (M 6)

e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

Durchlassverlustleistung / On-state power loss PFAV = f(IFAV)

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

d bef

100

120

140

160

180

0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500

I FAV [A]

T C [°C]

Parameter:

a - DC

b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)

c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)

d - rec 60°el (M 6)

e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAV)

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

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Qr Diagramm

1000

10000

100000

0,1 1 10 100

-di/dt [A/µs]

Qr [µAs]

iFM =

3200A

100A

400A

800A

1600A

200A

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge

Qr =f(-di/dt)

Tvj= Tvjmax , vR ≤ 0,5 VRRM , vRM = 0,8 VRRM

RC-Glied / RC-Network: R = 2,7Ω, C = 1,5µF

0-50V

0,33 VRRM

0,67 VRRM

1 3 5 7 9 1113151719

Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen

Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves

IF(OV)M [kA]

Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IF(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus

Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM

Typical dependency of maximum overload on-state current IF(OV)M as a number of a sequence of

sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM

IF(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvj max

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