Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules FF 800 R 17 KF6C B2
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage VCES 1700 V
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 80 °C IC,nom. 800 A
DC-collector current TC = 25 °C IC1300 A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current tP = 1 ms, TC = 80°C ICRM 1600 A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation TC=25°C, Transistor Ptot 6,25 kW
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage VGES +/- 20V V
Dauergleichstrom
DC forward current IF800 A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current tp = 1 ms IFRM 1600 A
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C I2t 170 kA2s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 4kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung IC = 800A, VGE = 15V, Tvj = 25°C VCE sat 2,6 3,1 V
collector-emitter saturation voltage IC = 800A, VGE = 15V, Tvj = 125°C 3,1 3,6 V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage IC = 65 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) 4,5 5,5 6,5 V
Gateladung
gate charge VGE = -15V ... +15V QG9,6 µC
Eingangskapazität
input capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cies 52 nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cres 2,7 nF
Kollektor-Emitter Reststrom VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25°C ICES 0,02 1,5 mA
collector-emitter cut-off current VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 125°C 10 80 mA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C IGES 400 nA
prepared by: Alfons Wiesenthal date of publication: 10.11.2000
approved by: Christoph Lübke: 10.11.2000 revision: serie
1(8) FF800R17KF6C B2
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor min. typ. max.
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) IC = 800A, VCE = 900V
turn on delay time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 1,2Ω, Tvj = 25°C td,on 0,4 µs
VGE = ±15V, RG = 1,2Ω, Tvj = 125°C 0,4 µs
Anstiegszeit (induktive Last) IC = 800A, VCE = 900V
rise time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 1,2Ω, Tvj = 25°C tr0,14 µs
VGE = ±15V, RG = 1,2Ω, Tvj = 125°C 0,14 µs
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) IC = 800A, VCE = 900V
turn off delay time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 1,8Ω, Tvj = 25°C td,off 1,1 µs
VGE = ±15V, RG = 1,8Ω, Tvj = 125°C 1,1 µs
Fallzeit (induktive Last) IC = 800A, VCE = 900V
fall time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 1,8Ω, Tvj = 25°C tf0,13 µs
VGE = ±15V, RG = 1,8Ω, Tvj = 125°C 0,14 µs
Einschaltverlustenergie pro Puls IC = 800A, VCE = 900V, VGE = 15V
turn-on energy loss per pulse RG = 1,2Ω, Tvj = 125°C, LS = 60nH Eon 290 mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls IC = 800A, VCE = 900V, VGE = 15V
turn-off energy loss per pulse RG = 1,8Ω, Tvj = 125°C, LS = 60nH Eoff 335 mWs
Kurzschlußverhalten tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V
SC Data TVj≤125°C, VCC=1000V, VCEmax=VCES -LsCE ·dI/dt ISC 3200 A
Modulinduktivität
stray inductance module LsCE 20 nH
Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
module lead resistance, terminals - chip pro Zweig / per arm RCC´+EE´ 0,16 mΩ
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode min. typ. max.
Durchlaßspannung IF = 800A, VGE = 0V, Tvj = 25°C VF2,1 2,5 V
forward voltage IF = 800A, VGE = 0V, Tvj = 125°C 2,1 2,5 V
Rückstromspitze IF = 800A, - diF/dt =6300A/µsec
peak reverse recovery current VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C IRM 800 A
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C 900 A
Sperrverzögerungsladung IF = 800A, - diF/dt = 6300A/µsec
recovered charge VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C Qr170 µAs
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C 310 µAs
Abschaltenergie pro Puls IF = 800A, - diF/dt = 6300A/µsec
reverse recovery energy VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C Erec 80 mWs
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C 170 mWs
FF 800 R 17 KF6C B2
2(8) FF800R17KF6C B2
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules FF 800 R 17 KF6C B2
Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max.
Innerer Wärmewiderstand Transistor / transistor, DC RthJC 0,02 K/W
thermal resistance, junction to case Diode/Diode, DC 0,034 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module
λPaste = 1 W/m*K / λgrease = 1 W/m*K RthCK 0,008 K/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature Tvj 150 °C
Betriebstemperatur
operation temperature Top -40 125 °C
Lagertemperatur
storage temperature Tstg -40 125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation AlN
Kriechstrecke
creepage distance 15 mm
Luftstrecke
clearance 10 mm
CTI
comperative tracking index min. 275
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung M1 5 Nm
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminals M4 M2 2 Nm
terminal connection torque terminals M8 8 - 10 Nm
Gewicht
weight G 1050 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
3(8) FF800R17KF6C B2
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules FF 800 R 17 KF6C B2
IC [A]
VCE [V]
IC [A]
VCE [V]
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Ausgangskennlinie (typisch) IC = f (VCE)
Output characteristic (typical) VGE = 15V
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VGE = 20V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
Ausgangskennlinienfeld (typisch) IC = f (VCE)
Output characteristic (typical) Tvj = 125°C
4(8) FF800R17KF6C B2
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules FF 800 R 17 KF6C B2
IC [A]
VGE [V]
IF [A]
VF [V]
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
5678910111213
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Übertragungscharakteristik (typisch) IC = f (VGE)
Transfer characteristic (typical) VCE = 20V
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
Tvj=25°C
Tvj=125°C
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) IF = f (VF)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
5(8) FF800R17KF6C B2
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules FF 800 R 17 KF6C B2
E [mJ]
IC [A]
E [mJ]
RG [Ω]
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
Eoff
Eon
Erec
Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC)
Switching losses (typical) Rgon = 1,2 Ω; Rgoff =1,8 Ω, VCE = 900V, Tj = 125°C, VGE = ± 15V
0
200
400
600
800
1000
1200
02468101214
Eoff
Eon
Erec
Schaltverluste (typisch) Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)
Switchin
g
losses
(
t
yp
ical
)
I
C
= 800A , V
CE
= 900V , T
j
= 125°C, V
GE
= ± 15V
6(8) FF800R17KF6C B2
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules FF 800 R 17 KF6C B2
ZthJC [K / W]
t [sec]
i 1234
ri [K/kW] : IGBT 1,88 9,43 2,85 5,84
τi [sec] : IGBT 0,027 0,052 0,09 0,838
ri [K/kW] : Diode 15,7 7,05 2,24 9,05
τi [sec] : Diode 0,0287 0,0705 0,153 0,988
IC [A]
VCE [V]
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA) Rg = 1,8 Ohm, Tvj= 125°C
Transienter Wärmewiderstand ZthJC = f (t)
Transient thermal impedance
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
IC,Modul
IC,Chip
0,001
0,01
0,1
0,001 0,01 0,1 1 10 100
Zth:Diode
Zth:IGBT
7 (8) FF800R17KF6C B2
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules FF 800 R 17 KF6C B2
Äußere Abmessungen / external dimensions
8(8) FF800R17KF6C B2
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