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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
56DN06
IFBIP D AEC / 2011-02-17, H.Sandmann A 05/11 1/7
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Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
Thermische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Tvj = -40°C... Tvj max
VRRM
600 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
I
FRMSM 10050 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 126 °C
IFAVM 6400 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
IFSM 81000
70000
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t 32800
24500
10³A²s
10³A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 10 kA vF
max. 1,15 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max V
(TO) 0,7 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max r
T 0,04 m
Durchlaßkennlinie 2000 A iF 32000 A
on-state characteristic
F
FFF iD)1i(lnCiBAv ++++=
Tvj = Tvj max A=
B=
C=
D=
4,617E-01
2,002E-05
7,441E-03
4,190E-03
Sperrstrom
reverse current
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
iR max. 100 mA
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
RthJC
max.
max.
0,0062
0,0055
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
RthCH
max. 0,0025
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max 180 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op -40...+180 °C
Lagertemperatur
storage temperature Tstg -40...+180 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
F
40...60 kN
Gewicht
weight
G typ. 110 g
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz 50 m/s²
prepared by: H.Sandmann date of publication: 2011-02-17
approved by: M.Leifeld revision: 3.0
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Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
56DN06
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Maßbild
Maßbild
Hinweis:
Wir empfehlen die Diode mit einem temperaturbeständigen O-Ring zu schützen.
Notice:
We recommended to protect the diode with a temperature resistant O-Ring.
12
1: Anode/
Anode
2: Kathode/
Cathode
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Rectifier Diode
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Transienter Wärmewiderstand
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Kühlung /
Cooling Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
Rthn [°C/W] 0,000019 0,00032 0,001015 0,004146 - - -
beidseitig
two-sided τn [s] 0,000010 0,00145 0,014031 0,071000 - - -
Analytische Funktion / Analytical function: Σ
=
τ
max
n
n=1 thnthJC n
-t
e1RZ
b
0,000
0,001
0,002
0,003
0,004
0,005
0,006
0,001 0,01 0,1 1
t [s]
Z thJC [°C/W]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
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Diagramme
Diagramme
Durchlasskennlinie
Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ
Zth Θ rec / Zth Θ sin
Kühlung / Cooling Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30°
Zth Θ rec
[°C/W]
0,00115
0,00181
0,00230
0,00302
0,00424
beidseitig
two-sided Zth Θ sin
[°C/W]
0,00083
0,00114
0,00153
0,00219
0,00343
Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin
Tvj = Tvj max
0
5.000
10.000
15.000
20.000
25.000
30.000
35.000
0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2
VF [V]
iF [A]
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj max
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Durchlassverluste
Tc beidseitig
a
c
d
b
e
f
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
0 2000 4000 6000 8000 10000 12000
IFAV [A]
PFAV [W]
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PFAV = f(IFAV)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
a
c
d bef
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0 2000 4000 6000 8000 10000 12000
I FAV [A]
T C [°C]
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAV)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
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Qr Diagramm
0-50V
0,33 VRRM
0,67 VRRM
0
10
20
30
40
50
60
70
80
1357911131517
Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves
IF(OV)M [kA]
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IF(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IF(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IF(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvj max
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- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
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